无机闪烁晶体的光输出主要与晶体的组成结构（β，Eg），电子空穴对到发光中心能量传递效率及发光中心的量子效率（α）有关。
NaI:Tl闪烁晶体具有比较大的光输出（约为48，000Ph/MeV）。将其它无机闪烁晶体的光输出与NaI:Tl晶体的光输出进行比较，所得的相对值（%NaI(Tl)）称作“相对光输出”。通常采用相对光输出来表征无机闪烁晶体的光输出。
（3）密度，线性吸收系数，质量吸收系数，有效原子序数，辐射长度，Moliere半径[7-9]。
在高能伽马射线探测应用中，高密度的无机闪烁晶体经常被用到。因为晶体密度高可以减少探测器的尺寸。
当强度为J0的入射辐照通过厚度为x的材料时，出射辐照的强度J可近似地表示为：
J=J0exp(-μx) (1.8)
其中μ为线性吸收系数。对于伽马射线而言，它们主要和固体中的电子相互作用，此时μ主要决定于固体中的电子密度ne和一个电子的吸收截面σe，所以线性吸收系数还可以表示如下：
μ= = ( CeYAP可以用在哪方面?专业抛光CeYAP晶体成本价
考虑到不同生长气氛会引起Ce离子变价，使Ce3+ 数量发生变化，从而对荧光强度可能会造成的影响，测试了浓度均为0.3% YAP: Ce样品的红外透过谱，以比较对应样品中Ce3+ 离子的浓度。YAP: Ce晶体的 Ce3+ 离子在1800cm-1－4000cm-1范围内具有3个较强的吸收峰，分别对应于2087cm-1，2702cm-1和3260cm-1，在2480cm-1左右有一个很弱的吸收峰，所有这些吸收峰对应于Ce3+ 离子基态2F5/2到基态2F7/2的Stark子能级之间的跃迁，属于禁戒跃迁，强度低，受晶场作用弱，因此可以方便地用来表征晶体中Ce3+ 离子的浓度[108]。超薄片CeYAP晶体订做价格从光学上说，YAP是一种负双轴晶体。
（4）生长参数：根据Ir坩埚的尺寸以及热场条件，通过观察YAP熔体对流状态，本论文选择晶体转速为10-20RPM；考虑到Ce离子在YAP晶体中的分凝系数较大（约为0.5）和晶体的尺寸（Φ55mm），实验中选用了1-2mm/h的提拉速度。
（5）生长流程：装炉→抽真空→充气→升温化料→烤晶种→下种→缩颈→生长→提拉→降温→取出晶体进行退火。
在装炉时，为了保证炉体内径向温度轴对称分布，线圈中心、石英管中心、坩埚中心及籽晶中心应该保持一致。
为了保护铱坩埚，减少铱金损耗，我们先将炉膛抽真空至气压约为10-3Pa，然后充高纯氩气或氩氢混合作为保护气氛，炉内气压约为0.025Mpa。开中频电源升温至原料全部熔化，在此过程中打开晶转，以使炉内温度分布均匀。待原料全部熔化后，仔细观察熔体液流状态，准备下种。条件允许情况下，可适当提高炉内温度，使原料保持过热状态一段时间，通过自然对流使熔体进一步混合均匀。下种前调整功率，使熔体温度在晶体熔点附近(1875oC左右)，并保持恒温，同时缓慢下降籽晶到液面附近。观察液流线流动情况，并在固液界面附件进行烤种约30分钟之后，将籽晶与熔体接触，并连续观察籽晶变化，使保持籽晶既不熔掉又不长大半小时左右，并且光圈亮度保持稳定。
0.5at% 范围内，随着Ce3+ 离子浓度增加，Ce: YAP晶体的发光强度会相应增加，但同时自吸收引起的透过边红移导致实际光输出减少，在高能射线激发下晶体的**终发光强度是这两个因数的综合结果，从XEL谱实验结果分析该厚度时，Ce3+ 离子浓度在0.3at% 左右比较合适。但如果能把Ce: YAP晶体的透过边往短波方向移动，就能减少自吸收，使发射峰位蓝移并提**度，从而能提高晶体在高能射线激发下的光产额。通常通过氢气退火可比较有效地***自吸收现象。Ce:YAP晶体如何退火？
（1）籽晶的选择：籽晶的方向以及质量直接影响了提拉晶体的质量。对于YAP单晶体而言，由于晶体具有严重的各向异性，b轴的热膨胀系数较a，c轴大得多（a：4.2×10-6 oC-1,b：11.7×10-6 oC-1，c：5.1×10-6 oC-1），容易在生长过程中产生结构应力和相应的热应力，这些热应力还将促使晶体形成孪晶。为了减小这种影响，我们选择了〈100〉，〈010〉，〈001〉〈101〉等各方向的YAP籽晶，籽晶尺寸为Φ8×50mm。
（2）热场的选择：由于YAP晶体热膨胀系数以及热导率的轴向差异性，所以除了选择合适的籽晶外，更重要的是选择合适的温场环境。由于具有钙钛矿结构的YAP晶体的挛晶习性容易显露，为了克服挛晶的形成，需要在固液界面处以及整个生长腔内形成合适的温度梯度。
（3）生长气氛：由于采用中频加热法生长，且主要的保温材料均为高熔点绝热氧化物（ZrO2，Al2O3等），虽然在炉膛内充高纯氩气，但是整个提拉法系统中还是保持弱氧化性，使得Ce4+离子含量增多，研究表明，Ce4+离子对Ce3+离子发光具有猝灭效应。因此在生长过程中，我们通常为惰性气氛生长，并且尝试了弱还原气氛生长，其中惰性气氛为高纯氩气，弱还原气氛为高纯氩和高纯氢的混合气体（2-10%氢）。
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不同气氛生长Ce: YAP晶体Ce3+ 浓度有什么不同？专业抛光CeYAP晶体成本价
新生长的Ce: YAP 晶体中Ce3+ 浓度与原来样品的Ce3+ 浓度基本相同，说明还原气氛生长对Ce3+ 数量的影响不是很大，可基本排除价态变化引起的Ce3+ 离子增加造成荧光增强的可能性。其中Ce3+ 数量变化不大可能与还原气氛生长时Ce4+ 减少和Ce2+ 增加造成的相互抵消有关。Ce: YAP晶体的XEL谱，由于自吸收的减弱以及样品本身发光的增强，还原气氛下生长的Ce: YAP晶体不但发光增强，而峰位发生明显蓝移。从图4-34可见，还原气氛下生长Ce: YAP晶体衰减时间的快慢成分分别为34.1ns和 91.0ns，较惰性气氛生长晶体均有所增大。衰减时间增大可能与晶体在还原气氛生长时氧空位等其他电荷捕获缺陷增加相关，因此氢气的比例等具体生长条件还需要进一步优化专业抛光CeYAP晶体成本价
