MBE外延系统排气系统

全自动分子束外延生长系统集成了先进的计算机控制与传感技术，将薄膜生长过程从高度依赖操作者经验的“艺术”转变为高度可重复的“科学”。通过集成多种原位监测探头，如RHEED、四极质谱仪（QMS）和束流源炉温控制器，系统能够实时采集生长参数。用户预设的生长配方可以精确控制每一个生长步骤：从快门的开闭时序、各种源炉的温度与蒸发速率，到基板的温度与转速。这种全自动化的控制不仅极大地提高了实验结果的重复性和可靠性，也使得复杂的超晶格、异质结结构的长时间、大规模生长成为可能，解放了研究人员的生产力。系统适用于ZnO、GaN、SiGe等前沿半导体材料研发。MBE外延系统排气系统

样品搬运室（或称进样室）的设计极大地提升了系统的科研效率。它作为一个真空缓冲区，允许用户在不对主生长腔室破真空的情况下，快速更换样品。其本底真空度维持在5E-5Pa量级，通过一个高真空隔离阀与主腔室相连。当需要更换样品时，只需将样品从大气环境传入搬运室，抽至预定真空后，再打开隔离阀，通过磁力传输杆或机械手将样品送入主腔室的样品架上。这一设计将主生长腔室暴露于大气的频率降至较低，不仅保护了昂贵且精密的源炉和监测仪器，也使得连续、不间断的科研工作得以顺利进行。激光沉积外延系统性能靶自动旋转设计，相较于手动调整，减少人工干预提升效率。

与其他技术相比，传统MBE技术在半导体材料、氧化物薄膜等材料生长领域应用已久，有着成熟的技术体系。然而，公司产品与之相比，在多个方面展现出独特优势。从生长机理来看，传统MBE主要依靠热蒸发使原子或分子束蒸发到衬底表面进行生长。而本产品不仅包含热蒸发，还集成了脉冲激光沉积等多种技术，能通过激光能量精确控制原子的蒸发和溅射，使原子更有序地在衬底表面沉积，从而在生长一些复杂结构的薄膜时，能更好地控制原子排列，提高薄膜的结晶质量。但是设备复杂度方面，传统 MBE 设备通常结构较为复杂，多个部件的协同工作对操作人员的技能要求较高，维护成本也相对较高。本产品在设计上进行了优化，采用模块化设计，各部件之间的连接和操作更加简便，降低了设备的整体复杂度，方便操作人员进行日常操作和维护。

在新型二维材料与异质结的研究中，PLD系统也展现出巨大的潜力。除了传统的石墨烯、氮化硼外，科研人员正尝试使用PLD技术制备过渡金属硫族化合物（如MoS2）等二维材料薄膜。更重要的是，利用系统多靶位的优势，可以将不同的二维材料、氧化物、金属等一层一层地堆叠起来，构建出范德华异质结。这些人工设计的异质结构能够产生许多其母体材料所不具备的新奇光电特性，为开发新型晶体管、存储器、光电传感器和量子计算元件开辟了全新的道路。金属 / 氧化物外延生长实验，能依托此纯进口 PLD 系统高效完成。

多腔室系统的协同工作基于先进的设计和控制原理。以一个包含生长室、预处理室和分析室的三腔室系统为例，在生长前，样品先进入预处理室，在高真空环境下对样品进行清洗、除气等预处理操作，去除样品表面的杂质和吸附气体，为后续的薄膜生长提供清洁的表面。预处理完成后，通过可靠、快速的线性传输系统，将样品传输到生长室。在生长室中，精确控制分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积等工艺，进行高质量的薄膜生长。生长完成后，样品被传输到分析室，利用各种分析仪器，如反射高能电子衍射（RHEED）、俄歇电子能谱（AES）等，对薄膜的结构、成分和质量进行原位分析。设备适用于超导材料与拓扑绝缘体研究。脉冲激光沉积外延系统厂家

系统提供选配的基板刻蚀与预处理功能。MBE外延系统排气系统

本产品与CVD技术对比，CVD（化学气相沉积）技术通过化学反应在气相中生成固态薄膜，与本产品在多个方面存在明显差异。在反应条件上，CVD通常需要在较高温度下进行，一般在800-1100°C，这对一些对温度敏感的材料和衬底来说，可能会导致材料性能改变或衬底变形。本产品的沉积过程温度可在很宽的范围内控制，从液氮温度到1400°C，能满足不同材料的生长需求，对于一些不能承受高温的材料，可在低温环境下进行沉积，避免材料性能受损。MBE外延系统排气系统

科睿設備有限公司汇集了大量的优秀人才，集企业奇思，创经济奇迹，一群有梦想有朝气的团队不断在前进的道路上开创新天地，绘画新蓝图，在上海市等地区的化工中始终保持良好的信誉，信奉着“争取每一个客户不容易，失去每一个用户很简单”的理念，市场是企业的方向，质量是企业的生命，在公司有效方针的领导下，全体上下，团结一致，共同进退，**协力把各方面工作做得更好，努力开创工作的新局面，公司的新高度，未来科睿設備供应和您一起奔向更美好的未来，即使现在有一点小小的成绩，也不足以骄傲，过去的种种都已成为昨日我们只有总结经验，才能继续上路，让我们一起点燃新的希望，放飞新的梦想！