三极管放大信号,三极管在放大信号时,首先要进入导通状态,即要先建立合适的静态工作点,也叫 建立偏置 ,否则会放大失真。我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic。这两个电流的方向都是流入发射极的,所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。关于三极管β值:硅三极管β值常用范围为:3...
查看详细 >>交流参数:a.交流电流放大系数β(或hFE)交流电流放大系数是指采用共发射极接法时,集电极输出电流的变化量ΔIC与基极输入电流的变化量ΔIB之比。b.截止频率fβ、fα晶体管的频率参数描述晶体管的电流放大系数对高频信号的适应能力。根据fβ的定义,所谓共射截止频率,并非说明此时晶体管已经完全失去放大作用,而只是共射电流放大系数的幅频特性下降...
查看详细 >>电压和电流的选择。额定电压越大,器件的成本就越高。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使MOSFET不 会失效。就选择MOSFET而言,必须确定漏极至源极间可能承受的较大电压,即较大VDS。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机 或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不...
查看详细 >>场效应管主要参数:一、饱和漏源电流。饱和漏源电流IDSS:是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流。二、夹断电压,夹断电压Up是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。三、开启电压。开启电压UT是指加强型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。四、跨导。跨导gm是表示栅源电压UGS对漏极电...
查看详细 >>MOS场效应管电源开关电路,MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极...
查看详细 >>三极管的起源,1947年12月23日,巴丁博士、布莱顿博士和肖克莱博士发现,在他们发明的器件中通过的一部分微量电流,竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流,因而产生了放大效应,这个器件就叫晶体管。三极管的发展沿革,在晶体管电子流出端的衬底外,沉积一层对应材料,当电子流过时,需要从衬底吸入热量,这就为晶体管主要散热提供一个很好的途径,因为带...
查看详细 >>在电子工程领域,二极管作为基础的电子元件,其种类繁多,功能各异。其中,稳压二极管和普通二极管因其独特的特性和应用场景而备受关注。本文将详细比较稳压二极管与普通二极管的不同之处,以便读者更好地理解和应用这两种元件。功能区别,稳压二极管,也被称为齐纳二极管,其主要功能是维持电路中的稳定电压值。它利用PN结反向击穿状态,在电流可在很大范围内变化...
查看详细 >>晶体二极管分类如下:1、点接触型二极管,点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。因此,其PN结的静电容量小,适用于高频电路。但是,与面结型相比较,点接触型二极管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流。因为构造简单,所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言,它是...
查看详细 >>判断源极S、漏极D,将万用表拨至R×1k档分别丈量三个管脚之间的电阻。用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。因为测试前提不同,测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。丈量漏-源通态电阻RDS(on),在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电...
查看详细 >>三极管的作用:扩流。把一只小功率可控硅和一只大功率三极管组合,就可得到一只大功率可控硅,其较大输出电流由大功率三极管的特性决定,见附图9(a)。图9(b)为电容容量扩大电路。利用三极管的电流放大作用,将电容容量扩大若干倍。这种等效电容和一般电容器一样,可浮置工作,适用于在长延时电路中作定时电容。用稳压二极管构成的稳压电路虽具有简单、元件少...
查看详细 >>三极管能够放大信号的理解,三极管具有电流放大作用,它是一个电流控制器件。所谓电流控制器件是指,它用很小的基极电流来控制比较大的集电极电流和发射极电流。三极管电路中,三极管输出电流(集电极电流、发射极电流)是由直流电源提供的,基极电流则是一部分由所要放大的信号源电路提供,另一部分也是由直流电源提供。基极电流分为两部分:直流电源提供的静态偏置...
查看详细 >>印度人贾格迪什·钱德拉·博斯在1894年成为了头一个使用晶体检测无线电波的科学家。他也在厘米和毫米级别对微波进行了研究 [10] [11] 。1903年,格林里夫·惠特勒·皮卡德( Greenleaf Whittier Pickard )发明了硅晶检波器,并在1906年11月20日注册了专业技术 。也正是因为格林里夫,使得晶体检波器发展成...
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