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规格书WILLSEMI韦尔WPMD2084
WL2803E:极低压差、500mA、CMOSLDO(低压差线性稳压器 产品描述 WL2803E系列是一款具有极低压差、低静态电流和高电源抑制比(PSRR)的CMOSLDO。在500mA负载电流下,其压差电压典型值为130mV。由于采...
2024/03/13 查看详细13
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规格书WILLSEMI韦尔WNM3051
RB521S30肖特基势垒二极管 特性:小型表面贴装类型、高可靠性低正向电压、、无铅器件 应用:低电流整流 介绍: RB521S30是一款肖特基势垒二极管,它具有一系列出色的特性,使其在各种应用中表现优异。首先,其小...
2024/03/13 查看详细13
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规格书WILLSEMI韦尔WS742133
WS4612:60mΩ电流限制型电源分配开关 产品描述 WS4612是一款具有高侧开关和极低导通电阻的P-MOSFET。其集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入,从而保护电源。此外,WS4612还集成了反向保护功...
2024/03/13 查看详细13
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规格书WILLSEMI韦尔WNM03316DN
WL2836E:低噪声、高PSRR、高速CMOSLDO 产品描述: WL2836E系列是一款高精度、低噪声、高速、高PSRR(电源抑制比)、低压降CMOS线性稳压器,具有出色的抗纹波能力。这些器件为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提...
2024/03/13 查看详细13
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规格书WILLSEMI韦尔WNM2020A
ESD5471X1线双向瞬态电压抑制器 产品描述: ESD5471X是一款双向瞬态电压抑制器(TVS)。它特别设计用于保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子组件,免受由静电放电(ESD)、电气快速瞬态(EFT)和雷电引起的过应...
2024/03/13 查看详细13
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中文资料WILLSEMI韦尔SPD82152BH
WPM3401:单P沟道、-30V、-4.6A功率MOSFET WPM3401是一种P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别定制于极小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用、笔记本电脑的电源...
2024/03/13 查看详细13
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规格书WILLSEMI韦尔SPD82242B
WPM2015xx是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管(MOSFET)。它采用先进的沟槽技术和设计,具有出色的RDS(ON)(导通电阻)和低栅极电荷。这使得WPM2015xx在中等电源电流和电流产出量的应用中表现出色,尤其适用于电池管理、电机控制和高速...
2024/03/12 查看详细12
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代理分销商BEILING贝岭BL1065
BL24C16F-RRRC是一款由上海贝岭(Belling)生产的EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory,电可擦写可编程只读存储器)芯片。 以下是BL24C16F-RRRC...
2024/03/12 查看详细12
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规格书BEILING贝岭BL8536CB3TR33
BL3085N(I56)是一款半双工、自适应总线极性的RS-485收发器,由上海贝岭(Belling)公司生产。这款芯片内部包含一路驱动器和一路接收器,具有集成总线极性判断电路,能够在由RS-485通讯芯片构成的通讯系统中自动适应总线端口的极性。 ...
2024/03/11 查看详细11
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规格书BEILING贝岭BL8837
BL1532MSOP是一种低功耗、双端口、高速、USB2.0(480Mbps)双极双掷(DPDT)模拟开关。这种开关在VCC=3V时的电阻为4.5欧姆,低电容为3.7pf。它的封装形式是MSOP10,适用于需要高速、低功耗和双端口的电子设备。BL153...
2024/03/11 查看详细11
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规格书BEILING贝岭BL1532MSOP
BL24C512A-SFRC是一款EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory,电可擦写可编程只读存储器)芯片,由上海贝岭(Belling)生产。 这款芯片的主要特性和规格如下:...
2024/03/11 查看详细11
2024/03 -
代理分销商BEILING贝岭BL8536CB3TR33
BL3085N(I56)是一款半双工、自适应总线极性的RS-485收发器,由上海贝岭(Belling)公司生产。这款芯片内部包含一路驱动器和一路接收器,具有集成总线极性判断电路,能够在由RS-485通讯芯片构成的通讯系统中自动适应总线端口的极性。 ...
2024/03/10 查看详细10
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