PCB设计对芯片的稳定可靠工作至关重要，请遵循以下指南设计以获得比较好的电路工作性能：1.输入陶瓷电容尽可能靠近VIN和GND引脚放置。2.功率回路CIN→L→COUT→GND的走线应该尽可能短和宽以减小回路压降，提高转换效率。3.SW节点的电压波形为高频方波，适当减小SW节点的铺铜可以改善EMI性能，另一方面适当增大SW节点的铺铜可以优化散热性能，可根据实际情况适当折衷考虑。4.FB引脚的走线尽可能远离噪声源，比如SW节点和BST节点。5.输出电压VOUT的采样点靠近输出电容末端放置，且分压采样电阻靠近FB引脚放置。6.VIN和GND的走线和铺铜尽可能宽以帮助散热。在多层板的PCB设计中，推荐为GND引脚设置一个完整的GND层，并在GND层和芯片层间增加足够多的过孔。通过芯片内部数字计数器对振荡周 期的计数，当振荡周期数超过200 次时芯片退出保 护模式并重新开始工作。中国台湾低功耗150V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片库存
输出电容选择：对于常规的5V-100mA规格，输出电容根据实际纹波电压需求选择100uF-220uF即可。假负载选择：需在空载输出电压和待机损耗上折中：即过大的假负载可以压制空载输出上飘电压，但系统待机损耗也随之加大；而过小的假负载则反之。一般而言，芯片系统推荐假负载阻值范围在1-2k范围内(随输出电压调整)，假负载损耗控制在10-15mW左右即可。内集成有4ms(典型值)周期的软启动功能，当芯片***次启动时过流保护阈值逐渐增加，而且每次系统的重新启动都会伴随着一次软启动过程。中国台湾低功耗150V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片库存内部集成的平均电流反馈环路可以确保高输出电流 精度。
如果输出电容在芯片启动时已经处于预偏置电压状态，芯片*在内部参考电压SS 大于反馈电压VFB 后才启动开关，VOUT 开始上升。该预偏置软启动方案保证了芯片输出电压平稳地上升进入稳定状态。集成了输出欠压打嗝保护(UVP) 功能，通过不断监测反馈电压VFB 防止芯片输出过载或短路。如果VFB 低于输出欠压保护阈值(VUVP) (典型值为内部反馈参考电压的65%)，欠压比较器的输出将会置高，以关闭内部高侧和低侧MOSFET 开关管，阻止芯片继续开关工作。
集成了输出过压保护(OVP) 功能，以减小输出电压过冲，并保护下游用电设备免受在输出故障条件或者突减负载时可能出现的高压尖峰的损坏。OVP 电路通过监测反馈电压(VFB) 检测过压条件。当VFB 超过 OVP 阈值 (VOVP) 时，OVP 比较器输出置高，内置高侧和低侧MOSFET 都将关闭，以避免VOUT 进一步升高。一旦VOUT 低于 VOVP，芯片开始再次工作。输出过压保护功能为非锁存功能。IC内部集成了纹波注入电路来模拟输出电压纹波从而实现了在低ESR 的陶瓷输出电容(MLCC) 的低输出纹波条件下的稳定工作。另外，内部还集成了一个斜坡信号产生电路，以减少开关抖动。芯片采用准谐 振开关技术，可获得优越的EMI 性能和较高的系统 效率。
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电感电流的大小由过流保护门限决定，控 制器工作在临界导通模式下，加快了输出电容充电 速度。中国台湾低功耗150V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片库存
同步降压变换器的输出级主要由电感和电容组成，通过内部集成的功率MOSFET管的开关切换，将能量存储并传递给负载，并形成二阶低通滤波器平滑开关节点电压，得到稳定的输出直流电压。本节基于设计实例主要描述详细的设计过程。芯片可以通过使用外部分压电阻连接到FB引脚来设置不同的输出电压。输出电压与外部分压电阻的公式如下：+×=FB(B)FB(T)REFOUTRR1VV其中VREF=0.768V推荐从分压下电阻RFB(B)开始设计。过大的RFB(B)会导致FB引脚更容易收到外界噪声干扰，而过小的RFB(B)会增大分压电阻的功率损耗。综合考虑二者，推荐选择RFB(B)=10kΩ~50kΩ。则分压上电阻RFB(T)可由如下公式计算得到：−×=1REFOUTFB(B)FB(T)VVRR其中VREF=0.768V中国台湾低功耗150V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片库存
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