这就是初期集成电路的构想，晶体管的发明使这种想法成为了可能，1947年在美国贝尔实验室制造出来了***个晶体管，而在此之前要实现电流放大功能只能依靠体积大、耗电量大、结构脆弱的电子管。晶体管具有电子管的主要功能，并且克服了电子管的上述缺点，因此在晶体管发明后，很快就出现了基于半导体的集成电路的构想，也就很快发明出来了集成电路。杰克·基尔比（Jack Kilby）和罗伯特·诺伊斯（Robert Noyce）在1958~1959期间分别发明了锗集成电路和硅集成电路。按照JEDEC（美国联合电子设备委员会）标准对QFP进行的一种分类。滨湖区常见集成电路销售方法
QUIP的别称（见QUIP）。51、QUIP（quad in-line package）四列引脚直插式封装。引脚从封装两个侧面引出，每隔一根交错向下弯曲成四列。引脚中心距1.27mm，当插入印刷基板时，插入中心距就变成2.5mm。因此可用于标准印刷线路板。是比标准DIP更小的一种封装。日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采用了些种封装。材料有陶瓷和塑料两种。引脚数64。52、SDIP（shrink dual in-line package）收缩型DIP。插装型封装之一，形状与DIP相同，但引脚中心距（1.778mm）小于DIP（2.54mm），宜兴质量集成电路产品介绍双侧引脚扁平封装。是SOP的别称（见SOP）。以前曾有此称法，80年代后期已基本上不用。
J形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈J字形，故此得名。通常为塑料制品，多数用于DRAM和SRAM等存储器LSI电路，但绝大部分是DRAM。用SOJ封装的DRAM器件很多都装配在SIMM 上。引脚中心距1.27mm，引脚数从20至40（见SIMM）。63、SQL（Small Out-Line L-leaded package）按照JEDEC（美国联合电子设备工程委员会）标准对SOP所采用的名称（见SOP）。64、SONF（Small Out-Line Non-Fin）无散热片的SOP。与通常的SOP相同。为了在功率IC封装中表示无散热片的区别，有意增添了NF（non-fin）标记。部分半导体厂家采用的名称（见SOP）。
集成电路或称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、芯片（chip）在电子学中是一种把电路（主要包括半导体装置，也包括被动元件等）小型化的方式，并通常制造在半导体晶圆表面上。前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜（thin-film）集成电路。另有一种厚膜（thick-film）混成集成电路（hybrid integrated circuit）是由**半导体设备和被动元件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。本文是关于单片（monolithic）集成电路，即薄膜集成电路。触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。
2025年将持续推进集成电路领域标准研制。 [5]2025年2月28日，国家统计局消息：2024年集成电路产量4514.2亿块，比上年增长22.2%。集成电路出口数量2981亿个，比上年增长11.6%，出口金额11352亿元，比上年增长18.7%。集成电路进口数量5492亿个，比上年增长14.6%，进口金额27445亿元，比上年增长11.7%。 [7]2025年8月14日，国家发展**委党组成员、国家数据局局长刘烈宏在国新办举行的“高质量完成‘十四五’规划”系列主题新闻发布会上介绍，集成电路加快布局，形成覆盖设计、制造、封装测试、装备材料的完整产业链。 [9它在电路中用字母“IC”表示。锡山区常见集成电路现货
按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大类。滨湖区常见集成电路销售方法
26、L－QUAD陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚（0.5mm中心距）和160引脚（0.65mm中心距）的LSI逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。27、MCM（multi-chip module）多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C 和MCM－D三大类。MCM－L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。 MCM－C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或玻璃陶瓷）作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。滨湖区常见集成电路销售方法
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