企业商机
WILLSEMI韦尔基本参数
  • 品牌
  • WILLSEMI韦尔
  • 型号
  • WILLSEMI韦尔
  • 封装形式
  • DIP,PGA,TQFP,SMD,MCM,PQFP,BGA,SDIP,TSOP,QFP,SOP/SOIC,QFP/PFP,CSP,PLCC
  • 导电类型
  • 单极型,双极型
  • 封装外形
  • 扁平型,单列直插式,双列直插式,金属壳圆形型
  • 集成度
  • 小规模(<50),中规模(50~100),大规模(100~10000),超大规模(>10000)
WILLSEMI韦尔企业商机

  WPM2015xx是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管(MOSFET)。它采用先进的沟槽技术和设计,具有出色的RDS(ON)(导通电阻)和低栅极电荷。这使得WPM2015xx在中等电源电流和电流产出量的应用中表现出色,尤其适用于电池管理、电机控制和高速开关等场景。

  WPM2015xx的主要特点包括:

1:稳定的走电电压和出色的导电电阻,这有助于在电子设备中实现高效、稳定的性能。

2:适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用,这些应用需要精确控制电流和电压。

3:采用无铅、无卤的环保封装,符合现代电子产品的环保要求。

4:具有超高密度电池设计,适用于需要高效率和高稳定性的电池管理系统。

5:极低的阈值电压和小型化的SOT-23封装使得WPM2015xx在空间受限的应用中也能发挥出色的性能。

  在实际应用中,WPM2015xx可以用于继电器、电磁铁和电机等设备的驱动和控制。通过控制栅极电压,WPM2015xx可以实现对电流的精确调节,从而实现对电机等设备的控制。

  安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐WPM2015xx这款MOS,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持,请随时联系我们。 ESD54211N-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:WBFBP-02C-C。规格书WILLSEMI韦尔SPD82242B

规格书WILLSEMI韦尔SPD82242B,WILLSEMI韦尔

     SD5302F是一款专为保护高速数据接口设计的极低电容TVS(瞬态电压抑制器)阵列。它特别设计用于保护连接到数据线和传输线的敏感电子组件免受ESD(静电放电)引起的过应力影响。ESD5302F结合了两对极低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可用于提供高达±20kV(接触和空气放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5302F采用SOT-23封装。标准产品为无铅和无卤素。

主要特性:

· 截止电压:5V

· 每条线路均符合IEC61000-4-2(ESD)标准的瞬态保护:±20kV(接触和空气放电)

· 符合IEC61000-4-4(EFT)标准的瞬态保护:40A(5/50ns)

· 符合IEC61000-4-5(浪涌)标准的瞬态保护:4A(8/20μs)

· 极低电容:CJ=0.4pF(典型值)

· 极低漏电流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位电压:VCL=20V@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

应用领域:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

      ESD5302F保护高速数据接口免受静电放电等损害,确保信号完整性,承受力强。适合紧凑设备,环保。是高速数据接口的理想保护组件。详情查阅手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WPM3048ESD56131W-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOD-323F。

规格书WILLSEMI韦尔SPD82242B,WILLSEMI韦尔

WL2836E:低噪声、高PSRR、高速CMOSLDO

产品描述:

      WL2836E系列是一款高精度、低噪声、高速、高PSRR(电源抑制比)、低压降CMOS线性稳压器,具有出色的抗纹波能力。这些器件为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了具有成本效益的新一代性能。WL2836E具有随输出电压变化的折返至高输出电流,因此电流限制功能既作为短路保护,又作为输出电流限制器。WL2836E稳压器采用标准的SOT-23-5L封装。标准产品为无铅和无卤素。

产品特性

· 输入电压范围:1.4V~5.5V

· 输出电压范围:0.8V~3.3V

· 输出电流:300mA

· 静态电流:50μATyp

· 关机电流:<1μA

· 压降电压:140mV@IOUT=0.3A

· PSRR:78dB@1kHz,VOUT=1.8V

· 低输出电压噪声:20μVRMSTyp

· 输出电压容差:±2%@VOUT>2V

· 推荐电容器:1μF

· 热过载和短路保护


应用领域

· MP3/MP4播放器

· 手机、无线电话、数码相机

· 蓝牙、无线手持设备

· 其他便携式电子设备

      WL2836E是高性能CMOS线性稳压器,专为低噪声、高PSRR和高速性能的便携式电子设备设计。宽输入电压范围和可调输出电压使其应用灵活。内置折返至高输出电流和电流限制功能,提供额外保护。紧凑SOT-23-5L封装,无铅无卤素,满足环保要求。详情查阅数据手册或联系我们。

    ESD9X5VU是一种单向瞬态电压抑制器(TVS),专为可能遭受静电放电(ESD)的敏感电子组件提供高水平的保护。它被设计用于替代多层变阻器(MLV),并广泛应用于消费设备,如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、LCD电视等。

特性:

· 极低电容:CJ=0.5pFtyp

· 极低漏电流:IR<1nAtyp

· 低箝位电压:VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

· 根据IEC61000-4-2标准,每条线提供±20kV(接触和空气放电)的瞬态保护

· 根据IEC61000-4-4标准,提供40A(5/50ns)的EFT保护

· 根据IEC61000-4-5标准,可承受4A(8/20μs)的浪涌电流

应用:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子产品

· 笔记本电脑

     ESD9X5VU采用了一对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。它为敏感电子组件提供了高水平的ESD保护,使其免受静电放电的损害。与传统的多层变阻器相比,ESD9X5VU具有更低的电容和漏电流,以及更低的箝位电压,从而提供了更好的性能。此外,其固态硅技术确保了高效、可靠的电源保护。无论是用于USB、HDMI、SATA还是其他接口,ESD9X5VU都能为现代电子设备提供坚实的ESD防护屏障。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD9N12BA-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。

规格书WILLSEMI韦尔SPD82242B,WILLSEMI韦尔

    WS4601是一款具有极低导通电阻的P-MOSFET高侧开关。集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入,从而保护电源。WS4601还集成了反向保护功能,当设备关闭时,可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时,输出自动放电,使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4601采用SOT-23-5L封装。标准产品是无铅且无卤素的。

特性:

· 输入电压范围:2.5~5.5V

· 主开关RON:80mΩ@VIN=5V

· 持续输出电流:1.0A

· 电流限制阈值:1.5A(典型值)

· 电流限制精度:±20%

· 输出短路电流:0.7A(典型值)

· 自动放电反向阻断(无“体二极管”)

· 过温保护

应用:

· USB外设USB Dongle

· USB 3G数据卡

· 3.3V或5V电源开关

· 3.3V或5V电源分配

    WS4601是一款专为现代电子设备设计的高性能高侧开关。其极低导通电阻的P-MOSFET结构使其在处理大电流时高效且节能。集成的电流限制功能保护电源免受过大电流损害,确保系统稳定可靠。自动放电功能和反向保护功能进一步增强系统安全性。适用于USB外设、USB Dongle等需要高效电源管理的场合。无论3.3V还是5V系统,WS4601都提供出色的性能和保护机制,确保设备正常运行。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 WL2803E33-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5L。中文资料WILLSEMI韦尔WNM04328DN

WPM3021-8/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOP-8。规格书WILLSEMI韦尔SPD82242B

     WNM6002是一种N型增强型MOS场效应晶体管,利用先进的沟槽和电荷控制设计,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于电源开关、负载开关和充电电路。标准产品WNM6002为无铅且不含卤素。小型SOT-323封装。

主要特性:

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 适用于高直流电流的优异导通电阻

· 极低的阈值电压

应用领域:

· 继电器、电磁铁、电机、LED等的驱动

· DC-DC转换器电路

· 电源开关

· 负载开关

· 充电电路

    WNM6002N型增强型MOS场效应晶体管是一种高性能、高效能的半导体器件,专为现代电子设备中的电源管理和开关应用而设计。其采用先进的沟槽技术和电荷控制设计,确保了出色的RDS(ON)和低栅极电荷,从而提供了高效的电流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度单元设计使其在高直流电流下仍能保持优异的导通电阻,确保了高效的能量转换和散热。同时,极低的阈值电压保证了快速的开关响应和稳定的性能。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔SPD82242B

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