吉林半导体芯片封装流程

系统级封装的优势，SiP和SoC之间的主要区别在于，SoC 将所需的每个组件集成到同一芯片上，而 SiP方法采用异构组件并将它们连接到一个或多个芯片载波封装中。例如，SoC将CPU，GPU，内存接口，HDD和USB连接，RAM / ROM和/或其控制器集成到单个芯片上，然后将其封装到单个芯片中。相比之下，等效的SiP将采用来自不同工艺节点（CMOS，SiGe，功率器件）的单独芯片，将它们连接并组合成单个封装到单个基板（PCB）上。考虑到这一点，很容易看出，与类似的SoC相比，SiP的集成度较低，因此SiP的采用速度很慢。然而，较近，2.5D 和 3D IC、倒装芯片技术和封装技术的进步为使用 SiP 提供的可能性提供了新的视角。有几个主要因素推动了当前用SiP取代SoC的趋势：Sip系统级封装通过将多个裸片（Die）和无源器件融合在单个封装体内，实现了集成电路封装的创新突破。吉林半导体芯片封装流程

SiP系统级封装(SiP)制程关键技术，高密度打件，在高密度打件制程方面，云茂电子已达到约为婴儿发丝直径的40μm。以10x10被动组件数组做比较，大幅缩减超过70%的主板面积，其中的40%乃源自于打件技术的突破。 塑封 由于高密度打件采用微小化元器件与制程，因此元器件与载板之间的连结，吃锡量大幅减少，为提高打件可靠度，避免外界湿度、高温及压力等影响，塑封制程可将完整的元器件密封包覆在载板上。相较于一般委外封测(OSAT)塑封约100颗左右，云茂电子的系统级封装塑封技术，则是可容纳高达900颗组件。 北京半导体芯片封装方式SiP 可将不同的材料，兼容不同的GaAs，Si，InP，SiC，陶瓷，PCB等多种材料进行组合进行一体化封装。

基板的分类：封装基板的分类有很多种，目前业界比较认可的是从增强材料和结构两方面进行分类。结构分类：刚性基板材料和柔性基板材料。增强材料分类：有有机系（树脂系）、无机系（陶瓷系、金属系）和复合系；基板的处理，基板表面处理方式主要有：热风整平、有机可焊性保护涂层、化学镍金、电镀金。化学镍金：化学镍金是采用金盐及催化剂在80~100℃的温度下通过化学反应析出金层的方法进行涂覆的，成本比电镀低，但是难以控制沉淀的金属厚度，表面硬并且平整度差，不适合作为采用引线键合工艺封装基板的表面处理方式。

SIP产品封装介绍，什么是SIP?SiP模组是一个功能齐全的子系统，它将一个或多个IC芯片及被动元件整合在一个封装中。此IC芯片(采用不同的技术：CMOS、BiCMOS、GaAs等)是Wire bonding芯片或Flipchip芯片，贴装在Leadfream、Substrate或LTCC基板上。被动元器件如RLC及滤波器(SAW/BAW/Balun等)以分离式被动元件、整合性被动元件或嵌入式被动元件的方式整合在一个模组中。SIP工艺流程划分，SIP封装制程按照芯片与基板的连接方式可分为引线键合封装和倒装焊两种。在固晶过程中，需要对芯片施加一定的压力以确保其与基板之间的良好连接。

根据国际半导体路线组织（ITRS）的定义： SiP（System-in-package）为将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统。SiP技术特点：组件集成，SiP可以包含各种类型的组件，如：数字和模拟集成电路，无源元件（电阻、电容、电感），射频（RF）组件，功率管理模块，内存芯片（如DRAM、Flash），传感器和微电机系统（MEMS）。SiP 可以将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件。北京系统级封装工艺

汽车汽车电子是 SiP 的重要应用场景。吉林半导体芯片封装流程

合封芯片的功能，性能提升，合封芯片：通过将多个芯片或模块封装在一起，合封芯片可以明显提高数据处理速度和效率。由于芯片之间的连接更紧密，数据传输速度更快，从而提高了整体性能。稳定性增强，合封芯片：由于多个芯片共享一些共同的功能模块，以及更紧密的集成方式，合封芯片可以减少故障率。功耗降低、开发简单，合封芯片：由于多个芯片共享一些共同的功能模块，以及更紧密的集成方式，云茂电子可以降低整个系统的功耗。此外，通过优化内部连接和布局，可以进一步降低功耗。防抄袭，多个芯片和元器件模块等合封在一起，就算被采购，也无法模仿抄袭。吉林半导体芯片封装流程