在电子-电子弛豫过程中，能量损失可以通过产生F心、H心等点缺陷来进行。快电子也可以通过在声子上散射而失去能量，随着电子能量的降低，电子-声子相互作用的概率增大。而且产生的二次电子和光子会从晶体中逸出，造成能量损失。然而，在电子-电子弛豫阶段，这些过程中的能量损失相对于闪烁体中的总能量损失非常小。
两项一般性意见如下：
1.如上所述，快电子在非弹性散射过程中会损失能量。这是文学中常见的表达。但是，能量实际上并没有损失，而是分布到了二次电子激发。闪烁体中真正的能量损失是由以下与闪烁竞争的过程引起的：点缺陷的形成、声子，的产生、二次电子和光子从晶体中逃逸以及长期磷光发射。 CeYAG晶体发射光谱和激发光谱？湖北CeYAP晶体批发价
作为未掺杂晶体的ceF3具有本征发光，而另一方面，以Ce为基质的晶体和以Ce为掺杂剂的晶体表现出与Ce3相同的5d4f跃迁发光。表1-2无机闪烁体中主要电子跃迁和发光中心的分类
对于闪烁体，一般要求其发光中心具有较高的辐射跃迁概率。表1-2总结了无机闪烁晶体中几种主要类型的发光中心。具有S20外层电子构型的类汞离子可以产生很高的光输出，但很难获得很短的衰变时间。Eu2也存在类似的情况。Ce3的5d4f跃迁是允许的跃迁，在各种衬底中既有高光输出又有快衰减时间。在室温下，陷激子的三线态-单线态跃迁只在某些基质中有效。
具有复杂阴离子的化合物如WO4和MoO4也显示出固有的发光。发光来源于电荷数高的过渡金属离子，0外层电子构型为np6nd0。有些化合物，如CdWO4和CaWO4，光输出很高。
在离子晶体中还观察到了一种新的内在发光：中心带上部和价带之间的跃迁，简称为中心-价带跃迁。这种发光跃迁衰减时间快(子纳秒级)，但光输出低。 北京质量好CeYAP晶体铈钇铝石榴石(TGT)闪烁晶体的缺陷及其对晶体发光性能和闪烁时间的影响。
除了主要掺杂的铈元素外，锆元素占很大比例，其含量超过10ppm，这应该是由于生长过程中少量氧化锆绝缘盖碎片落入熔体中造成的，但锆对YAP: Ce晶体[104]的闪烁特性有一定的积极影响。其他元素的含量太小，不足以引起足够数量的吸收中心。但晶体生长所用原料的纯度为5N，测量结果表明总杂质含量大于1ppm，已经超出纯度限值一个数量级。过量的杂质可能来自晶体生长过程或配料过程，因此在未来的生长和制备过程中应注意可能的杂质污染。
在排除杂质的情况下，主要考虑基体和掺杂元素本身。不同气氛退火引起的自吸收效应相反，与温度呈逐年关系，说明自吸收与离子价态的变化有关，与ce的掺杂浓度成正比。我们认为，比较大的自吸收可能是Ce离子本身，即Ce4通过氢退火转化为Ce3，削弱了自吸收，而氧退火增强了自吸收，Ce浓度越大，Ce4离子的数量相应增加。
闪烁过程的第二阶段0为复杂多变。空穴和电子的弛豫过程是不同的。内壳被电离的原子(A)可以通过辐射跃迁发射光子来弛豫，或者通过产生二次电子(俄歇电子)在没有辐射的情况下弛豫。一般没有辐射衰减的概率远大于辐射衰减的概率。像初级电子一样，俄歇电子通过散射电子和发射声子来损失能量。原子内壳层电子能级之间的辐射跃迁能一般等于X射线的能级这第二个X射线光子可以被另一个原子吸收产生新的深空穴和自由电子。结果，空穴从原子(a)的k层跑到l或m层，然后参与下一步的弛豫过程。因此，内壳含空穴原子(a)的弛豫过程是无辐射跃迁和辐射跃迁的叠加过程，所需时间一般为10-13 ~ 10-15sCe:YAP晶体生长原料需要哪些？
不同温度退火的Fe: YAP样品的吸收光谱和差分吸收光谱
是Fe: YAP样品在不同温度退火后的吸收光谱和微分吸收光谱。Fe: YAP晶体的吸收光谱在203纳米、246纳米、270纳米和325纳米附近有吸收峰。差示吸收光谱显示，氢退火后264 ~ 270纳米波长范围内的吸收明显减弱，氧退火后321纳米出现差示吸收峰。可以认为246 nm和270 nm处的吸收与Fe3有关，即Fe3和Fe2之间存在跃迁[102]。除了321nm处的吸收，YAP: Fe的几个吸收峰与纯YAP晶体的吸收峰有一定距离，这不能解释纯YAP(Ce: YAP)中的其他吸收峰与铁有关。 CeYAG晶体应该如何退火？中国澳门超薄片CeYAP晶体
从光学上说，YAP是一种负双轴晶体。湖北CeYAP晶体批发价
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