三极管的分类:1、按材质分: 硅管(导通压降0.7V)、锗管(导通压降0.3V)。2、按结构分: NPN 、 PNP。3、按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管。达林顿管:又叫复合管,将两个三极管串联,以组成一只等效的新的三极管。接法总共有4种:NPN+NPN、NPN+PNP、PNP+PNP、PNP+NPN。4、按功率分:小功率管(...
查看详细 >>常见到的是发红光、绿光或黄光的发光二极管,翠绿色是人眼感觉较舒服的颜色,所以发翠绿光的发光二极管使用的较多,同时价格也就较便宜,比如手机上的按键灯颜色大多是翠绿色的。每种颜色的发光二极管内阻是不同的,这就造成了同样电压和电流情况下,发出的光线强度不同,比如电路中使用绿色的发光二极管,光线就很亮,但换成红色的发光二极管,发出的红光就很暗。因...
查看详细 >>与双极型晶体管相比,场效应管具有如下特点。(1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流);(2)场效应管的控制输入端电流极小,因此它的输入电阻(107~1012Ω)很大。(3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;(5)场效...
查看详细 >>半导体二极管的参数介绍如下:1、反向电流IR:指管子末击穿时的反向电流, 其值愈小,则管子的单向导电性愈好。由于温度增加,反向电流会急剧增加,所以在使用二极管时要注意温度的影响。2、正向压降VD:在规定的正向电流下,二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下,约0.6~0.8V;锗二极管约0.2~0.3V。3、动态电阻r...
查看详细 >>场效应管应用场景:电路主电源开关,完全切断,低功耗省电。大功率负载供电开关,如:电机,太阳能电池充电\放电,电动车电池充电逆变器SPWM波升压部分功率电路;功放,音响的功率线性放大电路;数字电路中用于电平信号转换;开关电源中,高频大功率状态;用于LED灯的恒流驱动电路;汽车、电力、通信、工业控制、家用电器等。MOS管G、S、D区分以及电流...
查看详细 >>本文介绍N沟道增强型MOSFET场效应管;(1)结构,在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上,制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作漏极d和源极s。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层,在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。衬底上也引出一个电极B,这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS...
查看详细 >>场效应管的工作方式有两种:当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型;当栅压为零,漏极电流也为零,必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。作用:1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3....
查看详细 >>硅三极管比锗管反向漏电流小,输出特性平直、耐压比较高,温度特性较好。常用型号有:3DG系列高频小功率硅三极管、3DX系列硅低频管、3DA系列硅高频大功率管、3CG系列硅高频管、3CK系列开关三极管、3CX系列硅低频管等。高频管和低频管(按特征频率分),特征频率fT小于3MHz的为低频管;大于3MHz的为高频管。目前多用硅材料制成三极管,特...
查看详细 >>二极管的分类:一、按半导体材料分类,二极管按其使用的材料可分为锗(Ge)二极管、硅(Si)二极管、砷化镓(GaAs)二极管、磷化镓(GaP)二极管等。二、按封装形式分类,二极管按其封装形式可分为塑料二极管、玻璃二极管、金属二极管、片状二极管、无引线圆柱形二极管。三、按结构分类,半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触...
查看详细 >>三极管的应用:①稳压功能,三极管还具有稳压功能,可以用于稳定电压。通过调整三极管的工作状态,可以使电路的输出电压保持稳定。在稳压电源、电池充电器中应用较多。除了以上应用外,三极管还可以用于振荡器、调制解调器、电视机等电子设备中。总之,三极管作为一种重要的电子元件,在电子电路中的应用非常普遍。②开关控制,三极管可以通过控制输入信号的高低电平...
查看详细 >>搭建如下电路,使集电结反偏,发射结正偏。反向偏置的集电结在外部电场的帮助下变宽,同时正向偏置的发射结,由于内部电场被削弱,自由电子扩散运动增强,发射区内部的大量自由电子扩散到了基区,被集电结的内部电场捕获,被电场加速送到了集电结,集电区内部的自由电子被反向偏置电压吸出,产生大量空穴,这些空穴收集发射过来的电子,从而形成集电极电流Ic。发射...
查看详细 >>搭建如下电路,使集电结反偏,发射结正偏。反向偏置的集电结在外部电场的帮助下变宽,同时正向偏置的发射结,由于内部电场被削弱,自由电子扩散运动增强,发射区内部的大量自由电子扩散到了基区,被集电结的内部电场捕获,被电场加速送到了集电结,集电区内部的自由电子被反向偏置电压吸出,产生大量空穴,这些空穴收集发射过来的电子,从而形成集电极电流Ic。发射...
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