在弱还原气氛下生长了Ce:YAP晶体，发现自吸收得到有效***，2mm厚度晶体透过边蓝移近30nm，荧光激发的发光强度提高了50%以上。同时研究了还原气氛生长对Ce:YAP晶体其他闪烁性能的影响。3．生长了不同价态离子掺杂的Ce:YAP晶体，以研究电荷补偿效应对Ce4+离子的***作用。结果发现两价离子对Ce:YAP晶体闪烁性能有很强的负面影响，四价离子则有于助提高晶体的部分闪烁性能。4．研究了Mn离子掺杂对Ce:YAP晶体性能的影响。发现YAP基质中Ce，Mn之间存在明显的能量转移过程。由于存在Ce3+离子的非辐射跃迁，Ce,Mn:YAP的衰减时间的快慢成分均变为原来的一半，其中快成分为10ns左右，其小尺寸样品可作为超快闪烁体应用。CeYAG晶体脉冲X射线激发衰减时间？贵州CeYAP晶体哪里买
由于过渡金属离子d层电子能级较多，且易受晶场影响，在YAP晶体中可能存在较多吸收带。为了了解过渡金属掺杂对Ce: YAP自吸收可能产生的影响，我们对比了Cu(0.5%), Fe(0.5%)，Mn(0.5%) 等过渡金属掺杂的纯YAP晶体的透过谱。从图4-11可见，Mn掺杂YAP在480nm处有明显吸收峰，Cu 掺杂则在370nm左右存在吸收峰，Fe掺杂YAP并将在下节讨论。我们生长的Ce: YAP 在350nm到500nm范围内不存在额外吸收峰，少量过渡金属离子的存在对吸收只会造成线性叠加影响, 且低浓度吸收并不足以造成Ce: YAP晶体的自吸收，因此过渡金属离子污染造成Ce: YAP吸收带红移可能性不大。同时后面GDMS分析结果也说明我们生长的Ce: YAP 晶体中过渡金属含量均小于 10ppm，对晶体发光影响可以忽略。上海品质优的CeYAP晶体不同气氛生长Ce:YAP晶体透过和荧光谱有什么不同？
Ca2+ 离子掺杂增加了晶体中的Ce4+ 离子和其他缺陷，严重影响了晶体的发光强度和衰减时间。Si4+离子掺质Ce: YAP晶体的XEL谱强度和衰减时间的快成分比Ce: YAP 有所改善，虽然还存在慢成分偏大等问题，但很有可能通过改进生长工艺提高晶体的闪烁性能。联系Zr4+ 的研究结果，4价离子掺杂通常对Ce: YAP晶体的闪烁性能具有改善作用。2价离子掺杂则容易导致Ce:YAP晶体缺陷增加而降低其闪烁性能，因此在生长过程中需要尽量避免2价离子影响。4价Si离子掺杂可能是进一步提高和改善Ce:YAP晶体闪烁性能的一个途径，但目前看，效果不如直接在还原气氛下生长。
闪烁材料的发展历史大致可以分为三个阶段，***个阶段是伦琴射线发现之后，CaWO4作为成像物质初次使用；随后，ZnS材料被克鲁克斯(Crookes)用来探测和记录放射性物质发出的辐射，并被卢瑟福（Rutherford）用来研究α粒子的散射。
第二阶段，随着霍夫施塔特对于NaI(Tl)闪烁材料的研究和发展，一系列纯的和掺杂的碱卤晶体被发现，接着***块Ce掺杂的玻璃闪烁体在五十年代也被发现，在这一阶段发现的闪烁材料中，也包括具有600ps快发光成分的BaF2晶体。
第三个阶段，也就是过去的二十年左右，由于高能物理、核医学成象、地质探测以及科学和工业应用方面的需要，闪烁材料得到了巨大的发展。有关闪烁材料研究的会议也频繁召开。
近几年又出现了一些较新的快闪烁材料如以Zn0为基质的闪烁体，掺Pr氧化物晶体[2,3]，Yb: YAG等[4-6]。其中Zn0 和Yb: YAG 的衰减时间均在1ns以内，但光产额较低，且Zn0 晶体生长难度很大；Pr3+ 由于存在 d-f 跃迁发光，其氧化物晶体的衰减时间比甚至比掺Ce氧化物晶体还快，如Pr: YAG 为17ns，但由于Pr能级复杂，使光产额受到很大影响。**近有报道称掺Ga 的Zn0发光强度有很大提高，且对时间特性影响不大[7]。由于各种原因，这些新闪烁材料离实际应用还有不少路要走。 解决自吸收问题，生长大尺寸的Ce:YAP 晶体对闪烁材料的研究和应用具有重要意义。
1.1.1 Ce: YAP晶体生长过程（1）籽晶的选择：籽晶的方向以及质量直接影响了提拉晶体的质量。对于YAP单晶体而言，由于晶体具有严重的各向异性，b轴的热膨胀系数较a，c轴大得多（a：4.2×10-6 oC-1,b：11.7×10-6 oC-1，c：5.1×10-6 oC-1），容易在生长过程中产生结构应力和相应的热应力，这些热应力还将促使晶体形成孪晶。为了减小这种影响，我们选择了〈100〉，〈010〉，〈001〉〈101〉等各方向的YAP籽晶，籽晶尺寸为Φ8×50mm。
（2）热场的选择：由于YAP晶体热膨胀系数以及热导率的轴向差异性，所以除了选择合适的籽晶外，更重要的是选择合适的温场环境。由于具有钙钛矿结构的YAP晶体的挛晶习性容易显露，为了克服挛晶的形成，需要在固液界面处以及整个生长腔内形成合适的温度梯度。
（3）生长气氛：由于采用中频加热法生长，且主要的保温材料均为高熔点绝热氧化物（ZrO2，Al2O3等），虽然在炉膛内充高纯氩气，但是整个提拉法系统中还是保持弱氧化性，使得Ce4+离子含量增多，研究表明，Ce4+离子对Ce3+离子发光具有猝灭效应。因此在生长过程中，我们通常为惰性气氛生长，并且尝试了弱还原气氛生长，其中惰性气氛为高纯氩气，弱还原气氛为高纯氩和高纯氢的混合气体（2-10%氢）。 Ce:YAP晶体生长过程详细介绍有吗？湖南专业抛光CeYAP晶体
Ce:YAP晶体生长原料需要哪些？贵州CeYAP晶体哪里买
生长Ce: YAP 晶体时，我们主要通过适当改变转速和改变腔结构来调节温场。保温罩设计成不同高度的模块，生长时不同高度的保温罩可叠加组合，同时保温罩盖也设计成不同口径。由于部分晶体等径结束后采用快速提拉脱离液面，晶体底部保留了比较完整在固液界面状况。为了方便比较，可定义固液界面锥度为 tgθ，
1．初始情况，晶体固液界面的锥度 tgθ= 0.81
2．保温罩高度增加20%，晶体固液界面的锥度增加 tgθ= 0.96
3．保温罩盖直径减小20%，晶体固液界面的锥度减小 tgθ= 0.51
4．晶体转速增加20%，晶体固液界面的锥度略变小 tgθ= 0.78
结果说明，在本Ce: YAP 晶体生长时，保温罩盖口径对温场影响比较大，主要原因是口径增加使腔内气体与外界对流增大，带走大量热量，**终影响固液界面。同样增加保温罩高度也有类似效果，但由于气流受开口限制，带走的热量相对比较少。我们用10mW绿光激光器测试了不同条件下生长Ce: YAP 晶体的散射情况，发现固液界面的锥度为0.8左右时，晶体的散射光路**少。同时我们发现晶体下半部分的光学质量会略优于上半部分，主要是由于晶体在生长过程中不断旋转，有一个搅拌过程，使原料更加均匀；并且液面下降后，坩埚露出液面部分起了后热器的作用。 贵州CeYAP晶体哪里买
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