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CeYAP晶体基本参数
  • 品牌
  • 上海蓝晶/四海常晶
  • 型号
  • /
  • 类型
  • 闪烁晶体
  • 材质
  • 陶瓷,闪烁晶体
CeYAP晶体企业商机

钇铝石榴石(Y3Al5O12或YAG)单晶是一种优良的激光基质材料和光学衬底材料,其中Nd:YAG和Yb:YAG激光晶体得到了普遍的应用。Ce:YAG晶体作为闪烁材料在1992年引起了人们的注意[81]。Moszynski[82]和Ludziejewski[83]分别于1994年和1997年系统地研究了Ce:YAG晶体的闪烁特性,指出Ce:YAG晶体具有优异的闪烁特性。Ce:YAG衰减快(80ns),在530nm处发出荧光,其发射波长与硅光电二极管的探测敏感区相匹配,因此可应用于低能射线粒子的探测等领域[33]。目前Ce:YAG高温闪烁晶体已经商业化,主要用于扫描电子显微镜(SEM)的显示元件,其生长方法主要有直拉法和温度梯度法。近年来,Ce:YAG单晶薄膜[84]和Ce:YAG陶瓷[85-87]等闪烁体以其独特的优势引起了人们的关注。CeYAG提拉法晶体生长的吗?吉林常规尺寸CeYAP晶体订做价格

YAP晶体属于扭曲钙钛矿结构的正交晶系,可视为晶格常数A=5.328,B=7.367,C=5.178的Al-O  八面体,所有顶点共享而成的三维结构,其结构如图1-7所示。一个YAP原细胞中有四个YAP分子,晶体中有两种可以置换的阳离子位置:一种是扭曲的YO12多面00置(y3半径ry=1.02);另一个接近理想的八面00置(ral=0.53)。Ce3离子的半径为1.03,取代了YAP中具有C1h对称性的Y3离子。由于失真,实际配位数相当于8。

该体系中有三种稳定的化合物:(1) y3al5o12 (YAG),摩尔比为1)y2 O3al2o  3=:5;(2)摩尔比为2:1的单斜化合物y4al  2o  9(YAM);(3)摩尔比为1:1的氧化钇(YAP)。YAP是一种均匀熔化的化合物,从熔点到室温没有相变。 质量好CeYAP晶体现货同厚度Ce:YAP晶体自吸收比较。

需要注意的是,在高活化剂浓度的晶体中,也有可能是热电子碰撞激发了发光中心。电子和空穴在迁移阶段的能量损失取决于电子和空穴相对于发光中心的空间分布。如果激发路径中产生的电子空穴对位于发光中心附近,复合过程将是有效的;否则,这些电子或空穴将被俘获。在无机晶体中,各种杂质和晶格缺陷可以用作电子和空穴的陷阱。例如,离子晶体中的阴离子空位是电子的有效俘获中心。捕获电子的阴离子空位是稳定的电子缺陷,即F中心(如图1-3所示)。如果电子或空穴被深陷阱俘获,这些俘获的载流子将不会参与闪烁过程。掺杂到晶体中的活化剂也会导致陷阱的形成。当CsI和NaI含有超过0.02%的Tl时,将在晶体中形成复合活化剂中心(聚集体)。这些聚集体也是晶体中的深陷阱。因此,Tl掺杂浓度为0.02%至0.03%的NaI和CsI显示出比较大光输出

Ce: YAP晶体的退火

刚出炉的Ce:YAP单晶由于内部热应力较大,在加工过程中容易开裂,提拉法生长的晶体明显,同时由于铈离子的价态(Ce2、Ce3、Ce4)不同,高温闪烁晶体中只有三价铈离子(Ce3)作为发光中心,因此不同的退火工艺条件对高温闪烁晶体的闪烁性能有重要影响。

对于空气退火,退火温度为1000 ~ 1600,恒温时间为20 ~ 30小时,1200以下升温/降温速率为50 ~ 100,1200时升温/降温速率为30 ~ 50。使用的设备是硅碳或硅钼棒马弗炉

流动氢退火,退火温度1200-1600,恒温时间20-36小时,1200以下升温/降温速率50-100/小时,1200升温/降温速率30-50/小时。 铈钇铝石榴石(TGT)闪烁晶体的缺陷及其对晶体发光性能和闪烁时间的影响。

2.一次电子和空穴,的弛豫即产生大量二次电子、空穴,光子、基本激子等电子激发;

3.低能二次电子和空穴,的弛豫(热化),即形成能隙宽度约为Eg的热化电子空穴对;

4.热化电子空穴将能量转移到发光中心并激发发光中心;

5.激发态的发光中心发出紫外或可见荧光,即闪烁光。

对于任何凝聚态物质,**个阶段是相似的。因此,为了便于讨论,我们将闪烁体中的物理过程分为两部分:(1)热化电子空穴对的产生(**个阶段);(2)发光中心的激发和发射。 YAP中形成色心的另一可能原因是晶体中存在杂质离子.广东CeYAP晶体哪里买

YAP晶体在透射光中是无色的,在反射光中呈淡棕色。吉林常规尺寸CeYAP晶体订做价格

在电子-电子弛豫过程中,能量损失可以通过产生F心、H心等点缺陷来进行。快电子也可以通过在声子上散射而失去能量,随着电子能量的降低,电子-声子相互作用的概率增大。而且产生的二次电子和光子会从晶体中逸出,造成能量损失。然而,在电子-电子弛豫阶段,这些过程中的能量损失相对于闪烁体中的总能量损失非常小。

两项一般性意见如下:

1.如上所述,快电子在非弹性散射过程中会损失能量。这是文学中常见的表达。但是,能量实际上并没有损失,而是分布到了二次电子激发。闪烁体中真正的能量损失是由以下与闪烁竞争的过程引起的:点缺陷的形成、声子,的产生、二次电子和光子从晶体中逃逸以及长期磷光发射。 吉林常规尺寸CeYAP晶体订做价格

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