铁液的搅拌可以促进增碳,因此搅拌力弱的中频感应电炉与搅拌力强的工频感应电炉比较,增碳相对困难得多,所以中频感应电炉有增碳跟不上金属炉料的熔解速度的可能性。即使是搅拌力强的工频感应电炉,增碳操作也不能忽视。这是因为,从感应电炉熔炼的原理图可知,感应电炉内存在上下分开的搅拌铁流,在其边界的炉壁附近还存在着死角。在炉壁停留、附着的石墨团如果不...
查看详细 >>增碳剂的种类,石墨电极或是石墨化油焦吸收较快,考虑到如果用钢壳炉升温较快,用非石墨化的增碳剂容易因投入过晚或是增碳时间不足而造成吸收率低。这里需要正确选择,否则补救的办法就是增加用量,但大量使用的时候烧损也会增大。增碳剂的粒度,要跟铁液量和升温时间匹配好,可控制烧损和吸收速度在可靠的范围;、炉料的含Si量高会影响C的吸收速度和烧损,如需...
查看详细 >>石墨化可以降低增碳剂中杂质的含量,提高增碳剂的碳含量,降低硫含量。增碳剂在铸造时使用,可大幅度增加废钢用量,减少生铁用量或不用生铁。电炉熔炼的投料方式,应将增碳剂随废钢等炉料一起往里投放,小剂量的添加可以选择加在铁水表面。但是要避免大批量往铁水里投料,以防止氧化过多而出现增碳效果不明显和铸件碳含量不够的情况。增碳剂的加入量,根据其他原材...
查看详细 >>增碳剂粒度是影响增碳剂熔入铁液的主要因素。用表1中成分大致相同而粒度有所不同的A,B,C增碳剂作增碳效果试验,其结果如图1所示。尽管经过15min后的增碳率是相同的,但达到90%增碳率的增碳时间则大有区别。使用未经粒度处理的C增碳剂要13min,除去微粉的A增碳剂要8 min,而除去微粉和粗粒的B增碳剂只需6min。这说明增碳剂的粒...
查看详细 >>碳在常压下的熔点为3550℃,沸点为4194℃,3500℃开始升华,是熔点较高的元素。且在高温下不发生晶态变化,几乎不软化、不变形。碳的同素异构体有无定形碳、石墨和金刚石。不同结构的碳密度不相同,无定形碳密度约为1.98g/cm3,石墨密度约为 2.3g/cm3,金刚石密度约为3.51g/cm3,性能差别大。含碳晶体有一重要的特点是在无...
查看详细 >>第三代半导体材料有非常独特优异的性能优势。宽禁带,单个器件可以承载上万伏电压;热导率高,工作可靠性强;载流子迁移率高、工作频率大,省电节能;把这些优异性能全部整合在碳化硅材料之上,其性能就会指数级地提升,用途也会更为普遍。碳化硅晶片是5G芯片较理想的衬底。而5G通讯即将带来的生活的便捷高效,带来物联方式的变革,将推动整个经济社会的大变革...
查看详细 >>在开关电源系统中,二极管一般被用作整流、续流保护等。用做整流时,经常会因为整流二极管的反向恢复时间过长,进而导致转换效率降低,发热增加。虽然使用肖特基二极管可解决反向恢复问题,但普通硅(Si)肖特基二极管的击穿电压很低(通常低于200V),再加上降额设计,不适合高压应用。而用碳化硅(SiC)制作的肖特基二极管耐压可达1200V,反向...
查看详细 >>碳化硅(SiC)功率器件耐高温、抗辐射、具有较高的击穿电压和工作频率,适于在恶劣条件下工作,特别是与传统的硅(Si)功率器件相比,碳化硅功率器件可将功耗降低一半,因此可大幅度降低开关电源、电机驱动器等电路的热耗、体积和重量。虽然,碳化硅功率器件在近几年才向市场推广,但目前已应用于混合动力汽车和电动汽车设备中,正因其在很多方面具有普通硅功...
查看详细 >>第三代半导体材料有非常独特优异的性能优势。宽禁带,单个器件可以承载上万伏电压;热导率高,工作可靠性强;载流子迁移率高、工作频率大,省电节能;把这些优异性能全部整合在碳化硅材料之上,其性能就会指数级地提升,用途也会更为普遍。碳化硅晶片是5G芯片较理想的衬底。而5G通讯即将带来的生活的便捷高效,带来物联方式的变革,将推动整个经济社会的大变革...
查看详细 >>碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,碳化硅为应用较普遍、较经济的一种,可以称为金钢砂或耐火砂。 中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种,均为六方晶体,比...
查看详细 >>2012年全年中国黑碳化硅产能没有正常释放,一方面是成交缓慢,库存消耗慢,占压资金量大,另一方面是下游玩业消费商回款时间长,欠款现象严重,导致某些企业资金链紧张。2012年中国黑碳化硅的主产地为宁夏和甘肃,青海和新疆的原有产能逐渐被淘汰,加上湖北丹江口弘源的冶炼产能,共计76.9万吨, 2012年总产量约为34万吨,黑碳化硅冶炼企业的产...
查看详细 >>于常规硅二极管相比,SiC肖特基二极管的反向恢复电流IRRM要低50%以上,反向恢复电荷QRR降低了14倍,关断损耗Eoff降低了16倍。Si-快速二极管显示了比常规硅二极管更好的特性,但它不会达到SiC肖特基二极管那样的优异动态特性。由于SiC肖特基二极管动态损耗低,可以明显减少逆变器损耗,节约用于冷却的开支并且增加逆变器的功率密度。...
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