众所周知，钇铝石榴石(Y3Al5O12或YAG)单晶体是优良的激光基质材料以及光学衬底材料，例如，Nd:YAG和Yb:YAG激光晶体已经广泛应用于工业、**医疗、以及科研等领域。特别是近二十年来，随着LD泵浦固体激光器的迅猛发展，国际上对Yb:YAG激光晶体又掀起研究高潮，出现了大量的文献报道[94][95]。早期为了发展可调谐激光晶体，人们研究了Ce:YAG晶体的光学特性，由于存在严重的激发态吸收，使得Ce:YAG的研究停滞不前[96][97]。尽管1967年，Blasse已经发现Ce:YAG荧光粉[98]具有优良的闪烁性能，但是对其单晶的研究并没有受到足够的重视。一直到1992年[99]，Ce:YAG晶体才被提出用作闪烁材料而引起人们的兴趣。接着，Moszynski[100]和Ludziejewski[101]等人分别于1994年和1997年对Ce:YAG晶体的闪烁性能进行了较为系统的研究，并指出Ce:YAG晶体具有优良的闪烁性能。Ce:YAG具有快衰减以及在550nm发射荧光，使得它可以应用于中低能量γ射线α粒子的探测等领域[102]。目前，Ce:YAG高温闪烁晶体业已商品化，主要用于扫描电镜（SEM）的显示部件，其生长方法主要为提拉法。
另外，近年来， Ce:YAG单晶薄膜荧光屏[103]，以及Ce:YAG陶瓷[104][105]等闪烁体由于有其独特的优势也备受人们的关注。 有Ce:YAG 晶体在径向不同位置的红外吸收谱图吗？辽宁生长CeYAG晶体
生长Ce:YAG高温闪烁晶体的生长设备如上节所述。保温装置如图2-3所示，装置中铱坩埚尺寸为Φ80×50mm，壁厚3mm。与生长Ce:YAP晶体的保温装置相比，生长Ce:YAG晶体的保温装置具有较大的温度梯度。
因为YAG晶体为立方晶系，具有各项同性，而且其热导率较大，采用较大的温度梯度生长YAG晶体，一般不易在晶体内部产生热应力。而且，由于Ce离子在YAG晶体中的分凝系数很小(约为0.08左右)[112]，所以在晶体生长后期容易出现组分过冷，为了克服这种组分过冷，也常常需要在固液界面处采用较大的温度梯度，因此，我们采用如图的保温装置生长了Ce:YAG高温闪烁晶体。 甘肃质量好CeYAG晶体Ce:YAG晶体作为闪烁材料引起人们的注意则是在1992年[81]。
（2）能量分辨率高，γ/α射线响应好[75] [77][82]。Ce:YAP晶体在662kev的γ-射线(137Cs源)辐照下，其能量分辨率达到4.38-5.5%，如果扣除光电子统计涨落对其影响，Ce:YAP晶体的本征能量分辨率约为1.3-3.4%，这是现有闪烁材料中具有比较好能量分辨率的材料之一[77][82]，另外，对于22Na及241Am作为辐射源，YAP:Ce同样对其发出的γ-射线有很好的能量分辨率[77]。由于Ce:YAP闪烁晶体具有较大的康普顿吸收截面和较低的K吸收边能量（如图1－8所示[75]），使得在20-3,000KeV能量范围内晶体对能量依赖性小[75]，低γ能量处比例性好[82]。
在能量E=7687kev的α-粒子（226Ra源）辐射下，Ce:YAP晶体的能量分辨率为2.5%。在其它几个峰也低于3%，因此YAP:Ce对于α-粒子的探测在一个相当大的能量范围内线性响应。同时，Ce:YAP闪烁晶体区分α粒子和γ射线能力强（光输出比α/γ约为0.3），可以广泛应用于轻重粒子的探测领域中[77]。
除了熔点温度高（1970oC）外， Ce:YAG晶体中存在的主要缺点是Ce离子在晶体中的分布不均匀，主要是由于Ce3+(0.118nm)和Y3+(0.106nm)离子的半径相差较大，其分凝系数较小（~ 0.1）造成的。发光中心分布在晶体中分布不均匀将会导致探测元件闪烁性能的差异，在一定程度上降低了闪烁探测器的整机性能。
研究表明[101]，Ce:YAG晶体的闪烁性能对Ce3+离子浓度有较强的依赖关系。下列图表分别表示了Ce:YAG闪烁晶体的光输出和衰减常数(快成分与慢成分)随Ce离子的浓度的变化关系。从表1-12中可以看出随着浓度的增加（0.012%-0.21%），Ce:YAG晶体的光输出增大（1000－1420phe/Mev），当浓度继续增加到1.08%时，其光输出又减小为1270phe/Mev。 Ce:YAG闪烁晶体有什么光学性能？
铈离子掺杂氟化物闪烁晶体
一般来说，纯氟化物晶体的闪烁机制通常是CVL、STE等闪烁荧光机制，光衰减快，可广泛应用于快速闪烁计数领域。然而，氟化物闪烁晶体的光输出小，发射波长接近紫外，晶体的热力学性质差。为了提高氟化物闪烁晶体的性能，人们对掺铈氟化物闪烁晶体进行了研究。研究表明，在BaF2闪烁晶体中掺杂Ce3离子不但可以有效压制慢成分，提高快衰落光输出，而且可以提高晶体的辐照强度和热力学性能[52]。在LiBaF3晶体中掺杂铈离子也可以大提高晶体的闪烁性能[53]。 Ce:YAG晶体主要运用在哪个领域？110方向CeYAG晶体技术指导
大尺寸Ce:YAG晶体的温梯法生长?辽宁生长CeYAG晶体
Ce3+离子的光谱是由不同宇称的5d－4f跃迁所产生的，所以晶场对光谱具有重要的影响。YAP晶体具有畸变的钙钛矿型结构，属于正交晶系（晶胞参数分别为a=5.176Å, b=7.355Å，c=5.307Å），空间群为－Pnma[66]。在YAP晶格中，Al3+离子占据着钙钛矿型结构中C1格位对称性的B位置，其配位数为8；Y3+离子占据着该结构中C1h对称性的A位置，其配位数为12[73]。当Ce3+离子进入YAP晶格中，Ce3+离子取代具有C1h对称性的Y3+离子。4f1电子组态的Ce3+离子的基态由2F7/2和2F5/2两重态组成，在室温下，1个电子占据基态2F5/2；其5d态在低对称晶场（C1h）作用下分裂成5个子能级。Ce3+离子在YAP晶体中的能级图如1-4所示[67]，其能级重心约为38300cm-1，f-d吸收和发射的斯托克斯频移约为4500cm-1。当电子在5d－4f能级之间跃迁时形成宽带吸收激发以及发射光谱。在180－300nm范围内对应5个吸收带，峰值波长分别为220nm，238nm，275nm，290nm和303nm（一般在图谱上只能观察到后面4个峰值波长），但在其激发光谱上5个激发带都可以分辨（对应370nm发射）。YAP晶体的基本吸收边（禁带宽度）约为7.6eV[73]。辽宁生长CeYAG晶体
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