在电子-电子弛豫过程中，能量损失可以通过产生F心、H心等点缺陷来进行。快电子也可以通过在声子上散射而失去能量，随着电子能量的降低，电子-声子相互作用的概率增大。而且产生的二次电子和光子会从晶体中逸出，造成能量损失。然而，在电子-电子弛豫阶段，这些过程中的能量损失相对于闪烁体中的总能量损失非常小。
两项一般性意见如下：
1.如上所述，快电子在非弹性散射过程中会损失能量。这是文学中常见的表达。但是，能量实际上并没有损失，而是分布到了二次电子激发。闪烁体中真正的能量损失是由以下与闪烁竞争的过程引起的：点缺陷的形成、声子，的产生、二次电子和光子从晶体中逃逸以及长期磷光发射。 铈钇铝石榴石(TGT)闪烁晶体的缺陷及其对晶体发光性能和闪烁时间的影响。内蒙古CeYAP晶体
同浓度Ce: YAP的荧光光谱。在可见光(300纳米)激发下，不同浓度Ce: YAP的荧光强度随着浓度的增加而增加，直到0.5at%。当浓度为1.0at%时，浓度淬灭，发光强度开始降低。如图4-7所示，相同厚度(5mm)的Ce: YAP晶体在X射线激发下的发光强度随着浓度的增加先增大后减小，峰值位置也有红移，其中0.3at%处的发光强度比较高。自吸收对光致发光几乎没有影响，因为激发和发射过程都发生在样品表面。在高能射线的激发下，经过多次电离过程，晶体内部产生大量的电子-空穴对，电子-空穴对将能量传递到发光中心，发光过程基本发生在晶体内部。超薄片CeYAP晶体现货闪烁材料的发展历史可以大致分为几个阶段？。
二次电子或二次电子激发来表示二次、三次等电子、空穴、激子和等离子体。有时为了区分电子激发，能量较高的称为“射线”，而几个里德堡能量(1Ry=13.6 eV)甚至更低的称为“二次激发”。这种雪崩过程一直持续到产生的电子或光子不能产生进一步的电离。一旦电子(空穴)的能量小于电离阈值Et，它就开始与衬底的振动相互作用，这被称为电子-声子弛豫或热化阶段。在热化阶段，电子向导带底部移动，空穴向价带顶部移动。因此，电子-空穴对的能量0终将等于基质晶体的带隙能量Eg。在电子-声子弛豫过程中，电子-空穴对的数目保持不变。由于所有的电离过程0终都会形成电子-空穴对，我们可以假设初始激发的特征信息在长堆弛豫过程中丢失了。因此，0终产生的电子-空穴对Neh的数量与物质吸收的伽马量子的能量E或其他辐射能量成正比。这是产生一对热化电子空穴对所需的平均能量。对于离子晶体，它大约等于其带隙能量Eg的1.5到2.0倍；对于具有主要共价键的材料，例如半导体，它大约等于带隙能量Eg的3到4倍。发射声子损失的能量与基体吸收的总能量之比，对于离子晶体一般大于30%；对于半导体，比例一般大于60%。在许多情况下，无机闪烁体中由于热化而损失的能量占据了总能量损失的主要部分。
Ce: YAP晶体的退火
刚出炉的Ce:YAP单晶由于内部热应力较大，在加工过程中容易开裂，提拉法生长的晶体明显，同时由于铈离子的价态(Ce2、Ce3、Ce4)不同，高温闪烁晶体中只有三价铈离子(Ce3)作为发光中心，因此不同的退火工艺条件对高温闪烁晶体的闪烁性能有重要影响。
对于空气退火，退火温度为1000 ~ 1600，恒温时间为20 ~ 30小时，1200以下升温/降温速率为50 ~ 100，1200时升温/降温速率为30 ~ 50。使用的设备是硅碳或硅钼棒马弗炉
流动氢退火，退火温度1200-1600，恒温时间20-36小时，1200以下升温/降温速率50-100/小时，1200升温/降温速率30-50/小时。 YAP中形成色心的另一可能原因是晶体中存在杂质离子.
我们用8W的紫外灯功率和255nm的波长照射厚度为2mm、浓度为0.3%的Ce: YAP样品。样品辐照时间分别为15、30和60分钟。
从紫外辐射吸收光谱可以清楚地看出，随着辐照时间的增加，Ce: YAP样品的吸收边发生红移，样品在254nm处的吸收系数也相应增加。
退火和辐照纯度对YAP和Fe: YAP晶体吸收光谱的影响
据报道，Fe3和Fe2离子分别在260纳米和227纳米附近有吸收[98，99]，纯YAP在260纳米附近也有吸收。为了了解255纳米附近的吸收峰特性，我们生长并研究了纯YAP晶体和浓度为0.2%的YAP:铁。通过透射率的比较，我们粗略分析了纯YAP和YAP: Fe晶体中可能的色心及其对ce3360ap自吸收的影响。 退火可以改变CeYAP材料中缺陷分布，进而改变材料的热力学和光释光灵敏度吗？加工CeYAP晶体材料区别
Ca2+离子和Si4+离子掺杂对Ce : YAP晶体有哪些影响？内蒙古CeYAP晶体
电子元器件是构成电子信息系统的基本功能单元，是各种电子元件、器件、模块、部件、组件的统称，同时还涵盖与上述电子元器件结构与性能密切相关的封装外壳、电子功能材料等。为进一步推动我国激光晶体，闪烁晶体，光学晶体，光学元件及生产加工的产业发展，促进新型激光晶体，闪烁晶体，光学晶体，光学元件及生产加工的技术进步与应用水平提高，在 5G 商用爆发前夕，2019 中国 5G 激光晶体，闪烁晶体，光学晶体，光学元件及生产加工重点展示关键元器件及设备，旨在助力激光晶体，闪烁晶体，光学晶体，光学元件及生产加工行业把握发展机遇，实现跨越发展。根据近几年的数据显示，中国已然成为世界极大的电子元器件市场，每年的进口额高达2300多亿美元，超过石油进口金额。但是**根本的痛点仍然没有得到解决——众多的有限责任公司（自然）企业，资历不深缺少金钱，缺乏人才，渠道和供应链也是缺少，而其中困恼还是忠实用户的数量。电子元器件加工是联结上下游供求必不可少的纽带，目前电子元器件企业商已承担了终端应用中的大量技术服务需求，保证了原厂产品在终端的应用，提高了产业链的整体效率和价值。电子元器件行业规模不断增长，国内市场表现优于国际市场，多个下**业的应用前景明朗，电子元器件行业具备广阔的发展空间和增长潜力。内蒙古CeYAP晶体
上海蓝晶光电科技有限公司是一家光电技术领域内的技术开发、技术转让、技术服务、技术咨询，销售光电设备及配件、金属材料、五金交电，商务信息。晶体可以整颗出售(根据客户要求，定制晶体浓度)，也可以根据客户要求的尺寸、光洁度加工。另接收来料加工的公司，致力于发展为创新务实、诚实可信的企业。上海蓝晶作为光电技术领域内的技术开发、技术转让、技术服务、技术咨询，销售光电设备及配件、金属材料、五金交电，商务信息。晶体可以整颗出售(根据客户要求，定制晶体浓度)，也可以根据客户要求的尺寸、光洁度加工。另接收来料加工的企业之一，为客户提供良好的激光晶体，闪烁晶体，光学晶体，光学元件及生产加工。上海蓝晶始终以本分踏实的精神和必胜的信念，影响并带动团队取得成功。上海蓝晶始终关注电子元器件行业。满足市场需求，提高产品价值，是我们前行的力量。
