1提拉法生长的一般概述提拉法是Czochralski于1918年提出的一种晶体生长方法，所以也称Czochralski法（Cz法）。Cz法是从熔体生长单晶**常用的，也是目前应用**为***的单晶生长方法之一[61]。图2 1给出射频感应加热提拉法生长示意图。图2 1射频感应加热提拉法生长晶体示意图其工艺原理是：将预先合成的多晶料块装入坩埚中，并放入生长炉内，通过射频感应线圈加热到原料熔点之上后，致料块完全熔化成熔体，在坩埚的上方有一根可以旋转和升降的提拉杆，杆的下端带有一个夹头，其上装有籽晶，然后降低提拉杆，使籽晶插入熔体中，只要温度合适，籽晶既不熔掉也不长大，然后缓慢的向上提拉和转动晶杆，同时缓慢的降低加热功率，籽晶就逐渐长粗，小心的调节加热功率，就能得到所需直径的晶体。退火对3at%Tm:YAP晶体的影响大吗？生长TmYAP方法
1.1 Tm:YAP晶体的热导率由于Tm3+激光器是准三能级激光器，因而热学性质对其激光性能有较大影响，本实验中我们对1at%、3at%、4at%、5at%浓度b方向及4at%浓度a、b、c方向Tm:YAP晶体进行了热导率测试根据所测得热导率数值可得出以下结论：（1）1at% Tm:YAP热导率与报道纯YAP晶体热导率（11 W·m-1·K-1）接近，随着掺杂浓度增加，热导率明显降低，5at%浓度*有1at%一半多一点，因此高掺杂浓度Tm:YAP晶体将会增大泵浦阈值，并且不利于大能量激光输出的实现。（2）随温度升高热导率降低，当温度升高到150℃时热导率比室温下降低25%左右，在激光实验中必须对Tm:YAP激光晶体进行有效的冷却以提高激光效率。（3）Tm:YAP晶体b轴方向热导率略大于其它两个方向，三个方向热导率随温度变化一致。专业抛光TmYAP现货Tm:YAP晶体如何生长？
Tm:YAP晶体的常温荧光谱及荧光寿命3at%Tm:YAP的不同方向偏振荧光特性如图4-10所示。在2mm波段Tm:YAP有比较宽的发射带（1600nm-2150nm），有利于实现调谐激光输出，而E//a发射谱在1940nm处具有**强发射峰。1at%、3at%、5at%和15at%浓度Tm:YAP的E//a偏振荧光光谱，随着浓度的增加，1.4mm对应3H4→3F4跃迁发射峰强度明显减弱，而1.9mm对应3F4→3H6跃迁发射峰强度先增大而后减小，15at%Tm:YAP*有微弱发射峰，说明随Tm3+浓度增加， 3H4+3H6→3F4+3F4交叉弛豫增强，当浓度增大到一定值时，Tm3+容易形成Tm3+团簇而出现浓度淬灭。
Tm:YAP晶体生长、光谱和激光性能研究。采用提拉法成功生长了1at%、3at%、4at%、5at%及15at%浓度Tm:YAP晶体，晶体均具有高光质量、无宏观缺陷。通过XRD、ICP测试手段，对晶体结构及分凝特性进行了分析，并通过激光脉冲法对晶体热导率进行了测试，结果显示Tm:YAP晶体热导率随掺杂浓度增大而明显减小。测试并分析了不同浓度Tm:YAP晶体的吸收和荧光性质以及其温度依赖特性，高浓度掺杂晶体表现出荧光淬灭现象。不同浓度的偏振荧光光谱显示在1934nm5at%浓度E//a方向具有比较大发射截面4.5×10-21cm2，并且具有宽且平坦的发射峰。根据吸收光谱计算了Tm:YAP晶体JO参数：Ω2＝0.8×10-19cm2，Ω4＝1.6×10-19cm2，Ω6＝1.1×10-19cm2，均方根偏差1.51×10-22cm2，并根据吸收与发射的交叠积分计算了Tm:YAP中能量交叉弛豫参数CD-A=1.53×10-40cm6/s，能量交叉弛豫半径为6.2Å，施主与施主离子能量转移参数CD-D=2.48×10-39cm6/s。对3at%、4at%及5at%浓度Tm:YAP晶体进行了激光性能的测试。其中4at%Tm:YAPc向样品在泵浦功率为24W时，实现比较好的激光输出，最大功率8.1W，比较大斜效率达42%，激光输出波长为1.935mm。Tm:YAP晶体光谱参数及能量转移参数计算方式？
钒酸盐晶体一般是单光轴的四方晶体。激光输出是定向的，可以输出线偏振光。由于其低对称性，掺杂钒酸盐一般具有相对较大的吸收截面和发射截面。例如，Tm:YVO4的吸收截面是Tm:YAG的5倍以上，发射截面略大于tm3360 YAG。但其激光上能级寿命比掺杂YAG短得多，而Tm:YVO4只有Tm:YAG的十分之一，这是有限制的，从热力学性质来说，Tm:YVO4热导率低，在激光工作时容易爆裂，虽然Tm:GdVO4的热导率与Tm:YAG相近，但比Tm:YVO4更难生长，法皇冠生长的Tm:GdVO4存在色心等缺陷。Higuchi M等利用浮区法种植不同浓度的Tm:GdVO4。虽然这种晶体有很高的光学质量，但它的尺寸很小，所以它经常被用来开发微芯片激光器。2m激光对Tm:YVO4的实验研究大多集中在90年代。1992年，Saito H .等人在平行于c轴泵浦a方向5%Tm:YVO4晶体的797nm处取ti: sapphire的偏振方向，获得了1.94m的激光输出，输出功率为48mW，斜率效率为25% [42]。1998年，Bourdet G L等人对Tm:YVO4微芯片激光器进行了一系列的理论和实验研究，获得了高效率的激光输出，并在1mm厚的晶体中实现了单模输出[44]。近年来，掺入Tm3360YVO4的Tm3360YVO4激光晶体由于具有相似的光谱特性和优异的热性能，成为另一个主要研究对象。Tm:YAP晶体的热导率应该是多少？贵州抛光TmYAP
Tm:YAP晶体能级结构图有吗？生长TmYAP方法
收尾工艺晶体生长到一定长度后进入收尾阶段，由于YAP晶体热膨胀系数各向异性，直接把晶体提脱液面会造成温场波动足以使晶体开裂，所以我们要升温将晶体尾部逐渐融化至直径缩小到10mm，升温速率要大于放肩时的降温速率，然后再以很大速率冷却至室温，生长结束。在提拉法中，**常用的加热方法是电阻加热和射频感应加热。坩锅材料的熔点必须比工作温度高出200℃左右。常用的坩锅材料为铂、铱、钼、二氧化硅或其他高熔点氧化物。粗略地说，铂、铱和钼主要用于生长氧化物或碱金属、碱土金属的卤化物晶体，而石墨、二氧化硅或其他高熔点氧化物主要用于生长半导体晶体或金属晶体。石墨和钼不能在氧化气氛下使用，铱可在弱氧化气氛下使用，其他材料则不受气氛的限制。单晶生长的驱动力来自于固液界面处形成的温度梯度（即过冷度），这主要是靠调节加热功率、保温装置以及循环水冷却系统等来实现的 生长TmYAP方法
