贵州防震特种封装工艺

QFN、DQFN封装，TO：晶体管外形封装，TO252和TO263就是表面贴装封装。其中TO-252又称之为D-PAK，TO-263又称之为D2PAK。还有TO-220(目前主流的直插式封装)SOT（小功率MOSFET,比TO封装尺寸小）:小外形晶体管封装，LFPAK56(SOT669)：恩智浦（原Philps）对SO（P）-8封装技术改进为LFPAK和QLPAK。其中LFPAK被认为是世界上高度可靠的功率SO-8封装；而QLPAK具有体积小、散热效率更高的特点，与普通SO-8相比，QLPAK占用PCB板的面积为6*5mm，同时热阻为1.5k/W。特种外形封装需要按照客户的需求进行工艺流程设计、塑封模具、切筋打弯模具、测试机械手治具设计。贵州防震特种封装工艺

按照封装工艺的不同，封装基板可分为引线键合封装基板和倒装封装基板。其中，引线键合（WB）使用细金属线，利用热、压力、超声波能量为使金属引线与芯片焊盘、基板焊盘紧密焊合，实现芯片与基板间的电气互连和芯片间的信息互通，大量应用于射频模块、存储芯片、微机电系统器件封装；倒装（FC）封装与引线键合不同，其采用焊球连接芯片与基板，即在芯片的焊盘上形成焊球，然后将芯片翻转贴到对应的基板上，利用加热熔融的焊球实现芯片与基板焊盘结合，该封装工艺已普遍应用于CPU、GPU及Chipset等产品封装。此外，按照应用领域的不同，封装基板又可分为存储芯片封装基板、微机电系统封装基板、射频模块封装基板、处理器芯片封装基板和高速通信封装基板等，主要应用于移动智能终端、服务/存储等。贵州防震特种封装工艺在制作 MOS 管之后，需要给 MOS 管芯片加上一个外壳，这就是 MOS 管封装。

常见的集成电路的封装形式如下：SO封装，引线比较少的小规模集成电路大多采用这种小型封装。SO封装又分为几种，芯片宽度小于0.15in，电极引脚数目比较少的（一般在8~40脚之间），叫做SOP封装；芯片宽度在0.25in以上，电极引脚数目在44以上的，叫做SOL封装，这种芯片常见于随机存储器（RAM）；芯片宽度在0.6in以上，电极引脚数目在44以上的，叫做SOW封装，这种芯片常见于可编程存储器（E2PROM）。有些SOP封装采用小型化或薄型化封装，分别叫做SSOP封装和TSOP封装。大多数SO封装的引脚采用翼形电极，也有一些存储器采用J形电极（称为SOJ），有利于在插座上扩展存储容量。SO封装的引脚间距有1.27mm、1.0mm、0.8mm、0.65mm和0.5mm几种。

而表面贴片封装的集成电路只须将它放置在PCB板的一面，并在它的同一面进行焊接，不需要专孔，这样就降低了PCB电路板设计的难度。表面贴片封装的主要优点是降低其本身的尺寸，从而加大了：PCB上IC的密集度。用这种方法焊上去的芯片，如果不用专门使用工具是很难拆卸下来的。表面贴片封装根据引脚所处的位置可分为：Single-ended（引脚在一面）、Dual（引脚在两边）、Quad（引脚在四边）、Bottom（引脚在下面）、BGA（引脚排成矩正结构）及其它。DIP封装通常有直插式（Through-Hole）和表面贴装式（Surface Mount）两种形式。

对于需要高功率输出的电路，应该选择具有良好散热性能的封装，而对于需要高密度集成的电路，应该选择小型化的封装。设计者需要根据实际需求和电路板的安装要求来选择合适的封装类型，以确保 MOS 管在实际应用中发挥较佳性能。封装基板定义及作用，封装基板（Package Substrate）是由电子线路载体（基板材料）与铜质电气互连结构（如电子线路、导通孔等）组成，其中电气互连结构的品质直接影响集成电路信号传输的稳定性和可靠性，决定电子产品设计功能的正常发挥。封装基板属于特种印制电路板，是将较高精密度的芯片或者器件与较低精密度的印制电路板连接在一起的基本部件。QFP封装是一种扁平封装形式，引脚排列在四个侧边，并且每个侧边有多个引脚。贵州半导体芯片特种封装行价

SOT封装由一个塑料外壳和多个引脚组成，外形类似于一个透明的方形或圆形盒。贵州防震特种封装工艺

随着电子安装技术的不断进步与发展，电子安装各阶层的界限越来越不清晰，各阶层安装的交叉、互融，此过程中PCB的作用越来越重要，对PCB及其基板材料在功能、性能上都提出了更高、更新的要求。封装基板从PCB中分离单独，20世纪80年代以后，新材料、新设备的普遍应用，集成电路设计与制造技术按照“摩尔定律”飞速发展，微小敏感的半导体元件问世，大规模集成电路与超大规模集成电路设计出现，高密度多层封装基板应运而生，使集成电路封装基板从普通的印制电路板中分离出来，形成了专有的集成电路封装基板制造技术。贵州防震特种封装工艺