BL9161G-33BARN是一款由上海贝岭生产的高性能电源管理芯片，具有多种特点和应用优势。 它采用了高效率的DC-DC转换器，能够提供高达94%的转换效率，这意味着在电源转换过程中，能量的损失被降低，从而提高了电池的使用寿命。此外，这款芯...

2024/03/20 查看详细

WPM1483是一个单P沟道、-12V、-5A的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它采用了先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1483为无...

2024/03/20 查看详细

ESD5301N：低电容单线单向瞬态电压抑制器 产品描述： ESD5301N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，免受由静电放电（ESD）引起的过度应力影...

2024/03/20 查看详细

BL1551B是一款模拟开关，具体地说：它是一个单通道、高带宽的单刀双掷（SPDT）模拟开关。这种开关特别适用于数据和音频信号的切换。 以下是BL1551B的主要特性和优势： 高带宽：BL1551B具有高达350MHz的带宽，这使得...

2024/03/19 查看详细

WS4612：60mΩ电流限制型电源分配开关 产品描述 WS4612是一款具有高侧开关和极低导通电阻的P-MOSFET。其集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入，从而保护电源。此外，WS4612还集成了反向保护功...

2024/03/19 查看详细

WL2803E系列是一款极低压差、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO）。在500mA负载电流下，其压差电压典型值为130mV。采用CMOS结构，WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA，这使...

2024/03/19 查看详细

ULN2003是一款高耐压、大电流复合晶体管阵列，由七个硅NPN复合晶体管组成。每个晶体管都具有高耐压和大电流输出的特性，可以承受高达50V的电压，并且其输出电流可达500mA。这使得ULN2003非常适合于驱动电感、继电器、步进电机等高电压和高电流负载。...

2024/03/19 查看详细

SD5302F是一款专为保护高速数据接口设计的极低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列。它特别设计用于保护连接到数据线和传输线的敏感电子组件免受ESD（静电放电）引起的过应力影响。ESD5302F结合了两对极低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据I...

2024/03/19 查看详细

BLM3401是一款由上海贝岭（Belling）生产的功率MOSFET，属于P沟道增强型功率MOSFET，其型号为BLM3401。该MOSFET具有VDS=30V、VGS=±20V、ID=4.2A和P=1.2W的特性，封装规格为SOT23。 ...

2024/03/18 查看详细

BL24C256A-NTRC是一款由上海贝岭（Belling）公司生产的EEPROM（ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory，电可擦除可编程只读存储器）芯片。这款芯片具有256K位（即1024个页...

2024/03/18 查看详细

ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器 产品描述： ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器（TVS）阵列，专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件，免受静电放电（ESD...

2024/03/18 查看详细

BL1117-33CY是一款由上海贝岭（Belling）生产的3.3VLDO（LowDropoutRegulator）稳压芯片。 该芯片的特点包括： 高效率：BL1117-33CY采用先进的工艺和设计，具有高效率，能够有效地将输入电压转...

2024/03/18 查看详细