深圳SIP封装

通信SiP 在无线通信领域的应用较早，也是应用较为普遍的领域。在无线通讯领域，对于功能传输效率、噪声、体积、重量以及成本等多方面要求越来越高，迫使无线通讯向低成本、便携式、多功能和高性能等方向发展。SiP 是理想的解决方案，综合了现有的芯核资源和半导体生产工艺的优势，降低成本，缩短上市时间，同时克服了 SOC 中诸如工艺兼容、信号混合、噪声干扰、电磁干扰等难度。手机中的射频功放，集成了频功放、功率控制及收发转换开关等功能，完整地在 SiP 中得到了解决。先进封装的制造过程中，任何一个环节的失误都可能导致整个封装的失败。深圳SIP封装

2.5D SIP，2.5D本身是一种在客观世界并不存在的维度，因为其集成密度超越了2D，但又达不到3D集成密度，取其折中，因此被称为2.5D。其中的表示技术包括英特尔的EMIB、台积电的CoWos、三星的I-Cube。在先进封装领域，2.5D是特指采用了中介层（interposer）的集成方式，中介层目前多采用硅材料，利用其成熟的工艺和高密度互连的特性。物理结构：所有芯片和无源器件均在XY平面上方，至少有部分芯片和无源器件安装在中介层上，在XY平面的上方有中介层的布线和过孔，在XY平面的下方有基板的布线和过孔。电气连接：中介层可提供位于中介层上芯片的电气连接。虽然理论上讲，中介层可以有TSV也可以没有TSV，但在进行高密度互连时，TSV几乎是不可或缺的，中介层中的TSV通常被称为2.5D TSV。深圳SIP封装消费电子目前SiP在电子产品里应用越来越多，尤其是 TWS 耳机、智能手表、UWB 等消费电子领域。

SiP整体制程囊括了着晶、打线、主/被动组件SMT及塑封技术，封装成型可依据客户设计制作不同形状模块，甚至是3D立体结构，藉此可将整体尺寸缩小，预留更大空间放置电池，提供更大电力储存，延长产品使用时间，但功能更多、速度更快，因此特别适用于射频相关应用如5G毫米波模块、穿戴式装置及汽车电子等领域。微小化制程三大关键技术，在设计中元器件的数量多寡及排布间距，即是影响模块尺寸的较主要关键。要能够实现微小化，较重要的莫过于三项制程技术：塑封、屏蔽及高密度打件技术。

SIP类型，从目前业界SIP的设计类型和结构区分，SIP可分为以下几类。2D SIP，2D封装是指在基板的表面水平安装所有芯片和无源器件的集成方式。以基板（Substrate）上表面的左下角为原点，基板上表面所处的平面为XY平面，基板法线为Z轴，创建坐标系。2D封装方面包含FOWLP、FOPLP和其他技术。物理结构：所有芯片和无源器件均安装在基板平面，芯片和无源器件与XY平面直接接触，基板上的布线和过孔位于XY平面下方。电气连接：均需要通过基板（除了极少数通过键合线直接连接的键合点）。微晶片的减薄化是SiP增长面对的重要技术挑战。

3D SIP。3D封装和2.5D封装的主要区别在于：2.5D封装是在Interposer上进行布线和打孔，而3D封装是直接在芯片上打孔和布线，电气连接上下层芯片。3D集成目前在很大程度上特指通过3D TSV的集成。物理结构：所有芯片及无源器件都位于XY平面之上且芯片相互叠合，XY平面之上设有贯穿芯片的TSV，XY平面之下设有基板布线及过孔。电气连接：芯片采用TSV与RDL直接电连接。3D集成多适用于同类型芯片堆叠，将若干同类型芯片竖直叠放，并由贯穿芯片叠放的TSV相互连接而成，见下图。类似的芯片集成多用于存储器集成，如DRAM Stack和FLASH Stack。汽车汽车电子是 SiP 的重要应用场景。深圳SIP封装

先进封装对于精度的要求非常高，因为封装中的芯片和其他器件的尺寸越来越小，而封装密度却越来越大。深圳SIP封装

封装（Package），是把晶圆上切下来的裸片装配为芯片较终产品的过程，简单地说，就是把制造厂生产出来的集成电路裸片放在一块起到承载作用的基板上，把管脚引出来，然后固定包装成为一个整体。作为动词，“封装”强调的是安放、固定、密封、引线的过程和动作；作为名词，“封装”主要关注封装的形式、类别、基底、外壳、引线材料，强调其保护芯片、增强电热性能、方便整机装配的重要作用。SiP封装是将不同功能的裸芯片，包括CPU、GPU、存储器等集成在一个封装体内，从而实现一整个芯片系统。深圳SIP封装