山西生长CeYAP晶体订做价格

在康普顿闪光过程中，电子与X射线或其他高能射线发生弹性散射，使得高能射线的波长变长，这是吸收辐射能的主要途径之一。在康普顿效应中，单个光子与单个自由电子或束缚电子碰撞。在碰撞中，光子将部分能量和动量传递给电子，导致电子反冲。

电子-正电子对是指辐射能直接转化为物质的过程，也是高能粒子通过物质时无机闪烁晶体吸收高能射线的主要途径之一。要产生正负电子对，光子的总能量必须大于1.02MeV。 Ca2+离子和Si4+离子掺杂对Ce : YAP晶体有哪些影响？山西生长CeYAP晶体订做价格

过渡金属离子掺杂对YAP晶体透射边缘的影响

由于过渡金属离子D层具有更多的电子能级，容易受到晶场的影响，因此YAP晶体中可能存在更多的吸收带。为了了解过渡金属掺杂对Ce: YAP自吸收的可能影响，我们比较了掺杂过渡金属如铜(0.5%)、铁(0.5%)和锰(0.5%)的纯YAP晶体的透射光谱。从图4-11可以看出，Mn掺杂的yap在480nm处有明显的吸收峰，而Cu掺杂的YAP在370nm左右有吸收峰，Fe掺杂的YAP将在下一节讨论。我们生长的Ce: YAP在350nm  ~ 500nm范围内没有额外的吸收峰，少量过渡金属离子的存在只会对吸收产生线性叠加效应，低浓度吸收不足以引起Ce: YAP晶体的自吸收，因此过渡金属离子污染不太可能引起Ce3360Yap吸收带红移。同时，GDMS分析结果还表明，我们生长的Ce: YAP晶体中过渡金属的含量小于10ppm，对晶体发光的影响可以忽略不计。4.1.5紫外线照射对Ce: YAP晶体自吸收的影响 福建专业加工CeYAP晶体紫外辐照对Ce:YAP晶体自吸收有影响吗？

发光中心的激发和发射

闪烁过程的第四阶段可以称为迁移阶段，因为迁移的电子激发并向发光中心转移能量。通过电子空穴对与激子转移能量是可能的。在第一种情况下，通过依次捕获一个空穴和一个电子(电子复合发光)或者依次捕获一个电子和空穴(空穴复合发光)来激发发光中心。比如碱卤晶体中的Tl和Ag主要是通过电子复合发光。

Tl  h   Tl2，Tl2 e   h

但是空穴复合发光也是可能的

Tl  e   Tl0，Tl0 h   h

在无机晶体中，能量通过激子转移到发光中心的几率小于复合发光的几率。一般认为，在辐照过程中，低能激子数小于电子空穴对数。为了形成激子，入射电子(光子)的能量应该正好等于激子的能量

钇铝石榴石(Y3Al5O12或YAG)单晶是一种优良的激光基质材料和光学衬底材料，其中Nd:YAG和Yb:YAG激光晶体得到了普遍的应用。Ce:YAG晶体作为闪烁材料在1992年引起了人们的注意[81]。Moszynski[82]和Ludziejewski[83]分别于1994年和1997年系统地研究了Ce:YAG晶体的闪烁特性，指出Ce:YAG晶体具有优异的闪烁特性。Ce:YAG衰减快(80ns)，在530nm处发出荧光，其发射波长与硅光电二极管的探测敏感区相匹配，因此可应用于低能射线粒子的探测等领域[33]。目前Ce:YAG高温闪烁晶体已经商业化，主要用于扫描电子显微镜(SEM)的显示元件，其生长方法主要有直拉法和温度梯度法。近年来，Ce:YAG单晶薄膜[84]和Ce:YAG陶瓷[85-87]等闪烁体以其独特的优势引起了人们的关注。YAP缺陷在晶体的禁带中形成局域能级，充当施主或受主中心的角色，因此YAP是一种非常有潜力的释光基质材料。

掺铈铝酸钇(Ce: YAP)和钇铝石榴石(Ce: YAG)高温闪烁晶体不jin具有高光输出和快速衰减的闪烁特性(表1-5)，而且具有优异的物理化学性能(表1-6)。它们具有密度低、有效原子序数小的缺点，但可以广泛应用于中低能射线和粒子探测领域。Ce: YAP和Ce: YAG是两种典型的高光输出、快速衰减的高温无机闪烁晶体，已经在许多场合得到应用。对它们的生长特性、晶体缺陷和光学闪烁性能的研究，对其他铈离子掺杂的高温闪烁晶体的研究和探索具有重要的参考意义。Ce:YAP和Ce:YAG高温闪烁晶体的区别？北京专业生长CeYAP晶体订做价格

不同退火条件Ce:YAP晶体自吸收比较。山西生长CeYAP晶体订做价格

2.一次电子和空穴，的弛豫即产生大量二次电子、空穴，光子、基本激子等电子激发；

3.低能二次电子和空穴，的弛豫(热化)，即形成能隙宽度约为Eg的热化电子空穴对；

4.热化电子空穴将能量转移到发光中心并激发发光中心；

5.激发态的发光中心发出紫外或可见荧光，即闪烁光。

对于任何凝聚态物质，**个阶段是相似的。因此，为了便于讨论，我们将闪烁体中的物理过程分为两部分：(1)热化电子空穴对的产生(**个阶段)；(2)发光中心的激发和发射。 山西生长CeYAP晶体订做价格

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