由热释光曲线得知，Ce,Mn:YAP晶体在加热过程中产生热释光效应分为三459K、507K、660K，这意味着在Ce,Mn:YAP晶体中均存在着三种不同浓度的电子陷阱，其***能分别为1.20eV、1.33eV、1.43eV。当晶体加热到不同的温度，被捕获的电子吸收足够能量被释放出来，然后迁移与复合中心发生复合，同时产生热释光。由于YAP晶格中具有的本征缺陷如氧空位等在γ辐照后会捕获电子产生F心和F+心等色心，这些色心同样存在于Ce,Mn:YAP晶体中。当晶体加热到400K时这些陷阱中的电子开始被***，发生F→F++e-，F+→Vo+e-等反应，此外，一些杂质离子等也在晶体中形成的电子陷阱所捕获的电子也会随着温度的上升而被释放出来。CeYAP晶体不同浓度是如何辨别？河北专业生长CeYAP晶体
0.5at% 范围内，随着Ce3+ 离子浓度增加，Ce: YAP晶体的发光强度会相应增加，但同时自吸收引起的透过边红移导致实际光输出减少，在高能射线激发下晶体的**终发光强度是这两个因数的综合结果，从XEL谱实验结果分析该厚度时，Ce3+ 离子浓度在0.3at% 左右比较合适。但如果能把Ce: YAP晶体的透过边往短波方向移动，就能减少自吸收，使发射峰位蓝移并提**度，从而能提高晶体在高能射线激发下的光产额。通常通过氢气退火可比较有效地***自吸收现象。湖南生长CeYAP晶体Ce:YAP晶体生长过程详细介绍有吗？
为了解Mn离子对Ce: YAP 闪烁性能的影响，我们测量并比较了Mn: YAP 和Ce, Mn: YAP晶体的X射线激发衰减时间谱（图4-51），解谱采用双成分拟合。从表 4-7 可见，Ce, Mn: YAP 的快慢成分均为Ce: YAP 的一半左右，而Mn: YAP 则未测到衰减成分。Ce, Mn: YAP由于存在Ce3+ 离子和 Mn4+离子之间的能量传递，使Ce3+ 无辐射跃迁几率增大，衰减时间缩短。能量通过Ce3+ 5d激发态，传到Mn4+离子的4T1 ( 4F ) , 4T1 ( 4P ) 和4T2等能级，***到Mn4+ 离子的2E态，通过 2E - 4A2跃迁发出687 - 714nm 波长的光。 图4-51为Mn: YAP和Ce, Mn: YAP 在714nm的荧光激发衰减时间谱，激发波长为 350nm，得到的时间参数都为2.4ms左右。
用提拉法分别生长了YAP:Fe(0.2at%)、YAP:Cu(0.5at%)和YAP:Mn(0.5at%、3at)晶体。采用提拉法生长的YAP:TM晶体宏观完整透明，晶体尺寸约为Ф42×60 mm，如图4-1(a)- (d)所示。YAP:Fe晶体为无色透明，尺寸约为Φ26×61 mm，无可视缺陷，氦氖激光照射有轻微散射；YAP:Cu晶体为桔黄色，晶体尺寸为Φ25.8×69 mm，晶体上部出现开裂，用氦氖激光照射有轻微散射；YAP:Mn晶体为橙黄色，晶体尺寸为Φ25.6×47 mm，无可视缺陷，以氦氖激光照射无散射。不同金属离子进入YAP晶格会产生不同的色心，在宏观上表现为晶体颜色的变化。这些色心同时对晶体的光学性质有着巨大的影响。CeYAG晶体应该如何退火？
（4）生长参数：根据Ir坩埚的尺寸以及热场条件，通过观察YAP熔体对流状态，本论文选择晶体转速为10-20RPM；考虑到Ce离子在YAP晶体中的分凝系数较大（约为0.5）和晶体的尺寸（Φ55mm），实验中选用了1-2mm/h的提拉速度。
（5）生长流程：装炉→抽真空→充气→升温化料→烤晶种→下种→缩颈→生长→提拉→降温→取出晶体进行退火。
在装炉时，为了保证炉体内径向温度轴对称分布，线圈中心、石英管中心、坩埚中心及籽晶中心应该保持一致。
为了保护铱坩埚，减少铱金损耗，我们先将炉膛抽真空至气压约为10-3Pa，然后充高纯氩气或氩氢混合作为保护气氛，炉内气压约为0.025Mpa。开中频电源升温至原料全部熔化，在此过程中打开晶转，以使炉内温度分布均匀。待原料全部熔化后，仔细观察熔体液流状态，准备下种。条件允许情况下，可适当提高炉内温度，使原料保持过热状态一段时间，通过自然对流使熔体进一步混合均匀。下种前调整功率，使熔体温度在晶体熔点附近(1875oC左右)，并保持恒温，同时缓慢下降籽晶到液面附近。观察液流线流动情况，并在固液界面附件进行烤种约30分钟之后，将籽晶与熔体接触，并连续观察籽晶变化，使保持籽晶既不熔掉又不长大半小时左右，并且光圈亮度保持稳定。 Ce:YAP晶体生长原料需要哪些？内蒙古CeYAP晶体哪里买
Ceyap晶体哪家公司长？河北专业生长CeYAP晶体
生长Ce: YAP 晶体时，我们主要通过适当改变转速和改变腔结构来调节温场。保温罩设计成不同高度的模块，生长时不同高度的保温罩可叠加组合，同时保温罩盖也设计成不同口径。由于部分晶体等径结束后采用快速提拉脱离液面，晶体底部保留了比较完整在固液界面状况。为了方便比较，可定义固液界面锥度为 tgθ，
1．初始情况，晶体固液界面的锥度 tgθ= 0.81
2．保温罩高度增加20%，晶体固液界面的锥度增加 tgθ= 0.96
3．保温罩盖直径减小20%，晶体固液界面的锥度减小 tgθ= 0.51
4．晶体转速增加20%，晶体固液界面的锥度略变小 tgθ= 0.78
结果说明，在本Ce: YAP 晶体生长时，保温罩盖口径对温场影响比较大，主要原因是口径增加使腔内气体与外界对流增大，带走大量热量，**终影响固液界面。同样增加保温罩高度也有类似效果，但由于气流受开口限制，带走的热量相对比较少。我们用10mW绿光激光器测试了不同条件下生长Ce: YAP 晶体的散射情况，发现固液界面的锥度为0.8左右时，晶体的散射光路**少。同时我们发现晶体下半部分的光学质量会略优于上半部分，主要是由于晶体在生长过程中不断旋转，有一个搅拌过程，使原料更加均匀；并且液面下降后，坩埚露出液面部分起了后热器的作用。 河北专业生长CeYAP晶体
