与卤素化合物晶体相比，氧化物晶体具有优异的热力学性质和稳定的化学性质。因此，铈离子掺杂的无机氧化物闪烁晶体，包括铝酸盐、硅酸盐、硼酸盐和磷酸盐，已经引起了极大的关注和光泛的研究[29，30]。下表总结了铈离子掺杂氧化物和硫化物闪烁晶体的基本闪烁特性[30]。由表可知，大多数掺铈离子的氧化物闪烁晶体具有高光输出和快速衰减的特性，尤其是掺铈离子的铝酸盐和硅酸盐闪烁晶体具有诱人的闪烁特性，如Ce:YAP、Ce3360YAG、Ce:LSO和Ce3360Lyso，被认为是新一代高性能无机闪烁晶体[18-28][30]。
硫化物闪烁晶体的带隙较小，铈离子掺杂的硫化物闪烁晶体也具有光衰减快、密度大的特点。例如Ce:Lu2S3晶体具有高光输出(约30000光子/兆电子伏)、快速光衰减(约32纳秒)、重密度(约6.25克/立方厘米)和高有效原子序数(Zeff=66.8)的特点。但是硫化物晶体也很难生长，不受人青睐[31]。 CeYAP晶体一般常规浓度是多少？湖南专业抛光CeYAP晶体订做价格
需要注意的是，在高活化剂浓度的晶体中，也有可能是热电子碰撞激发了发光中心。电子和空穴在迁移阶段的能量损失取决于电子和空穴相对于发光中心的空间分布。如果激发路径中产生的电子空穴对位于发光中心附近，复合过程将是有效的；否则，这些电子或空穴将被俘获。在无机晶体中，各种杂质和晶格缺陷可以用作电子和空穴的陷阱。例如，离子晶体中的阴离子空位是电子的有效俘获中心。捕获电子的阴离子空位是稳定的电子缺陷，即F中心(如图1-3所示)。如果电子或空穴被深陷阱俘获，这些俘获的载流子将不会参与闪烁过程。掺杂到晶体中的活化剂也会导致陷阱的形成。当CsI和NaI含有超过0.02%的Tl时，将在晶体中形成复合活化剂中心(聚集体)。这些聚集体也是晶体中的深陷阱。因此，Tl掺杂浓度为0.02%至0.03%的NaI和CsI显示出比较大光输出河南CeYAP晶体量大从优CeYAP晶体低浓度与高浓度如何区分？
当光线与闪烁晶体相互作用时，晶体中电子空穴对Neh的数量直接影响晶体的光输出。假设电子空穴对转化为闪烁光子的效率为(与从电子空穴对到发光中心的能量转移效率和发光中心的量子效率有关)，因此，无机闪烁晶体的光输出主要与晶体成分(，Eg)、电子空穴向发光中心的能量转移效率和发光中心的量子效率()有关.NaI:Tl闪烁晶体具有比较大光输出(约48，000 ph/mev)。将其他无机闪烁晶体的光输出与NaI:Tl晶体的光输出进行比较得到的相对值(%NaI(Tl))称为“相对光输出”。相对光输出通常用于表征无机闪烁晶体的光输出。密度、线性吸收系数、质量吸收系数、有效原子序数、辐射长度和莫里哀半径[7-9]。
在高能射线探测应用中，经常使用高密度无机闪烁晶体。因为高晶体密度可以减小探测器的尺寸。
在40k，由在X-ray激发的纯CsI晶体的能量效率为30%；然而，它的发光效率在室温下非常低，这就是为什么纯CsI晶体难以用于闪烁过程的原因。碱土金属氟化物，如氟化钙、氟化锶等。在室温下，激子发光仍然保持高产率。在这种情况下，我们可以讨论Vk中心在上述反应中亚稳态的作用。因此，离子晶体表现出一种非常有趣的性质，即纯晶体或没有发光中心的晶体可以产生有效的发光。这是因为在辐照过程中，晶体中会产生大量的Vk发光中心。在维克激子发光后，VK中心消失了，水晶恢复了原来的属性。
Vk心脏也可以参与外源(激发剂)发光过程。在室温下，Vk中心通过在相邻位置之间跳跃而在晶体中移动。如果局部空穴跃迁到发光中心的时间小于发光中心俘获电子的时间，那么亚稳态的Vk中心可以参与复合发光过程。 YAP中形成色心的另一可能原因是晶体中存在杂质离子.
YAP晶体属于扭曲钙钛矿结构的正交晶系，可视为晶格常数A=5.328，B=7.367，C=5.178的Al-O 八面体，所有顶点共享而成的三维结构，其结构如图1-7所示。一个YAP原细胞中有四个YAP分子，晶体中有两种可以置换的阳离子位置：一种是扭曲的YO12多面00置(y3半径ry=1.02)；另一个接近理想的八面00置(ral=0.53)。Ce3离子的半径为1.03，取代了YAP中具有C1h对称性的Y3离子。由于失真，实际配位数相当于8。
该体系中有三种稳定的化合物：(1) y3al5o12 (YAG)，摩尔比为1)y2 O3al2o 3=:5；(2)摩尔比为2:1的单斜化合物y4al 2o 9(YAM)；(3)摩尔比为1:1的氧化钇(YAP)。YAP是一种均匀熔化的化合物，从熔点到室温没有相变。 不同气氛生长Ce: YAP晶体 XEL谱和衰减时间谱？专业加工CeYAP晶体哪家好
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e: YAP闪烁晶体的性能研究
掺铈钇铝石榴石(Ce: YAP)作为一种性能优越的高温闪烁晶体，在高能核物理和核医学领域具有广阔的应用前景。然而，在实际应用中，我国生长的Ce: YAP晶体存在严重的自吸收问题，直接影响晶体的发光效率。为了提高Ce: YAP晶体的闪烁性能，特别是发光强度，有必要深入分析晶体的自吸收机制，尽量减小自吸收对发光的影响。本章主要研究内容如下：采用中频感应直拉法生长了不同掺杂浓度的Ce: YAP闪烁晶体，比较了不同厚度、退火温度和气氛、不同掺杂和辐照对自吸收的影响。同时，分析了不同掺杂对衰减时间等其他闪烁特性的影响。 湖南专业抛光CeYAP晶体订做价格
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