可以假设这种情况存在于NaI: Tl闪烁体中，因为其中Vk中心的迁移时间小于10-7s。另一个模型假设空穴与Vk中心分离，从价带向发光中心移动。由于非局域空穴的高迁移率，这是一种将能量转移到发光中心的快速方法。
闪烁过程的后面一个阶段，即发光中心的发射，已经得到了彻底的研究。我们上面已经提到了一些启动过程。目前发光中心一般分为内在和外在两类。卤化物和氧化物的本征发光主要受自陷激子效应的制约。非本征发光主要取决于激发剂本身的电子跃迁(NaI: Tl，CaF2: Eu)或基质与激发剂之间的跃迁(znse3360te，zns:ag)。而一些所谓的自激闪烁晶体(CeF3，Bi4Ge3O12，CaWO4)处于本征发光和非本征发光的中间状态。 铈钇铝石榴石(TGT)闪烁晶体的缺陷及其对晶体发光性能和闪烁时间的影响。辽宁生长CeYAP晶体
不同退火条件下Ce: YAP晶体自吸收的比较
为了比较不同退火条件下退火对自吸收的影响，我们测量了相同厚度(2mm)和浓度(0.3%)的Ce: YAP晶体在不同温度和气氛下退火后的透射光谱、荧光光谱和XEL光谱。从图4-8可以看出，直拉法生长的Ce: YAP晶体经氢退火后透射边蓝移，自吸收减弱。当进行氧退火时，通过边缘红移增强了自吸收。氢的退火温度越高，自吸收越弱。氧的退火温度越高，自吸收越强。然而，退火温度的上限约为1600。如果温度太高，晶体容易起雾，导致几乎不渗透。 专业加工CeYAP晶体订做价格Ce:YAP晶体生长过程详细介绍有吗？
闪烁材料的发展历史可以大致分为三个阶段。第一阶段是发现伦琴射线后初次使用CaWO4作为成像物质；随后，克鲁克斯使用硫化锌材料探测和记录放射性材料发出的辐射，卢瑟福使用硫化锌材料研究粒子的散射。
第二阶段，随着霍夫施塔特，对NaI(Tl)闪烁材料的研究和开发，发现了一系列纯的和掺杂的碱金属卤化物晶体，然后在20世纪50年代发现了第1个掺铈的玻璃闪烁体。在这一阶段发现的闪烁材料中，还包括快速发光成分为600ps的BaF2晶体。
第三阶段，即在过去的二十年左右，闪烁材料由于高能物理、核医学成像、地质勘探和科学及工业应用的需要而得到了极大的发展。
二次电子或二次电子激发来表示二次、三次等电子、空穴、激子和等离子体。有时为了区分电子激发，能量较高的称为“射线”，而几个里德堡能量(1Ry=13.6 eV)甚至更低的称为“二次激发”。这种雪崩过程一直持续到产生的电子或光子不能产生进一步的电离。一旦电子(空穴)的能量小于电离阈值Et，它就开始与衬底的振动相互作用，这被称为电子-声子弛豫或热化阶段。在热化阶段，电子向导带底部移动，空穴向价带顶部移动。因此，电子-空穴对的能量0终将等于基质晶体的带隙能量Eg。在电子-声子弛豫过程中，电子-空穴对的数目保持不变。由于所有的电离过程0终都会形成电子-空穴对，我们可以假设初始激发的特征信息在长堆弛豫过程中丢失了。因此，0终产生的电子-空穴对Neh的数量与物质吸收的伽马量子的能量E或其他辐射能量成正比。这是产生一对热化电子空穴对所需的平均能量。对于离子晶体，它大约等于其带隙能量Eg的1.5到2.0倍；对于具有主要共价键的材料，例如半导体，它大约等于带隙能量Eg的3到4倍。发射声子损失的能量与基体吸收的总能量之比，对于离子晶体一般大于30%；对于半导体，比例一般大于60%。在许多情况下，无机闪烁体中由于热化而损失的能量占据了总能量损失的主要部分。 怎样才能把CeYAP晶体抛亮？
掺铈铝酸钇(Ce: YAP)和钇铝石榴石(Ce: YAG)高温闪烁晶体不jin具有高光输出和快速衰减的闪烁特性(表1-5)，而且具有优异的物理化学性能(表1-6)。它们具有密度低、有效原子序数小的缺点，但可以广泛应用于中低能射线和粒子探测领域。Ce: YAP和Ce: YAG是两种典型的高光输出、快速衰减的高温无机闪烁晶体，已经在许多场合得到应用。对它们的生长特性、晶体缺陷和光学闪烁性能的研究，对其他铈离子掺杂的高温闪烁晶体的研究和探索具有重要的参考意义。同厚度Ce:YAP晶体自吸收比较。贵州抛光CeYAP晶体
气氛如何生长CeYAP晶体？辽宁生长CeYAP晶体
因此，在吸收伽马量子后的10-10s内，离子晶体包含大量Vk中心和位于导带中的自由电子。Vk心脏在闪烁过程中起着重要作用。轴向弛豫也受到价带激子和(X22-)*分子中空穴组成的影响。对于高能激发，直接形成价带激子的概率比较低，而囚禁的激子可以通过Vk中心俘获自由电子形成。那么处于激发态的被囚禁的激子可以发射光子，这就是所谓的激子发光。这种发光源于导带中的电子和Vk中心之间的相互作用，一个Vke配置的自陷激子。这种发光具有与由晶体中的光致激发形成的阴离子激子发光相同的特征。碱金属卤化物晶体的本征激子发光只在低温下有效，此时空穴自陷形成的Vk中心是不动的。辽宁生长CeYAP晶体
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