江苏半导体芯片特种封装

封装的分类。按材料分类，1、金属封装，金属封装从三极管封装开始，然后慢慢应用于直接平面封装，基本上是金属封装-玻璃组装过程。由于包装尺寸严格，精度高，金属零件生产方便，价格低，性能好，包装工艺灵活，普遍应用于振荡器、放大器、频率识别器、交流直流转换器、过滤器、继电器等产品，现在和未来许多微包装和多芯片模块ic包装类型？ic主要有以下几种封装：DIP双排直插封装，QFP/PFP类型封装、BGA类型封装、SO类型封装、QFN封装类型。IC封装的特点是器件密度高，可靠性好，耐热性能好，体积小。江苏半导体芯片特种封装

封装种类：LQFP、L-QUAD、MCM多芯片组件封装、MFP小形扁平封装、MQFP、MQUADQFP封装、MSP、 P-、PACPCLP印刷电路板无引线封装▪ PFPF塑料扁平封装、PGA陈列引脚封装、 piggy back驮载封装、PLCC塑料芯片载体、P-LCC、QFH四侧引脚厚体扁平封装、QFI四侧I 形引脚扁平封装、QFJ四侧J 形引脚扁平封装、QFN四侧无引脚扁平封装、QFP四侧引脚扁平封装、QFP、 QIC、QIP、QTCP四侧引脚带载封装、QTP四侧引脚带载封装、QUIL、 QUIP四列引脚直插式封装、SDIP、 SH-DIP、SIL、SIMM、SIP单列直插式封装、SK-DIP▪ SL-DIP、SMD表面贴装器件、SOI I 形引脚小外型封装、SOIC、SOJJ 形引脚小外型封装、SQL、SONF、SOP小外形封装、 SOW。防震特种封装市价D-PAK 封装的优点是体积小、重量轻、高频性能好，缺点是散热性能较差。

此外，封装基板行业将继续寻求创新，以满足各种应用领域的需求，未来行业发展趋势如下：1、高性能和高密度封装。封装基板行业正朝着实现更高性能和更高密度的方向发展。随着电子设备的不断进化，对于更小尺寸、更高集成度以及更复杂的电路设计的需求不断增加。多层封装、高速信号完整性以及微细连接线路等技术的发展，都旨在满足这一方向的要求。此外，系统级封装的趋势也是为了在有限空间内实现更多功能和性能。2、新材料应用。封装基板行业对新材料和工艺的探索是不断前进的方向。寻找更优越的材料，如高导热性材料和低介电常数材料，有助于提高热性能和信号传输质量。3、应用驱动的创新。物联网（IoT）和5G等新兴应用正推动封装基板行业朝着创新方向发展。这些应用对更高的集成度、更快的数据传输速率、更低的功耗等提出了需求，促使行业在连接技术、封装工艺和设计方法方面进行创新。

TO 封装。TO 封装是典型的金属封装。TO 封装具有高速、高导热的优良性能。对于光通信中的高速器件，使用金属 TO 外壳封装可实现 25Gbit/s 以上传输速率；对于需要散热效率高的电子器件或模块，使用高导热 TO 外壳封装能够达到更好的散热效果，该类外壳以无氧铜代替传统可伐合金，导热速率是传统外壳的 10 倍以上。常见的TO规格有TO-18、TO-46、TO-56、TO-8、TO-9、TO-10等，如图1所示为多种规格型号的TO元器件。上述各类TO元器件的封装，可采用储能式封焊机进行封装，例如北京科信机电技术研究所（以下简称北京科信）生产的FHJ-3自动储能式封焊机。储能式封焊机，其工作原理主要是采用一定的充电电路对电容进行充电，由电容先将能量储存起来，当储存的能量达到可以使被焊接器件接触面焊点熔化的能量值时，控制系统控制电容瞬时放电，向焊接区提供集中能量，从而得到表面质量好、变形小的焊件。SOT封装的优点是体积小、重量轻、安装方便，缺点是散热性能较差。

电源制作所需器件封装种类详解：一、电解电容器封装，电解电容器封装种类有SMD、DIP、Snap-in等。其中，Snap-in适合制作大容量电源；DIP适合制作小功率电源；SMD适合POE电源等应用。在选择电解电容器封装时，需要注意电容器工作电压、电容量、较大温度等参数。二、电感器封装，电感器封装种类有SMD、DIP、Radial等。其中，SMD适合制作轻便小型电源；DIP适合制作小功率电源；Radial适合制作高功率电源。在选择电感器封装时，需要注意电感值、较大电流、较大直流电阻等参数。QFN封装属于引线框架封装系列。山西防震特种封装方式

IC封装，IC(Integrated Circuit)封装是将多个半导体器件（二极管、三极管、MOS管、电容、电阻等）。江苏半导体芯片特种封装

无源晶振封装，常见的无源晶振封装有HC-49U（简称49U）、HC-49S（简称49S）、UM系列等，如图8所示。49U、49S、UM系列是现在石英晶振使用较普遍的几个产品，因其成本较低、精度、稳定度等符合民用电子设备，所以受到工厂的青睐。以HC-49S为例进行介绍，49S又称为HC-49US封装。HC-49S属于直插式石英晶振封装，直插2脚，高壳体积为10.5×4.5×3.5MM，矮壳体积10.5×5.0×2.5MM，属国际通用标准，普通参数标准负载电容为20PF（12PF 16PF 30PF等） 精度为±20PPM ±50ppm等，电阻120Ω，参数标准方面跟HC-49U、HC-49SMD无差别。49S相对49U体积较小，不会因体积大造成电路板空间的浪费，进而不会增加电路板的造价成本，已逐步替代49U。江苏半导体芯片特种封装