***．比较了不同价态离子掺杂对Ce:YAP晶体自吸收的影响，结果发现两价离子对Ce:YAP晶体闪烁性能有很强的负面影响，四价离子则对晶体部分闪烁性能的提高有一定帮助。还研究了Mn离子掺杂对Ce:YAP晶体性能的影响。第二．用温梯法生长了直径为110mm的大尺寸Ce:YAG闪烁晶体，晶体具有良好的外形和光学性质。研究了不同温度和气氛等退火条件对Ce:YAG（TGT）闪烁晶体发光效率的影响，发现1100℃氧气退火对提高晶体的发光强度具有比较好效果。并初步分析了Ce:YAG（TGT）闪烁晶体存在的缺陷以及其对发光性能和闪烁时间的影响。第三．测试了大尺寸Ce:YAG闪烁晶体的相对光输出、γ射线灵敏度与DD中子灵敏度、γ射线相对能量响应等性能，结果表明温梯法生长的Ce:YAG晶体在高能射线和中子探测方面具有较大的应用价值。CeYAG晶体具体有什么作用的？江苏CeYAG晶体厂家报价
Ce:YAP晶体中Ce3离子5d4f跃迁对应的荧光光谱为330 ~ 400nm之间的一个带，其峰值约为365 ~ 370nm。Ce3的光致发光强度以单指数形式衰减，其衰减常数在室温下约为16 ns[73]。高能射线和粒子激发产生的闪烁光衰减常数远大于16ns，一般在22-38 ns之间，也有慢成分和强背景[8][70]，如图1-5 [8]。这主要是由于Ce3离子中心电荷载流子的延迟复合。此外，Ce:YAP晶体的吸收光谱和荧光光谱受不同的生长方法和不同的后热处理工艺的影响很大。这主要是由于不同性质的色心的存在和ce离子的价态(Ce4对Ce3有猝灭作用[59])。因此，不同生长方法得到的Ce:YAP晶体的闪烁特性会有所不同。Baryshevsky等人【72】研究了直拉法和真空水平区熔法生长的YAP和Ce:YAP晶体的光谱特性，提出了这两种方法中的色心模型真空气氛中生长的晶体的色心是电子俘获色心，即F(VO 2e)和F (VO e)。直拉法的色心类型主要是空穴俘获色心，即Vc2-(Vc h)和Vc-(Vc 2h)，出现在(f -VC-)的构型中，如下图所示。下图所示光子频率为 1=277 nm， 2=410 nm， 3=602 nm， 4=666 nm， 5=520 nm， 6=615 nm， 7=333 nm。天津CeYAG晶体Ce:YAG具有快衰减（80ns）以及在530nm发射荧光，发光波长与硅光电二极管的探测灵敏区匹配.
我们采用温梯法生长了Ce:YAG 晶体，原料采用高纯 Y2O3 (5N), CeO2 (5N) 和 Al2O3 (5N) 粉末，按照化学式 (Y0.997Ce0.003)3Al5O12 配料。生长方向 <111>，高纯 Ar 气氛，具体生长方法见第二章所述。如图 5-1，生长的晶体尺寸为Φ110×80mm，呈黄黑色，主要是由发热体质量欠佳造成的碳挥发物引起的。晶体*在放肩部位有两处小裂纹，外形绝大部分保持完整。生长出来的晶体经过高温空气退火 24 小时后，黑色基本消失。图 5-2 为晶体切片样品，样品经空气退火后加工，从图可见在晶体的中心位置仍有少量黑色物质，中心部分的碳污染无法消除说明退火不充分，经再次空气退火可完全消除。由应力仪下观察的结果（图 5-3）来看，晶体中无明显应力，也没有因小面生长现象而产生的**，说明晶体生长过程中固液界面较平。
Ce:YAG高温闪烁晶体除了具有表1-11所列的闪烁性能外，还具有较好光脉冲区分γ射线和α粒子的能力，能与硅光二极管有效耦合，耐高温不潮解，可以应用于极端条件下[100]-[102]。因此，Ce:YAG与硅光二极管耦合做成的闪烁探测器可以广泛应用于低能γ射线，α粒子等轻带电粒子探测等核物理的实验中[100][101]。另外，Ce:YAG单晶片还可以用作扫描电子显微镜的显示元件，在大规模集成电路的检测方面有着重要的广阔的应用[107]。另外，与CsI:Tl闪烁晶体相比，Ce:YAG闪烁晶体在小于500Kev能量范围其γ响应小，光衰减快，不潮解等，因此可望部分取代CsI:Tl闪烁晶体的应用，表1-11比较了Ce:YAG和CsI:Tl闪烁晶体的主要闪烁性能哪里可以采购到CeYAG晶体？
研究Ce:YAG闪烁晶体中Ce离子分布特征，对研究YAG闪烁晶体的性能及其应用具有重要的现实意义。值得注意的是，优良高温闪烁晶体Ce:LSO和Ce:LuAP也同样遭遇铈离子发光中心分布不均匀的问题。所以，研究Ce离子在YAG晶体中的分凝问题对其它高温闪烁晶体的研究具有借鉴作用。另外，由于Ce离子分凝系数小，通常在提拉法生长Ce:YAG晶体的后期往往会产生组分过冷而严重影响了Ce:YAG晶体的质量。因此，探索其它的高温闪烁晶体的制备方法也具有重要的意义Cz-Ce:YAG的主要缺陷是什么？浙江CeYAG晶体供应商家
Ce:YAG闪烁晶体的主要应用在哪里？江苏CeYAG晶体厂家报价
铈离子掺杂的高温闪烁晶体具有高光输出快衰减等闪烁特征，是今后无机闪烁晶体的一个重要发展方向。目前我国对闪烁晶体的研究主要集中在低熔点的闪烁晶体上，而且中科院上海硅酸盐研究所和北京玻璃研究所等单位在BGO，PWO，CsI:Tl，BaF2等晶体的研究和开发上在国际上占有一席之地，为发展我国的无机闪烁晶体产业作了大量的工作。但是，对于具有广泛应用前景的高光输出快衰减高温无机闪烁晶体的研究，在国内尚不成气候，同时也未见详细的报道。为了填补我国在高温闪烁晶体研究领域的空白，本论文选取具有优良闪烁性能的Ce:YAP和Ce:YAG高温闪烁晶体为研究对象，围绕高温闪烁晶体存在的主要问题及其发展趋势，重点开展了提拉法与温梯法生长Ce:YAP和Ce:YAG晶体的研究与表征工作。 江苏CeYAG晶体厂家报价
