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经过这个电离过程，就很难从本质上区分导致电离的自由电子和这个电离过程产生的自由电子。这些二次电离事件的产物，即电离过程产生的两个电子，可以导致第三次电离、第四次电离等等，从而导致产生电子和空穴的雪崩过程，这样的层电离过程会一直持续到产生的电子和光子不能进一步电离。快电子通过与原子中电子的非弹性散射失去能量，所以闪烁过程的第二阶段可以称为电子-电子弛豫。这一阶段的0终产物是晶体中的低能电子激发：导带电子、价带空穴，中心带和价带激子。CeYAG晶体发射光谱和激发光谱？上海CeYAP晶体哪家好

在康普顿闪光过程中，电子与X射线或其他高能射线发生弹性散射，使得高能射线的波长变长，这是吸收辐射能的主要途径之一。在康普顿效应中，单个光子与单个自由电子或束缚电子碰撞。在碰撞中，光子将部分能量和动量传递给电子，导致电子反冲。

电子-正电子对是指辐射能直接转化为物质的过程，也是高能粒子通过物质时无机闪烁晶体吸收高能射线的主要途径之一。要产生正负电子对，光子的总能量必须大于1.02MeV。 贵州CeYAP晶体市场价格Ce:YAP高温闪烁晶体的研究！

选择无机闪烁晶体时，根据不同的应用需要，一般要考虑的因素包括[9]:

衰减时间；能量转换效率和闪烁光输出；密度、原子序数、拦截功率等。

(1)衰变时间常数

对于只有一种发光中心的闪烁体，当其发光强度根据一阶动力学衰减时，衰减时间常数可以简单地定义为发光强度J(t)衰减到初始发光强度J(0)的1/e时所经过的时间。公式如下：

J(t)=J(0)exp(-t/) (1.2)

上式1.3中的dai表衰减时间常数。对于高计数率的应用，要求闪烁晶体具有快速衰减时间常数。

除了主要掺杂的铈元素外，锆元素占很大比例，其含量超过10ppm，这应该是由于生长过程中少量氧化锆绝缘盖碎片落入熔体中造成的，但锆对YAP: Ce晶体[104]的闪烁特性有一定的积极影响。其他元素的含量太小，不足以引起足够数量的吸收中心。但晶体生长所用原料的纯度为5N，测量结果表明总杂质含量大于1ppm，已经超出纯度限值一个数量级。过量的杂质可能来自晶体生长过程或配料过程，因此在未来的生长和制备过程中应注意可能的杂质污染。

在排除杂质的情况下，主要考虑基体和掺杂元素本身。不同气氛退火引起的自吸收效应相反，与温度呈逐年关系，说明自吸收与离子价态的变化有关，与ce的掺杂浓度成正比。我们认为，比较大的自吸收可能是Ce离子本身，即Ce4通过氢退火转化为Ce3，削弱了自吸收，而氧退火增强了自吸收，Ce浓度越大，Ce4离子的数量相应增加。

YAP晶体是一种透明的畸变钙钛矿结构晶体？

第三，Ce:YAP晶体在弱还原气氛中生长，发现晶体的自吸收被有效压制。与在惰性气氛中生长的样品相比，厚度为2mm的样品的透射边缘移动了近30纳米，发光强度提高了50%以上。同时，研究了还原气氛生长对Ce: YAP晶体其他闪烁性能的影响。

第四，比较了不同价离子掺杂对Ce: YAP晶体闪烁性能的影响。结果表明，二价离子掺杂对Ce: YAP晶体的闪烁性能有很强的负面影响，而四价离子掺杂有助于提高Ce:Yap晶体的部分闪烁性能。还研究了锰离子掺杂对Ce: YAP晶体性能的影响。发现YAP基体中Mn离子和Ce离子之间存在明显的能量转移过程，Ce和Mn: YAP的衰变时间明显短于Ce、Mn  : YAP，其快、慢成分分别为10.8ns和34.6 ns。 无机闪烁晶体的性能表征？中国台湾CeYAP晶体订做价格

大尺寸Ce:YAP晶体的生长方法？上海CeYAP晶体哪家好

可以假设这种情况存在于NaI: Tl闪烁体中，因为其中Vk中心的迁移时间小于10-7s。另一个模型假设空穴与Vk中心分离，从价带向发光中心移动。由于非局域空穴的高迁移率，这是一种将能量转移到发光中心的快速方法。

闪烁过程的后面一个阶段，即发光中心的发射，已经得到了彻底的研究。我们上面已经提到了一些启动过程。目前发光中心一般分为内在和外在两类。卤化物和氧化物的本征发光主要受自陷激子效应的制约。非本征发光主要取决于激发剂本身的电子跃迁(NaI: Tl，CaF2: Eu)或基质与激发剂之间的跃迁(znse3360te，zns:ag)。而一些所谓的自激闪烁晶体(CeF3，Bi4Ge3O12，CaWO4)处于本征发光和非本征发光的中间状态。 上海CeYAP晶体哪家好

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