1.1.1 Ce: YAP晶体的退火刚出炉的Ce:YAP单晶体，由于在其内部存在较大的热应力，所以在加工过程中容易开裂，提拉法生长的晶体较为明显；同时由于铈离子存在不同价态（Ce2+,Ce3+ 和Ce4+），在高温闪烁晶体中，充当发光中心的却只有三价的铈离子(Ce3+)，因此不同的退火工艺条件对高温闪烁晶体的闪烁性能具有重要的影响。
对于空气退火，退火温度为1000~1600oC，恒温时间20－30小时不等，1200 oC以下升/降温速率为50－100oC/h，1200 oC以上升/降温速率为30－50oC/h。所用装置为Si－C 或Si－Mo棒马弗炉。
对于流动氢气退火，退火温度为1200－1600oC，恒温时间为20－36小时，1200 oC以下升/降温速率为50－100oC/h，1200 oC以上升/降温速率为30－50oC/h。
本论文系统研究了不同气氛退火气氛和温度对Ce: YAP和Ce: YAG等高温闪烁晶体的光学及闪烁性能的影响。具体的实验条件及其对晶体闪烁性能影响的实验结果分别见下列各章节中。 CeYAP晶体是感应炉生长的吗？吉林CeYAP晶体成本价
530nm 发射波长在475K 退火后增强，说明退火过程中存在 Mn3+ 得到电子转化成 Mn2+ 的过程：Mn3+ + e = Mn2+，该过程与TSL 谱中459K 处发光有关。在550K 退火后，Ce3+ 离子在485nm左右的发光峰增强了近一倍，说明TSL 谱中507K 峰主要与Ce4+ 电子转化成Ce3+ 有关，即：Ce4+ + e = Ce3+。从550 K开始，更多的Mn5+离子开始转变成Mn4+ 离子，产生位于约675 K的热释光峰。当加热到700 K时，几乎所以Mn5+ 离子色心都被消除，晶体回复到辐照前的颜色。因此700K 退火后，XEL谱中 714nm 处的Mn4+离子明显增强。海南CeYAP晶体量大从优Ce:YAP和Ce:YAG高温闪烁晶体的区别？
式中的Z表示闪烁体的有效原子序数。通常要求闪烁晶体对入射辐照具有大的吸收系数，例如对断层扫描技术来说，采用吸收系数大的材料制造探测器，不仅可使探测器尺寸紧凑，而且能改善其空间分辨率。空间分辨率对核物理和高能物理实验用的探测器特别重要。
有时候也采用质量吸收系数μm＝μ/D（D**密度）来代替线性吸收系数μ。因为质量吸收系数和材料的晶体结构及相没有关系。
闪烁体的有效原子序数通常由下式进行计算：
Z = (1.10)
上式(1.10)中的Wi为组成晶体的原子i的重量百分含量，Zi为组成晶体原子i的原子序数。
入射到晶体中的光子、电子（或正电子）在晶体中穿过一定距离后，其能量下降到原来的1/e，这个距离称为该晶体的辐射长度（通常用X0表示）。它表征着闪烁体对射线的截止本领。从上述定义可以得出：
X0=1/μ
（4）生长参数：根据Ir坩埚的尺寸以及热场条件，通过观察YAP熔体对流状态，本论文选择晶体转速为10-20RPM；考虑到Ce离子在YAP晶体中的分凝系数较大（约为0.5）和晶体的尺寸（Φ55mm），实验中选用了1-2mm/h的提拉速度。
（5）生长流程：装炉→抽真空→充气→升温化料→烤晶种→下种→缩颈→生长→提拉→降温→取出晶体进行退火。
在装炉时，为了保证炉体内径向温度轴对称分布，线圈中心、石英管中心、坩埚中心及籽晶中心应该保持一致。
为了保护铱坩埚，减少铱金损耗，我们先将炉膛抽真空至气压约为10-3Pa，然后充高纯氩气或氩氢混合作为保护气氛，炉内气压约为0.025Mpa。开中频电源升温至原料全部熔化，在此过程中打开晶转，以使炉内温度分布均匀。待原料全部熔化后，仔细观察熔体液流状态，准备下种。条件允许情况下，可适当提高炉内温度，使原料保持过热状态一段时间，通过自然对流使熔体进一步混合均匀。下种前调整功率，使熔体温度在晶体熔点附近(1875oC左右)，并保持恒温，同时缓慢下降籽晶到液面附近。观察液流线流动情况，并在固液界面附件进行烤种约30分钟之后，将籽晶与熔体接触，并连续观察籽晶变化，使保持籽晶既不熔掉又不长大半小时左右，并且光圈亮度保持稳定。 有CeYAP成品检测报告吗？
实验中使用的激发源脉冲为激光装置发射的波长为 266nm(属于260～300nm宽带谱内)、半宽约为 30ps 的激光信号，在此实验中可视为 δ(t)函数脉冲。由激光激发 Ce: YAP 闪烁晶体所产生的荧光由 GD40 光电管测量，再由长度约3m的高频同轴电缆传输，***由高频数字示波器记录。GD40光电管是一种没有电子增益的光敏器件，其响应脉冲半高宽约为300ps；3m长的syv-50-5型同轴电缆经高频网络分析仪测量，其带宽大约为 1．95GHz；Tektronix公司生产的TDS系列的数字示波器的带宽为1GHz。总之，整个测量系统的总带宽约为1GHz，等效上升时间约为350ps，所以修正量很小，可以从示波器上记录的脉冲波形直接求得闪烁体的光致激发荧光衰减常数铈钇铝石榴石(TGT)闪烁晶体的缺陷及其对晶体发光性能和闪烁时间的影响。湖南加工CeYAP晶体订做价格
Ce:YAP闪烁晶体的性能如何？吉林CeYAP晶体成本价
不同浓度Ce: YAP的荧光光谱，在可见光激发下（300nm），不同浓度Ce: YAP 的荧光强度先随浓度增加直到0.5at%，当浓度为1.0at% 时，已出现浓度淬灭，发光强度开始下降。如4-7所示，在X射线激发下相同厚度（5mm）的Ce: YAP晶体随浓度增加发光强度先增加后减小，且峰位也存在红移，其中0.3at% 发光强度比较大。由于光致激发时受激和发射过程都发生在样品表面，自吸收对光致发光基本没有影响。在高能射线激发下，晶体在多次离化过程后，在内部产生大量电子空穴对，电子空穴对再把能量传给发光中心，发光过程基本在晶体内部发生。联系Ce: YAP晶体透过谱的结果，由于吸收峰与发光峰存在重叠，高能射线激发发光受自吸收的影响会比较明显。把晶体的透过谱和光致激发谱相乘，发现不同样品的结果均与对应的X射线激发发射谱相重合，表明Ce: YAP样品在X射线激发下发射峰随厚度或浓度增加产生的红移基本是由自吸收造成的。 吉林CeYAP晶体成本价
