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半导体放电管基本参数
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半导体放电管企业商机

半导体放电管是一种过压保护器件,是利用晶闸管原理制成的,依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电,可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围,构成了过压保护的范围。选用半导体放电管应注意以下几点:1、比较大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCCPart68A类型的IPP应大于100A;Bellcore1089的IPP应大于25A。2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的比较大瞬间峰值电压。3、半导体放电管处于导通状态(导通)时,所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm,Pcm=KVT*IPP,其中K由短路电流的波形决定。对于指数波,方波,正弦波,三角波K值分别为1.00,1.4,2.2,2.8。4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中,比较大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V,所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中,比较大DC电压(150V)和比较大信号电压(3V)之和为153V,所以应选择VBR大于153V的器件。5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位,器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即:IH(系统电压/源阻抗)。气体放电管深圳市凯轩业科技有限公司,欢迎亲咨询。甘肃半导体放电管单价

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主要技术参数及使用选择1.直流放电电压在上升陡度低于100V/s的电压作用下,放电管开始放电的平均电压值称为其直流放电电压。由于放电的分散性,所以,直流放电电压是一个数值范围。2.冲击放电电压在具有规定上升陡度的暂态电压脉冲作用下,放电管开始放电的电压值称为其冲击放电电压。放电管的响应时间或动作时延与电压脉冲的上升陡度有关,对于不同的上升陡度,放电管的冲击放电电压是不同的。3.工频耐受电流放电管通过工频电流5次,使管子的直流放电电压及绝缘电阻无明显变化的最大电流称为其工频耐受电流。4.冲击耐受电流将放电管通过规定波形和规定次数的脉冲电流,使其直流放电电压和绝缘电阻不会发生明显变化的最大值电流峰值称为管子的冲击耐受电流。这一参数是在一定波形和一定通流次数下给出的,制造厂通常给出在8/20us波形下通流10次的冲击耐受电流,也有给出在10/1000us波形下通流300次的冲击耐受电流。甘肃半导体放电管单价半导体放电管深圳市凯轩业科技有限公司,欢迎亲咨询。

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随着用户对产品质量的高要求、高标准,生产商在进行产品研发设计时也随之提高了其安全可靠性等相关标准,这也使得**终应用在产品端口的防护方案都是电子工程师经过无数次设计、整改、测试完善的。而对于防护方案中所应用到的各类电路保护器件的选型,电子工程师也是慎之又慎,生怕选错型号,造成不必要的电路损坏。本篇是硕凯电子小编根据硕凯电子股份有限公司的FAE技术工程师的选型经验整理的精选资料,旨在教会新手工程师优化产品端口防护方案的玻璃放电管选型技巧。

气体放电学原理1.碰撞,激发与电离1)碰撞分为弹性碰撞与非弹性碰撞,弹性碰撞只改变电子及分子的运动方向,非弹性碰撞则引起原子的激发与电离2)潘宁效应:PenningEffectA,B分别为不同种类的原子,而且,原子A的激发电位大于原子B的电离电位,当受激原子A与基态原子B碰撞后,使基态原子B电离,受激原子A的能级降低或变为基态原子A,这种过程称为潘宁碰撞或潘宁效应。例如:Ne的亚稳态激发电位是16。53V,大于Ar的电离电位15。69V。3)电离前的管内电流电压变化原理(瞬间变化)当电压逐渐增加时,电流逐渐增加:电压增加到一定程度时,开始有原子被激发,电子能量被转移,此时电流反而减小;当电压继续增加时,电子能量继续增加,电流再次增大。4)激发与电离规则有效碰撞面积越大,激发与电离的几率越大电子的运动速度越大,激发与电离的几率越大;但电子速度到一定程度时,来不及与原子发生能量转移,激发与电离的几率反而减小。当电子速度非常大时,激发与电离的几率再次增加。玻璃放电管的工作原理:玻璃放电管由封装在充满惰性气体的玻璃管中相隔一定距离的两个电极组成。

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半导体放电管是一种过压保护器件,是利用晶闸管原理制成的,依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电,可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围,构成了过压保护的范围。一、定义固体放电管,又称为半导体放电管固体放电管使用时可直接跨接在被保护电路两端。二、应用范围半导体放电管其应用范围***,可用于调制解调器、传真机、PBX系统、电话、POS系统、模拟和数字卡等。三、选用方法选用半导体放电管应注意以下几点:1、比较大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCCPart68A类型的IPP应大于100A;Bellcore1089的IPP应大于25A。2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的比较大瞬间峰值电压。3、半导体放电管处于导通状态(导通)时,所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm,Pcm=KVT*IPP,其中K由短路电流的波形决定。对于指数波,方波,正弦波,三角波K值分别为1.00,1.4,2.2,2.8。气体放电管按照高效率弧光放电的气体物理原理工作。从电气的角度看,气体放电管就是压敏开关。甘肃半导体放电管单价

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半导体过压保护器是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的一种新型保护器件,具有精确导通、快速响应 响应时间 ns 级)、浪涌吸收能力较强、双向对称、可靠性高等特点。由于其浪涌通流能力较同尽寸的TVS管强,可在无源电路中代替 TVS 管使用。但它的导通特性接近于短路,不能直接用于有源电路中,在这样的电路中使用时必须加限流元件,使其续流小于**小维持电流。半导体过压保护器有贴装式、直插式和轴向引线式三种封装形式。-----------甘肃半导体放电管单价

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