因此，有一个空穴在内壳层的原子(A+)的弛豫过程是一个无辐射跃迁和辐射跃迁的层叠过程，其所需时间一般为10-13到10-15 s。
一个在离化过程中产生的自由电子在固体中运动时将离化一个原子A，可以下式表示：
A + e → A+ + 2e
在这个离化过程发生以后，导致离化的自由电子和在这个离化过程中产生的自由电子在本质上是难以区分的。这些二次离化事件的产物即上述离化过程产生的两个电子可以导致第三次离化，第四次离化，等等，从而导致产生电子和空穴的雪崩过程。这样的一个层叠离化过程将持续到产生的电子和光子不能产生进一步的离化为止。快电子通过与原子中电子进行非弹性散射的方式损失能量，因此闪烁过程的第二个阶段可以被称为电子－电子弛豫。这个阶段的**终产物是在晶体中的低能电子激发：导带电子，价带空穴，芯带和价带激子。随着初始电子的能量不同，电子－电子的弛豫时间一般为10-15-10-13 s。 。Ce:YAP晶体在662 kev-射线(137 cs源)辐照下的能量分辨率为4.38-5.5%。福建CeYAP晶体现货
(1) 电子空穴对的产生
假定一个具有中等能量(小于0.1 MeV)的X射线或者Gamma射线量子同一个闪烁体或者任何凝聚态物质相互作用，在这种情况下，光电效应占据主导地位，并将在一个原子的内壳层（通常是K层）产生一个空穴和一个自由或准自由电子。这个过程可以表示为固体中某个原子A的单离化反应:
A + hν → A+ + e
此处hν**被固体完全吸收的入射光量子的能量，产生的初级电子的能量等于hν – Ek, 此处Ek是原子A的K电子层能量 （对于在NaI和CsI晶体中的I原子，Ek约等于33 KeV）。
闪烁过程的第二个阶段是**复杂也是**多种多样的。空穴和电子的弛豫过程是不同的。一个内壳层被离化的原子(A+)可以通过辐射跃迁发射一个光子进行弛豫也可以通过产生一个二次电子（俄歇电子）进行无辐射弛豫。通常，无辐射衰减的概率远大于辐射衰减的概率。俄歇电子和初级电子一样也通过散射电子和发射声子的方式损失能量。原子内壳层中电子能级之间辐射跃迁的能量一般和X射线的能量相当。这个二次X射线光子可以被另一个原子吸收产生一个新的深空穴和自由电子。结果，空穴从原子(A+)的K层跑到L或M层，然后参与弛豫过程的下一步。 加工CeYAP晶体方法有观点认为YAP晶体的本征紫外发光中心与反位缺陷YAl3+有关.
无机闪烁晶体的光输出主要与晶体的组成结构（β，Eg），电子空穴对到发光中心能量传递效率及发光中心的量子效率（α）有关。
NaI:Tl闪烁晶体具有比较大的光输出（约为48，000Ph/MeV）。将其它无机闪烁晶体的光输出与NaI:Tl晶体的光输出进行比较，所得的相对值（%NaI(Tl)）称作“相对光输出”。通常采用相对光输出来表征无机闪烁晶体的光输出。
（3）密度，线性吸收系数，质量吸收系数，有效原子序数，辐射长度，Moliere半径[7-9]。
在高能伽马射线探测应用中，高密度的无机闪烁晶体经常被用到。因为晶体密度高可以减少探测器的尺寸。
当强度为J0的入射辐照通过厚度为x的材料时，出射辐照的强度J可近似地表示为：
J=J0exp(-μx) (1.8)
其中μ为线性吸收系数。对于伽马射线而言，它们主要和固体中的电子相互作用，此时μ主要决定于固体中的电子密度ne和一个电子的吸收截面σe，所以线性吸收系数还可以表示如下：
μ= = (
1.1.1 Ce: YAP晶体生长原料准备将Al2O3(99.95%)，Y2O3(99.999%)和CeO2(99.99%)等高纯初始原料在空气中进行灼烧10－20小时以除去吸附水及其它的杂质，灼烧温度为1000oC。然后将灼烧的上述高纯原料按下列方程式(3.4)进行准确称量共3800－4000克。
(3.4)
其中x为熔体中铈原子的摩尔百分数，我们取x= 0.3%。晶体中铈离子浓度约为熔体浓度的一半(Ce3+在YAP晶体中的分凝系数约为0.5)。将称量好的原料在混料桶中连续混12小时以上。将混和均匀的原料在液压机下压成Φ100×30mm和Φ65×30mm的料饼，将压好的料饼放入刚玉坩埚中在空气气氛，1200oC温度烧结约10小时，烧结好的原料应放入干燥箱备用。 无机闪烁晶体的闪烁机理是什么？
（4）生长参数：根据Ir坩埚的尺寸以及热场条件，通过观察YAP熔体对流状态，本论文选择晶体转速为10-20RPM；考虑到Ce离子在YAP晶体中的分凝系数较大（约为0.5）和晶体的尺寸（Φ55mm），实验中选用了1-2mm/h的提拉速度。
（5）生长流程：装炉→抽真空→充气→升温化料→烤晶种→下种→缩颈→生长→提拉→降温→取出晶体进行退火。
在装炉时，为了保证炉体内径向温度轴对称分布，线圈中心、石英管中心、坩埚中心及籽晶中心应该保持一致。
为了保护铱坩埚，减少铱金损耗，我们先将炉膛抽真空至气压约为10-3Pa，然后充高纯氩气或氩氢混合作为保护气氛，炉内气压约为0.025Mpa。开中频电源升温至原料全部熔化，在此过程中打开晶转，以使炉内温度分布均匀。待原料全部熔化后，仔细观察熔体液流状态，准备下种。条件允许情况下，可适当提高炉内温度，使原料保持过热状态一段时间，通过自然对流使熔体进一步混合均匀。下种前调整功率，使熔体温度在晶体熔点附近(1875oC左右)，并保持恒温，同时缓慢下降籽晶到液面附近。观察液流线流动情况，并在固液界面附件进行烤种约30分钟之后，将籽晶与熔体接触，并连续观察籽晶变化，使保持籽晶既不熔掉又不长大半小时左右，并且光圈亮度保持稳定。 不同厚度Ce:YAP晶体自吸收比较。江西专业抛光CeYAP晶体订做价格
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