早期的二极管包含“猫须晶体（"Cat's Whisker" Crystals）”以及真空管(英国称为“热游离阀（Thermionic Valves）”)。现今较普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。正向性，外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使...

半导体二极管的非线性电流-电压特性，可以根据选择不同的半导体材料和掺杂不同的杂质从而形成杂质半导体来改变。特性改变后的二极管在使用上除了用做开关的方式之外，还有很多其他的功能，如：用来调节电压（齐纳二极管），限制高电压从而保护电路（雪崩二极管），无线电调谐（变容二极管），产生射频振荡（隧道二极管、耿氏二极管、IMPATT二极管）以及产生光...

二极管概述，二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。晶体二极管的主要是PN结，关于PN结首先要了解三个概念。本征半导体：指不含任何掺杂元素的半导体，如纯硅晶片或纯锗晶片。P型半导体：掺杂了产生空穴的含较低电价杂质的半导体，如在本征半导体中Si(4+)中掺入...

江崎二极管，阻尼二极管又称隧道二极管、穿隧效应二极管、穿隧二极管、透纳二极管，英文名称为Tunnel Diode，它是一种可以高速切换的半导体二极管，其切换速度可到达微波频率的范围，其原理是利用量子穿隧效应。它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。江崎二极管是采用砷化镓（GaAs）和锑化镓（GaSb）等材料混合制成的半导体二极管，其...

对于开关频率小于100kHz的信号一般取（400～500）kHz载波频率较好，变压器选用较高磁导如5K、7K等高频环形磁芯，其原边磁化电感小于约1毫亨左右为好。这种驱动电路只适合于信号频率小于100kHz的场合，因信号频率相对载波频率太高的话，相对延时太多，且所需驱动功率增大，UC3724和UC3725芯片发热温升较高，故100kHz以上...

二极管是什么样子的？二极管在电路中应用和之前介绍的电阻，电容，电感一样，非常常见。可以说正是因为半导体材料的发现和半导体技术的发展才有我们现今琳琅满目的电子产品世界。二极管作为半导体材料较原始的应用，其在电子技术中的地位可想而知。那么它究竟是何方神圣呢？二极管的分类：实际应用中二极管样式也是多种多样，按照不一样的应用场景二极管也被分成各种...

下面对MOS失效的原因总结以下六点，然后对1，2重点进行分析：1：雪崩失效（电压失效），也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。2：SOA失效（电流失效），既超出MOSFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的...

静态电特性：注①：Vgs（off）其实就是开启电压Vgs（th），只不过这里看的角度不一样。注②：看完前文的读者应该知道为什么这里两个Rds（on）大小有差异，不知道的回去前面重新看。动态点特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ；Coss = Cds ；Crss = Cgd；注②：MOS管开启速度较主要关注的参数是Qg，也就是形成...

三极管的原理，三极管可以看做一个小阀门控制大阀门的元件，基极和发射极原理为一个二极管，当给基极一个电压，基极和发射极就会导通，基极也就有了电流，这个时候集电极和发射极也会导通，当基极电压越大集电极流向发射极的电流也会越大，也就是阀门打开的越大，微弱的基极电流和大量的集电极电流都汇聚到发射极流出，当基极电流为0，集电极电流也就为0，这个时候...

快恢复二极管英文名称为Fast Recovery Diodes，简称FRD，是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增...

三极管主要参数，三极管的参数有很多，可以分成三大类：直流参数、交流参数、极限参数。1、直流参数，共发射极直流放大倍数：共发射极电路中，没有交流输入时，集电极电流与基极电流之比；集电极-基极反向截至电流：发射极开路时，集电极上加有规定的反向偏置电压，此时的集电极电流称为集电极-基极反向截止电流；集电极-发射极反向截止电流：又称穿透电流，基极...

MOS管发热情况有：1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的较忌讳的错误。2....