雪崩失效分析(电压失效),底什么是雪崩失效呢,简单来说MOSFET在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系统电压叠加在MOSFET漏源之间,导致的一种失效模式。简而言之就是由于就是MOSFET漏源极的电压超过其规定电压值并达到一定的能量限度而导致的一种常见的失效模式。下面的图片为雪崩测试的等效原理图,做为电源工程师可以简...
查看详细 >>在较初被发明的那个年代,二极管通常被称作“整流器”。在1919年四极管被人发明后,威廉·亨利·埃克尔斯创造了术语 Diode ,是从希腊语词根( δί ,di,“二”)和( ὁδός ,ode,“路径”)两者结合而来的。尽管二极管基本都有着“整流”作用,但是现在“整流器”一词通常在特定情况下才会被使用。如电源供应所需要的“半波整流”或“全...
查看详细 >>发光二极管,发光二极管名称名称为Light-emitting diode,简称LED。是一种常用的发光器件,通过电子与空穴复合释放能量发光。发光二极管可高效地将电能转化为光能,在现代社会具有普遍的用途,如照明、平板显示、医疗器件等。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成,也具有单向导电性。在PN结中注入的少数载流子与多数载流子复合时...
查看详细 >>点接触式二极管,点接触式二极管和下文所述的面接触式二极管工作原理类似,不过构造较为简单。主要结构即为一个由第三主族金属制成的导电的顶端,和一块与其相接触的N型半导体。一些金属会进入半导体,接触面的这一小片区域就成为了P型半导体。长期流行的1N34锗型二极管,目前还在无线电接收器中的检波器中使用,并有时会在一些应用模拟电子的场合使用。整流动...
查看详细 >>大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”功能。二极管较普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断 (称为逆向偏压)。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀。然而实际上二极管并不会表现出如此完美的开与关的方向性,而是较为复杂的非线性电子特征——这是由特定类型的二极管技术决定的。二极管使...
查看详细 >>功能,二极管具有阳极和阴极两个端子,电流只能往单一方向流动。也就是说,电流可以从阳极流向阴极,而不能从阴极流向阳极。对二极管所具备的这种单向特性的应用,通常称之为“整流”功能。在真空管内,借由电极之间加上的电压能够让热电子从阴极到达阳极,因而有整流的作用。将交流电转变为脉动直流电,包括无线电接收器对无线电信号的调制,都是通过整流来完成的。...
查看详细 >>极限参数:a.集电极较大允许电流ICM集电极较大允许电流是指当集电极电流IC增加到某一数值,引起β值下降到额定值的2/3或1/2时的IC值。所以当集电极电流超过集电极较大允许电流时,虽然不致使管子损坏,但β值明显下降,影响放大质量。b.集电极—基极击穿电压U(BR)CBO集电极—基极击穿电压是指当发射极开路时,集电结的反向击穿电压。c.发...
查看详细 >>静态电特性:注①:Vgs(off)其实就是开启电压Vgs(th),只不过这里看的角度不一样。注②:看完前文的读者应该知道为什么这里两个Rds(on)大小有差异,不知道的回去前面重新看。动态点特性:注①:Ciss = Cgs + Cgd ;Coss = Cds ;Crss = Cgd;注②:MOS管开启速度较主要关注的参数是Qg,也就是形成...
查看详细 >>什么是三极管?三极管是一种电子元件,也被称为晶体三极管。它由三个掺杂不同类型半导体材料制成,主要用于放大电路和开关电路中。三极管是现代电子技术中较重要的器件之一,普遍应用于各种电子设备中。三极管的工作原理:三极管有三个区域:基区、发射区和集电区。基区和集电区都是掺杂相反类型的半导体材料,而发射区则是另一种掺杂类型的半导体材料。当一个正向电...
查看详细 >>内置MOSFET的IC当然 不用我们再考虑了,一般大于1A电流会考虑外置MOSFET.为了获得到更大、更灵活的LED功率能力,外置MOSFET是独一的选择方式,IC需要合适 的驱动能力,MOSFET输入电容是关键的参数。下图Cgd和Cgs是MOSFET等效结电容。一般IC的PWM OUT输出内部集成了限流电阻,具体数值大小同IC的峰值驱动...
查看详细 >>在汞弧阀(具有冷阴极的汞蒸气离子阀)中,一种难熔的导电阳极与一池作为阴极的液态汞之间会形成电弧,电压单位可达数百千瓦,这对高压直流输电的发展起到了促进作用。一些小型的热离子整流器有时候也用汞蒸气填充,以减少他们的正向压降并增加这种热离子强真空器件的电流额定值。因此近年来,在音响发烧友和录音棚所用的音频设备中,应用真空二极管的老式音频设备有...
查看详细 >>LED 灯具的驱动。设计LED灯具的时候经常要使用MOS管,对LED恒流驱动而言,一般使用NMOS。功率MOSFET和双极型晶体管不同,它的栅极电容比较大,在导通之前要先对该电容充电,当电容电压超过阈值电压(VGS-TH)时MOSFET才开始导通。因此,设计时必须注意栅极驱动器负载能力必须足够大,以保证在系统要求的时间内完成对等效栅极电容...
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