滤光片整平光谱响应。
ND#0.5 衰减整平滤波器.單倍整平滤波器用于改善可見光光譜均勻度 + ND#0.5 衰减整平滤波器.
ND#1 衰减整平滤波器.單倍整平滤波器用于改善可見光光譜均勻度 + ND#1 衰减整平滤波器.
ND#2 衰减整平滤波器.單倍整平滤波器用于改善可見光光譜均勻度 + ND#2 衰减整平滤波器.
420nm 高通滤波器.420nm 高通滤波器於滤波器架.
515nm 高通滤波器.515nm 高通滤波器於滤波器架.
520nm 高通滤波器 +ND1.520nm 高通滤波器 + ND#1 十倍衰减整平滤波器.
520nm 高通滤波器 + ND#2520nm 高通滤波器 + ND#2 一百倍衰减整平滤波器.
550nm 高通滤波器550nm 高通滤波器於滤波器架. F30 系列是监控薄膜沉积，**强有力的工具。半导体膜厚仪芯片行业
软件升级提供专门用途的软件。UPG-RT-to-Thickness升级的厚度求解软件，需要UPG-Spec-to-RT。UPG-Thickness-to-n&k升级的折射率求解软件，需要UPG-RT-to-Thickness。UPG-F10-AR-HC为F10-AR升级的FFT硬涂层厚度测量软件。包括TS-Hardcoat-4um厚度标准。厚度测量范围。UPG-RT-to-Color&Regions升级的色彩与光谱区域分析软件，需要UPG-Spec-to-RT。
其他：手提电脑手提电脑预装FILMeasure软件、XP和Microsoft办公软件。电脑提箱用于携带F10、F20、F30和F40系统的提箱。ConflatFeedthrough真空穿通，"conflat、双出入孔SMA，并通过泄漏测试。LensPaper-CenterHole**开孔镜头纸，用于保护面朝下的样品，5本各100张。 透明导电氧化物膜厚仪原理紫外光可测试的深度：***的薄膜（SOI 或 Si-SiGe）或者厚样的近表面局部应力。
F50 系列
包含的内容：集成光谱仪/光源装置光纤电缆4", 6" and 200mm 参考晶圆TS-SiO2-4-7200 厚度标准BK7 参考材料整平滤波器 (用于高反射基板)真空泵备用灯
型号 厚度范围*波长范围
F50：20nm-70µm 380-1050nm
F50-UV：5nm-40µm 190-1100nm
F50-NIR：100nm-250µm 950-1700nm
F50-EXR：20nm-250µm 380-1700nm
F50-UVX：5nm-250µm 190-1700nm
F50-XT：0.2µm-450µm 1440-1690nm
F50-s980：4µm-1mm 960-1000nm
F50-s1310：7µm-2mm 1280-1340nm
F50-s1550：10µm-3mm 1520-1580nm
额外的好处：每台系统內建超过130种材料库, 随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助（周一 - 周五）网上的 “手把手” 支持 (需要连接互联网)硬件升级计划
FSM 413 红外干涉测量设备
关键词：厚度测量，光学测厚，非接触式厚度测量，硅片厚度，氮化硅厚度，激光测厚，近红外光测厚，TSV, CD, Trench，砷化镓厚度，磷化铟厚度，玻璃厚度测量，石英厚度，聚合物厚度, 背磨厚度，上下两个测试头。Michaelson干涉法，翘曲变形。
如果您对该产品感兴趣的话，可以给我留言！
产品名称：红外干涉厚度测量设备
· 产品型号：FSM 413EC, FSM 413MOT，FSM 413SA DP，FSM413C2C, FSM 8108 VITE C2C
如果您需要更多的信息，请联系我们岱美仪器。 重复性: 0.1 μm (1 sigma)单探头* ；0.8 μm (1 sigma)双探头*。
电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学，半导体，以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。
测量范例氮化硅薄膜作为电介质，钝化层，或掩膜材料被广泛应用于半导体产业。这个案例中，我们用F20-UVX成功地测量了硅基底上氮化硅薄膜的厚度，折射率，和消光系数。有趣的事，氮化硅薄膜的光学性质与薄膜的分子当量紧密相关。使用Filmetrics专有的氮化硅扩散模型，F20-UVX可以很容易地测量氮化硅薄膜的厚度和光学性质，不管他们是富硅，贫硅，还是分子当量。 采用Michaelson干涉方法，红外波段的激光能更好的穿透被测物体，准确得到测试结果。盒厚膜厚仪学校会用吗
测量厚度: 15 — 780 μm (单探头) ； 3 mm (双探头总厚度测量)。半导体膜厚仪芯片行业
电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学，半导体，以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。常见的电介质有:二氧化硅 – **简单的材料之一, 主要是因为它在大部分光谱上的无吸收性 (k=0)， 而且非常接近化学计量 (就是说，硅：氧非常接近 1:2)。 受热生长的二氧化硅对光谱反应规范，通常被用来做厚度和折射率标准。 Filmetrics能测量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 对此薄膜的测量比很多电介质困难，因为硅：氮比率通常不是3：4, 而且折射率一般要与薄膜厚度同时测量。 更麻烦的是，氧常常渗入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大测量难度。 但是幸运的是，我们的系统能在几秒钟内 “一键” 测量氮化硅薄膜完整特征!半导体膜厚仪芯片行业
