反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中，比较大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，比较大DC电压(150V)和比较大信号电压(3V)之和为153V，所以应选择VBR大于153V的器件。5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/源阻抗)。四、特点1.适合高密度表面贴装的防静电浪涌。2.适合流动和量低，可用于高频电路。5.高绝缘阻抗特性。6.可进行编带包装。7.符合IEC61000-4-2规格云南多功能半导体放电管深圳市凯轩业科技厂家直销，原装气体放电管；
气体放电学原理1.碰撞，激发与电离1)碰撞分为弹性碰撞与非弹性碰撞，弹性碰撞只改变电子及分子的运动方向，非弹性碰撞则引起原子的激发与电离2)潘宁效应:PenningEffectA，B分别为不同种类的原子，而且，原子A的激发电位大于原子B的电离电位，当受激原子A与基态原子B碰撞后，使基态原子B电离，受激原子A的能级降低或变为基态原子A，这种过程称为潘宁碰撞或潘宁效应。例如:Ne的亚稳态激发电位是16。53V，大于Ar的电离电位15。69V。3)电离前的管内电流电压变化原理(瞬间变化)当电压逐渐增加时，电流逐渐增加:电压增加到一定程度时，开始有原子被激发，电子能量被转移，此时电流反而减小;当电压继续增加时，电子能量继续增加，电流再次增大。4)激发与电离规则有效碰撞面积越大，激发与电离的几率越大电子的运动速度越大，激发与电离的几率越大;但电子速度到一定程度时，来不及与原子发生能量转移，激发与电离的几率反而减小。当电子速度非常大时，激发与电离的几率再次增加。
半导体放电管是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围。一、定义固体放电管,又称为半导体放电管固体放电管使用时可直接跨接在被保护电路两端。二、应用范围半导体放电管其应用范围***，可用于调制解调器、传真机、PBX系统、电话、POS系统、模拟和数字卡等。三、选用方法选用半导体放电管应注意以下几点：1、比较大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCCPart68A类型的IPP应大于100A；Bellcore1089的IPP应大于25A。2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的比较大瞬间峰值电压。3、半导体放电管处于导通状态(导通)时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。用户的信赖之选，有想法可以来我司咨询！晶体管设计，就选深圳市凯轩业电子科技。
半导体发光器件包括半导体发光二极管（简称LED）、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏（简称矩阵管）等。事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用（一）LED发光原理发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其**是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光深圳市凯轩业科技厂家直销，原装半导体放电管。云南多功能半导体放电管
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2.GDT陶瓷气体放电管是防雷保护设备中应用比较***的电子元保护器件了，因为管内有一定种类和一定浓度的惰性气体，当瞬变电压发生时，管内的气体就是会电离，变成短路状态，使得气体放电管两端的电压迅速降到低值，从而转移瞬变能量，保护电路，因此它也被称为避**。不管是交流还是直流电源，或者是各种信号电路的防雷，都可以用它，主要特点有放电电流大，极间电容小，绝缘电阻高，击穿电压的分散性比较大，响应速度比较慢。它的封装形式有贴装式（分两级管和三级管）、直插式（分两级管和三级管）两种封装形式。3.***一种SPG玻璃放电管，拥有气体放电管的浪涌通流能力跟半导体放电管的响应速度，跟陶瓷气体放电管一样，都是一种防雷元器件，兼容了以上两类放电管优势特性，主要有贴装式、直插式两种封装形式。云南多功能半导体放电管
