掺铈铝酸钇(Ce: YAP)和钇铝石榴石(Ce: YAG)高温闪烁晶体不jin具有高光输出和快速衰减的闪烁特性(表1-5),而且具有优异的物理化学性能(表1-6)。它们具有密度低、有效原子序数小的缺点,但可以广泛应用于中低能射线和粒子探测领域。Ce: YAP和Ce: YAG是两种典型的高光输出、快速衰减的高温无机闪烁晶体,已经在许多场合得到应用。对它们的生长特性、晶体缺陷和光学闪烁性能的研究,对其他铈离子掺杂的高温闪烁晶体的研究和探索具有重要的参考意义。CeYAP晶体低浓度与高浓度如何区分?广西CeYAP晶体现货
根据Ce: YAP晶体的透射光谱结果,由于吸收峰和发光峰的重叠,高能射线的激发发光明显受到自吸收的影响。将晶体的透射光谱和光致发光光谱相乘,发现不同样品的结果与X射线激发的相应发射光谱相吻合,这表明随着厚度或浓度的增加,X射线激发的Ce: YAP样品的发射峰红移基本相同在0.5at%范围内,随着Ce3离子浓度的增加,Ce: YAP晶体的发光强度会相应增加,但同时由于自吸收引起的透射边红移,实际光输出会降低。高能射线激发的晶体**终发光强度是这两个因素综合作用的结果。福建CeYAP晶体注意事项CeYAG温梯法晶体生长的?
发光中心的激发和发射
闪烁过程的第四阶段可以称为迁移阶段,因为迁移的电子激发并向发光中心转移能量。通过电子空穴对与激子转移能量是可能的。在第一种情况下,通过依次捕获一个空穴和一个电子(电子复合发光)或者依次捕获一个电子和空穴(空穴复合发光)来激发发光中心。比如碱卤晶体中的Tl和Ag主要是通过电子复合发光。
Tl h Tl2,Tl2 e h
但是空穴复合发光也是可能的
Tl e Tl0,Tl0 h h
在无机晶体中,能量通过激子转移到发光中心的几率小于复合发光的几率。一般认为,在辐照过程中,低能激子数小于电子空穴对数。为了形成激子,入射电子(光子)的能量应该正好等于激子的能量
选择无机闪烁晶体时,根据不同的应用需要,一般要考虑的因素包括[9]:
衰减时间;能量转换效率和闪烁光输出;密度、原子序数、拦截功率等。
(1)衰变时间常数
对于只有一种发光中心的闪烁体,当其发光强度根据一阶动力学衰减时,衰减时间常数可以简单地定义为发光强度J(t)衰减到初始发光强度J(0)的1/e时所经过的时间。公式如下:
J(t)=J(0)exp(-t/) (1.2)
上式1.3中的dai表衰减时间常数。对于高计数率的应用,要求闪烁晶体具有快速衰减时间常数。 不同气氛生长Ce: YAP晶体 XEL谱和衰减时间谱?
当强度为J0的入射辐射穿过厚度为为x,的材料时,出射辐射的强度可以近似表示为:
J=J0exp(-x) (1.8)
其中为线性吸收系数。就伽马射线而言,它们主要与固体中的电子相互作用。此时主要取决于固体中的电子密度ne和一个电子的吸收截面e,所以线性吸收系数也可以表示为:
==(1.9)
上式中的z袋表闪烁体的有效原子序数。闪烁晶体通常要求对入射辐射有较大的吸收系数。例如,对于层析成像技术,使用吸收系数大的材料不只可以使探测器尺寸紧凑,还可以提高其空间分辨率。空间分辨率对于核物理和高能物理实验中使用的探测器尤为重要。
有时线性吸收系数被质量吸收系数微米=/d (d袋表密度)代替。因为质量吸收系数与材料的晶体结构和相态无关。 不同气氛生长Ce:YAP晶体透过和荧光谱有什么不同?海南抛光CeYAP晶体
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在40k,由在X-ray激发的纯CsI晶体的能量效率为30%;然而,它的发光效率在室温下非常低,这就是为什么纯CsI晶体难以用于闪烁过程的原因。碱土金属氟化物,如氟化钙、氟化锶等。在室温下,激子发光仍然保持高产率。在这种情况下,我们可以讨论Vk中心在上述反应中亚稳态的作用。因此,离子晶体表现出一种非常有趣的性质,即纯晶体或没有发光中心的晶体可以产生有效的发光。这是因为在辐照过程中,晶体中会产生大量的Vk发光中心。在维克激子发光后,VK中心消失了,水晶恢复了原来的属性。
Vk心脏也可以参与外源(激发剂)发光过程。在室温下,Vk中心通过在相邻位置之间跳跃而在晶体中移动。如果局部空穴跃迁到发光中心的时间小于发光中心俘获电子的时间,那么亚稳态的Vk中心可以参与复合发光过程。 广西CeYAP晶体现货
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