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经过这个电离过程，就很难从本质上区分导致电离的自由电子和这个电离过程产生的自由电子。这些二次电离事件的产物，即电离过程产生的两个电子，可以导致第三次电离、第四次电离等等，从而导致产生电子和空穴的雪崩过程，这样的层电离过程会一直持续到产生的电子和光子不能进一步电离。快电子通过与原子中电子的非弹性散射失去能量，所以闪烁过程的第二阶段可以称为电子-电子弛豫。这一阶段的0终产物是晶体中的低能电子激发：导带电子、价带空穴，中心带和价带激子。铈钇铝石榴石(TGT)闪烁晶体的缺陷及其对晶体发光性能和闪烁时间的影响。超薄片CeYAP晶体推荐货源

Ce: YAP晶体的自吸收

本节主要讨论Ce: YAP晶体的自吸收。使用第2章中描述的测试设备进行测量。不同厚度Ce: YAP晶体自吸收的比较

为了表征自吸收，我们测量了不同厚度(10)mm  (1 1，2，4，10)mm)和相同浓度(0.56%)的Ce:YAP晶体的光谱特性。光激发时，Ce: YAP晶体在不同条件下的结果基本相同

2是相同浓度不同厚度的Ce: YAP晶体样品的透射光谱。不同厚度的Ce: YAP晶体的透射性能差异很大。随着厚度的增加，样品的透射边缘有明显的红移。 湖北专业生长CeYAP晶体不同气氛生长Ce: YAP晶体 XEL谱和衰减时间谱？

选择无机闪烁晶体时，根据不同的应用需要，一般要考虑的因素包括[9]:

衰减时间；能量转换效率和闪烁光输出；密度、原子序数、拦截功率等。

(1)衰变时间常数

对于只有一种发光中心的闪烁体，当其发光强度根据一阶动力学衰减时，衰减时间常数可以简单地定义为发光强度J(t)衰减到初始发光强度J(0)的1/e时所经过的时间。公式如下：

J(t)=J(0)exp(-t/) (1.2)

上式1.3中的dai表衰减时间常数。对于高计数率的应用，要求闪烁晶体具有快速衰减时间常数。

我们用8W的紫外灯功率和255nm的波长照射厚度为2mm、浓度为0.3%的Ce: YAP样品。样品辐照时间分别为15、30和60分钟。

从紫外辐射吸收光谱可以清楚地看出，随着辐照时间的增加，Ce: YAP样品的吸收边发生红移，样品在254nm处的吸收系数也相应增加。

退火和辐照纯度对YAP和Fe: YAP晶体吸收光谱的影响

据报道，Fe3和Fe2离子分别在260纳米和227纳米附近有吸收[98，99]，纯YAP在260纳米附近也有吸收。为了了解255纳米附近的吸收峰特性，我们生长并研究了纯YAP晶体和浓度为0.2%的YAP:铁。通过透射率的比较，我们粗略分析了纯YAP和YAP: Fe晶体中可能的色心及其对ce3360ap自吸收的影响。 Ca2+离子和Si4+离子掺杂对Ce : YAP晶体有哪些影响？

电子-电子弛豫时间一般为10-15-10-13 s，初始电子能量不同。快电子不只能与内壳层电子相互作用，还能与价电子相互作用。这种相互作用产生了电子统一，即等离子体的集体振荡。产生这种振荡的原因是电离过程中产生的自由电子的附加场与固体中的电子相互排斥。这种集体振荡表现为晶体体积内纵向电荷密度的波动，可以认为是一些能量Ep=hp的准粒子的运动，p是等离子体的频率。在绝缘体和半导体中，典型的等离子体能量Ep为10-20ev，寿命约为10-15 s，当一个快电子通过晶体时，会在后面留下大量的等离子体，等离子体会衰变为电子-空穴对YAP会出现着色现象吗？中国台湾超薄片CeYAP晶体

从光学上说，YAP是一种负双轴晶体。超薄片CeYAP晶体推荐货源

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