非隔离BUCK电路是一种电源转换电路，用于将高电压输入转换为较低电压输出。其基本原理是利用功率开关（通常是MOSFET）和电感来控制电流的通断，从而调节输出电压的大小。具体的工作原理如下：1.当开关管处于导通状态时，输入电压通过电感对电容充电，此时输出电压保持较低的水平。2.当开关管处于关断状态时，电感通过自感产生反向电动势，此时输出电压保持较高的水平。3.通过控制开关管的导通和关断时间，可以调节输出电压的大小。当开关管导通时间增加时，输出电压减小；当开关管关断时间增加时，输出电压增大。非隔离BUCK电路的特点是输出电压小于输入电压，输入电流为断续状态，输出电流为连续状态，需要使用输出滤波电感和滤波电容进行滤波。在某些情况下(如重载或者输出短路等)，系统的电 感电流峰值将上升过于剧烈。江西低功耗18V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片加工
高性能、低成本离线式PWM控制功率开关KP3112是一款高性能低成本PWM控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同，KP3112内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。此外，芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。KP3112集成有完备的带自恢复功能的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、输出过压保护、过热保护、过载保护等。主要特点•集成700V高压MOSFET和高压启动电路•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•支持**压输入(>20V)•空载功耗低于100mW•支持比较高30kHz开关频率•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•过温保护(OTP)•封装类型SOT23-5江西大功率外置MOS非隔离BUCK电源芯片样品芯片内置OTP当芯片温度低于 140℃，芯片进入自恢复重启过程。
EN 引脚有一个内部上拉电流源，从而允许用户保持EN 引脚悬空来使能芯片。另外根据实际应用需要，EN 引脚可以接在外部逻辑控制接口上以实现芯片的使能控制。EN 引脚内部集成了一个5V 的稳压二极管(典型的击穿电压为6.9V) 以保护内部电路受到过压风险。在将EN 引脚外接到高于6V的电压比如VIN 电压时，串联加入上拉电阻(不小于100kΩ) 以限制EN 引脚的输入电流，防止损坏齐纳二极管。芯片内部集成了纹波注入电路来模拟输出电压纹波从而实现了在低ESR 的陶瓷输出电容(MLCC) 的低输出纹波条件下的稳定工作。另外，内部还集成了一个斜坡信号产生电路，以减少开关抖动。
高效率低功耗30V降压DCDC电源芯片，30V3A，500kHz同步降压转换器KP52330X是一款简单易用高效率的同步降压直流/直流转换器，它具有4.5V至30V的宽输入电压范围，能够驱动高达3A的负载电流，非常适合用于12V和24V等常见的输入电源轨。KP523302轻载下工作在脉冲频率调制模式(PFM)以维持高轻载效率；KP523308轻载下工作在强制脉宽调制模式(FPWM)以实现全负载电流下固定的开关频率和低输出纹波。通过集成MOSFET并采用TSOT23-6封装，该器件可实现高功率密度，并且在印刷电路板(PCB)上的占用空间非常小。采用具有内部补偿的峰值电流模式控制架构，用于维持稳定运行和超小的输出电容。借助EN精密使能功能，可对器件启动和关断进行精确控制。内置有完善的保护功能：输入欠压锁定(UVLO)、逐周期电流限制(OCL)、输出过压保护(VOUTOVP)、输出欠压保护(VOUTUVP)，和过温保护(OTP)，以确保其在不同的工作条件下保持安全、可靠运行。精确的使能控制和可调欠压锁定功能。
在轻载条件下工作在强制脉宽调制模式(FPWM)，以保持开关频率的恒定和维持低的输出电压纹波。当HSF 处于关断状态时，LSF 将在 10ns 后的死区时间后被强制打开，直到在下一个周期HSF 打开前关闭。这种工作模式不检测电感电流过零点，允许电感电流通过LSF 的漏-源极从输出电容流到开关节点，称为反向电流。在这种情况下，开关频率在整个负载电流范围内几乎保持恒定，实现低轻载输出电压波纹。低功耗DCDC降压转换器，低纹波，高效率，电路简洁。通过芯片内部数字计数器对振荡周 期的计数，当振荡周期数超过200 次时芯片退出保 护模式并重新开始工作。江苏非隔离BUCK电源芯片定制
COT 控制利用输出电压谷底纹波基于比较器和导通时间定时器实现输出电压调控的目的。江西低功耗18V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片加工
当过流或者过热故障发生时，芯片进入到自动重启和VDD振荡模式中。在此过程中高压MOSFET不允许导通，同时VDD电容上电压持续在4.87V和4.38V之间振荡。通过芯片内部数字计数器对振荡周期的计数，当振荡周期数超过511次时芯片退出保护模式并重新开始工作。如果故障解除，系统开始正常工作；否则系统再次进入振荡模式。为确保系统工作稳定，推荐KP311A系统工作于浅度CCM状态，即电感电流纹波ΔI接近于OCP峰值电流(210mA)。具体感量计算公式如下：L=(Vo+Vf)*Toff_min/ΔI其中：Vo：输出电压；Vf：续流二极管压降；Toff_min：IC设定内部**小Toff时间，约32us；ΔI：电感纹波电流，CCM条件下为2*(Iocp-Io_max)。举例来讲，参考5V-100mA输出规格，设定Io_max为额定输出电流的1.2倍，即120mA；江西低功耗18V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片加工
