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CeYAP晶体基本参数
  • 品牌
  • 上海蓝晶/四海常晶
  • 型号
  • /
  • 类型
  • 闪烁晶体
  • 材质
  • 陶瓷,闪烁晶体
CeYAP晶体企业商机

上式(1.10)中的Wi是构成晶体的原子I的重量百分比,Zi是构成晶体的原子I的原子序数。

入射到晶体中的光子和电子(或正电子)在晶体中经过一定距离后能量下降到1/e。这个距离称为晶体的辐射长度(通常表示为X0)。它袋表闪烁体对辐射的截止能力。从上面的定义可以得出结论:

X0=1/ (1.11)

可以看出,辐射长度(X0)与吸收系数()成反比,所以吸收系数越大。辐射长度越短。辐射长度可由以下公式近似表示:

X0=180A/(Z2) (1.12)

其中a为原子量,z为有效原子数,为密度。从这个公式可以看出,有效原子序数和密度越高,晶体的辐射长度越短。由于电磁量热仪用闪烁晶体的长度一般为20 X0,因此使用辐射长度较小的晶体有利于减小探测器的尺寸。另一方面,辐射长度越长,所需的材料越长,很难保证材料的均匀性。 YAP晶体内部复杂的点缺陷是什么?吉林生长CeYAP晶体

由于YAP晶体结构的各向异性,很难获得高质量的晶体,但由于其广阔的应用前景,人们对YAP晶体的生长过程做了大量的探索和研究[58-74]。国外生长的YAP单晶已达到50毫米,长约150毫米,重约1380克[75,76]。随着生长技术的提高,中科院上海光学力学研究所已经能够生长出直径为50 mm的大单晶,但形状控制和质量有待进一步提高。目前国内生长的Ce: YAP晶体仍存在出光率低的问题,其机理应该与自吸收有关,但尚未得到有效解决。

有人计算过YAP晶体的能带结构[77,78]。结果表明,该氧化物晶体的价带顶端由未结合的O2-离子组成,而价带he心主要由O2-离子的2S能级和Y3离子的4P能级的混合物组成。导带底部主要由Y3离子的4d和5S轨道组成,而Al3的3d能级在导带中占据较高的能级位置。YAP晶体的禁带宽度为7.9 eV,主要由Y-O相互作用决定,而不是Al-O相互作用。文献[26]中也报道了YAP晶体的带隙为8.02 eV。 湖南加工CeYAP晶体不同气氛生长Ce: YAP晶体 XEL谱和衰减时间谱?

不同退火条件下Ce: YAP晶体自吸收的比较

为了比较不同退火条件下退火对自吸收的影响,我们测量了相同厚度(2mm)和浓度(0.3%)的Ce: YAP晶体在不同温度和气氛下退火后的透射光谱、荧光光谱和XEL光谱。从图4-8可以看出,直拉法生长的Ce: YAP晶体经氢退火后透射边蓝移,自吸收减弱。当进行氧退火时,通过边缘红移增强了自吸收。氢的退火温度越高,自吸收越弱。氧的退火温度越高,自吸收越强。然而,退火温度的上限约为1600。如果温度太高,晶体容易起雾,导致几乎不渗透。

(Ce3离子5d态的能量较低,与4f态的高能级重叠。所以4f电子会被激发到5d态,从5d态回到4f态会发光。由于5d轨道位于5s5p之外,不像4f轨道那样被屏蔽在内层,所以很容易受到外场的影响,使得5d态成为能带而不是离散能级。从这个能带到4f能级的跃迁成为带谱。

作为自由离子,Ce3的4f和5d能级差为6.134 eV  (202nm/49340cm-1) [14]。在晶体场的作用下,4f和5d之间的能级距离普遍减小。晶体场力越大,能级间距越小。从前面的讨论可以看出,4f能级在内层被屏蔽,基本不受晶场影响。5d态被晶体场分裂,导致4f和5d能级重心距离缩短。P. Dorenbos认为,晶体场引起的5d能级分裂程度取决于Ce3周围阴离子多面体的大小和形状[15]。基于Ce3离子以上独特的能级结构和发光特性,以Ce3离子为激发离子的无机晶体一般光输出高,衰减时间快,更适合作为闪烁晶体。 同厚度Ce:YAP晶体自吸收比较。

经过这个电离过程,就很难从本质上区分导致电离的自由电子和这个电离过程产生的自由电子。这些二次电离事件的产物,即电离过程产生的两个电子,可以导致第三次电离、第四次电离等等,从而导致产生电子和空穴的雪崩过程,这样的层电离过程会一直持续到产生的电子和光子不能进一步电离。快电子通过与原子中电子的非弹性散射失去能量,所以闪烁过程的第二阶段可以称为电子-电子弛豫。这一阶段的0终产物是晶体中的低能电子激发:导带电子、价带空穴,中心带和价带激子。Ce:YAP高温闪烁晶体的研究!专业抛光CeYAP晶体哪里买

CeYAG晶体脉冲X射线激发衰减时间?吉林生长CeYAP晶体

在电子-电子弛豫过程中,能量损失可以通过产生F心、H心等点缺陷来进行。快电子也可以通过在声子上散射而失去能量,随着电子能量的降低,电子-声子相互作用的概率增大。而且产生的二次电子和光子会从晶体中逸出,造成能量损失。然而,在电子-电子弛豫阶段,这些过程中的能量损失相对于闪烁体中的总能量损失非常小。

两项一般性意见如下:

1.如上所述,快电子在非弹性散射过程中会损失能量。这是文学中常见的表达。但是,能量实际上并没有损失,而是分布到了二次电子激发。闪烁体中真正的能量损失是由以下与闪烁竞争的过程引起的:点缺陷的形成、声子,的产生、二次电子和光子从晶体中逃逸以及长期磷光发射。 吉林生长CeYAP晶体

上海蓝晶光电科技有限公司是一家光电技术领域内的技术开发、技术转让、技术服务、技术咨询,销售光电设备及配件、金属材料、五金交电,商务信息。晶体可以整颗出售(根据客户要求,定制晶体浓度),也可以根据客户要求的尺寸、光洁度加工。另接收来料加工的公司,致力于发展为创新务实、诚实可信的企业。上海蓝晶作为光电技术领域内的技术开发、技术转让、技术服务、技术咨询,销售光电设备及配件、金属材料、五金交电,商务信息。晶体可以整颗出售(根据客户要求,定制晶体浓度),也可以根据客户要求的尺寸、光洁度加工。另接收来料加工的企业之一,为客户提供良好的激光晶体,闪烁晶体,光学晶体,光学元件及生产加工。上海蓝晶始终以本分踏实的精神和必胜的信念,影响并带动团队取得成功。上海蓝晶始终关注电子元器件行业。满足市场需求,提高产品价值,是我们前行的力量。

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