上海IPM封装技术

SiP系统级封装(SiP)制程关键技术，高密度打件，在高密度打件制程方面，云茂电子已达到约为婴儿发丝直径的40μm。以10x10被动组件数组做比较，大幅缩减超过70%的主板面积，其中的40%乃源自于打件技术的突破。 塑封 由于高密度打件采用微小化元器件与制程，因此元器件与载板之间的连结，吃锡量大幅减少，为提高打件可靠度，避免外界湿度、高温及压力等影响，塑封制程可将完整的元器件密封包覆在载板上。相较于一般委外封测(OSAT)塑封约100颗左右，云茂电子的系统级封装塑封技术，则是可容纳高达900颗组件。 在当前时代，Sip系统级封装（System-in-Package）技术崭露头角。上海IPM封装技术

什么是系统级封装SIP？1、SIP介绍，SIP（System In Package，系统级封装）为一种封装的概念，它是将多个半导体及一些必要的辅助零件，做成一个相对单独的产品，可以实现某种系统级功能，并封装在一个壳体内。较终以一个零件的形式出现在更高阶的系统级PCBA(Printed Circuit Board Assembly)。2.SIP与SOC，SOC(System On a Chip，系统级芯片)是将原本不同功能的IC，整合到一颗芯片中，比如在一个芯片中集成数字电路、模拟电路、存储器和接口电路等，以实现图像处理、语言处理、通讯功能和数据处理等多种功能。山西COB封装哪家好SiP 在应用终端产品领域（智能手表、TWS、手机、穿戴式产品、智能汽车）的爆发点也将愈来愈近。

构成SiP技术的要素是封装载体与组装工艺。前者包括基板，LTCC，SiliconSubmount(其本身也可以是一块IC)。后者包括传统封装工艺(Wirebond和FlipChip)JI和SMT设备。无源器件是SiP的一个重要组成部分，其中一些可以与载体集成为一体(Embedded，MCM-D等)，另一些(精度高、Q值高、数值高的电感、电容等)通过SMT组装在载体上。SiP的主流封装形式是BGA。就目前的技术状况看，SiP本身没有特殊的工艺或材料。这并不是说具备传统先进封装技术就掌握了SiP技术。由于SiP的产业模式不再是单一的代工，模块划分和电路设计是另外的重要因素。

SiP可以说是先进的封装技术、表面安装技术、机械装配技术的融合。根据ITRS（International Technology Roadmap for Semiconductors）的定义：系统级封装是多个具有不同功能的有源电子元件的组合，组装在一个单元中，提供与系统或子系统相关的多种功能。一个SiP可以选择性地包含无源器件、MEMS、光学元件以及其他封装和设备。SiP 封装技术采取多种裸芯片或模块进行排列组装，若就排列方式区分可大体分为平面式2D封装和3D封装的结构。采用堆叠的3D技术可以增加使用晶圆或模块的数量，从而在垂直方向上增加可放置晶圆的层数，进一步增强SiP技术的功能整合能力；而其内部接合技术可以是单纯的线键合（Wire Bonding），也可使用倒装键合（Flip chip），也可二者混用。SiP封装为芯片提供支撑，散热和保护，同时提供芯片与基板之间的供电和机械链接。

SiP技术特点：制造工艺，SiP的制造涉及多种工艺，包括：基板技术：提供电气连接和物理支持的基板，可以是有机材料（如PCB）或无机材料（如硅、陶瓷）。芯片堆叠：通过垂直堆叠芯片来节省空间，可能使用通过硅孔（TSV）技术来实现内部连接。焊接和键合：使用焊球、金线键合或铜线键合等技术来实现芯片之间的电气连接。封装：较终的SiP模块可能采用BGA（球栅阵列）、CSP（芯片尺寸封装）或其他封装形式。SiP 封装制程按照芯片与基板的连接方式可分为引线键合封装和倒装焊两种。SiP封装通常在一块大的基板上进行，每块基板可以制造几十到几百颗SiP成品。上海IPM封装技术

在电源、车载通讯方面也开始进行了 SiP 探索和开发实践。上海IPM封装技术

PiP封装的优点：1）外形高度较低；2）可以采用标准的SMT电路板装配工艺；3）单个器件的装配成本较低。PiP封装的局限性：（1）由于在封装之前单个芯片不可以单独测试，所以总成本会高（封装良率问题）；（2）事先需要确定存储器结构，器件只能有设计服务公司决定，没有终端使用者选择的自由。TSV，W2W的堆叠是将完成扩散的晶圆研磨成薄片，逐层堆叠而成。层与层之间通过直径在10µm以下的细微通孔而实现连接。此种技术称为TSV（Through silicon via）。与常见IC封装的引线键合或凸点键合技术不同，TSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度更大、外形尺寸更小，并且较大程度上改善芯片速度和降低功耗，成为3D芯片新的发展方向。上海IPM封装技术