第三，在弱还原气氛下生长了Ce:YAP 晶体，发现晶体的自吸收得到有效***，2mm厚度样品的透过边较惰性气氛下生长的样品蓝移近30nm，且发光强度提高50%以上。同时研究了还原气氛生长对Ce: YAP 晶体其他闪烁性能的影响。
第四，比较了不同价态离子掺杂对Ce: YAP 晶体闪烁性能的影响。结果发现两价离子掺杂对Ce: YAP 晶体闪烁性能有很强的负面影响，四价离子掺杂则有助于提高晶体的部分闪烁性能。还研究了Mn离子掺杂对Ce: YAP 晶体性能的影响。发现在YAP 基质中，Mn离子和Ce离子之间存在明显的能量转移过程，且Ce, Mn: YAP的衰减时间较Ce: YAP***缩短，其快慢成分分别为10.8ns 和 34.6 ns。 CeYAP晶体有什么优势?湖南超薄片CeYAP晶体订做价格
不同样品的积分值随厚度增加明显减小。表中同时列出了X射线激发发射谱峰的面积值，由结果可见Ce: YAP晶体的透过率变化（自吸收）与其在高能射线激发下的发光强度具有直接的对应关系，表明***自吸收将能有效提高Ce: YAP晶体的发光强度。1.1.1 不同浓度Ce: YAP晶体自吸收比较为了比较浓度对自吸收的影响，我们测量了相同厚度（0.8mm）不同浓度Ce: YAP晶体的光谱性能。不同浓度Ce: YAP晶体（0.1%，0.2 %，0.3 %，0.6 %）的透过谱如图4-5所示。随浓度增加Ce: YAP 的吸收带出现红移，自吸收加强。四川CeYAP晶体注意事项怎样才能把CeYAP晶体抛亮？
1.1.1 不同退火条件Ce: YAP晶体自吸收比较为了比较不同退火条件退火对自吸收的影响，我们测量了相同厚度（2mm）和浓度（0.3%）的Ce: YAP晶体在不同温度和气氛退火后的透过，荧光和XEL谱。从图4-8可见，提拉法生长的Ce: YAP晶体氢气退火后透过边蓝移，自吸收减弱；氧气退火则透过边红移，自吸收增强。并且氢气退火的温度越高，自吸收越弱；氧气退火的温度越高，自吸收越强。但退火温度的上限为1600度左右，温度过高晶体容易出现雾状，导致基本无透过。
正负电子对是指高能粒子穿过物质时，光子被完全吸收，在原子核附近形成正负电子对，属于辐射能直接转化成物质的过程，也是无机闪烁晶体吸收高能γ射线的主要方式之一。产生正负电子对，光子的总能量必须大于1.02MeV。
物体受到高能电磁辐射时，以哪种作用为主要取决于入射光子的能量和闪烁体上离子所吸收的原子数目。一般光子能量在0.1MeV以下以光电效应为主，0.1到10MeV以康普顿闪射为主，10MeV以上以正负电子对效应为主。
无机闪烁晶体在将高能量射线或粒子转换为低能量光子的过程中，在其内部发生着一级、次级电离与激发，电子－空穴、光子及元激子等的迁移，电子与电子、电子与声子（基质）之间的驰豫，电子空穴对的捕获，以及电子空穴对与荧光中心之间的能量转移等一系列微观过程。在经历一个离化事件时，闪烁体处于一个由非平衡态新向平衡态转化的弛豫过程。由这些电子激发产生的大量的热化的(thermalized)电子空穴对和低能激子相当一部分**终会转变成发射光子，从高能辐射转化成紫外或可见光光子的过程就是闪烁过程。 不同浓度Ce:YAP晶体自吸收比较。
另外辐照对Ce,Mn:YAP的颜色影响很大，Ce,Mn:YAP晶体在辐照后变成蓝灰色，空气中加热退火可使晶体重新变为橙黄色。为了了解其中的缺陷性质，我们还测量了Ce,Mn:YAP晶体的高温热释光谱。图4-52为Ce,Mn:YAP的热释光曲线。Ce,Mn:YAP晶体在整个加热过程中出现了三个热释光峰，分别位于459K、507K和660K。热释光峰的***能E和频率因子s可以采用“通用级”动力学表达式计算得出错误！未找到引用源。错误！未找到引用源。。图4.4.10中的虚线为根据式(2.2.18)计算拟合的结果，它与实验结果相当吻合。气氛如何生长CeYAP晶体？江苏CeYAP晶体推荐货源
YAP晶体在透射光中是无色的，在反射光中呈淡棕色。湖南超薄片CeYAP晶体订做价格
考虑到不同生长气氛会引起Ce离子变价，使Ce3+ 数量发生变化，从而对荧光强度可能会造成的影响，测试了浓度均为0.3% YAP: Ce样品的红外透过谱，以比较对应样品中Ce3+ 离子的浓度。YAP: Ce晶体的 Ce3+ 离子在1800cm-1－4000cm-1范围内具有3个较强的吸收峰，分别对应于2087cm-1，2702cm-1和3260cm-1，在2480cm-1左右有一个很弱的吸收峰，所有这些吸收峰对应于Ce3+ 离子基态2F5/2到基态2F7/2的Stark子能级之间的跃迁，属于禁戒跃迁，强度低，受晶场作用弱，因此可以方便地用来表征晶体中Ce3+ 离子的浓度[108]。湖南超薄片CeYAP晶体订做价格
