美国Olin公司开发的一种QFP封装。基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。在自然空冷条件下可容许2.5W～2.8W的功率。日本新光电气工业公司于1993年获得特许开始生产。31、MSP（mini square package）QFI的别称（见QFI），在开发初期多称为MSP。QFI是日本电子机械工业会规定的名称。34、OPMAC（over molded pad array carrier）模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola公司对模压树脂密封BGA采用的名称（见BGA）。32、P－（plastic）表示塑料封装的记号。如PDIP表示塑料DIP。33、PAC（pad array carrier）双侧引脚扁平封装。是SOP的别称（见SOP）。以前曾有此称法，80年代后期已基本上不用。常州标准集成电路销售厂家
11、DSO（dual small out-lint）双侧引脚小外形封装。SOP的别称（见SOP）。部分半导体厂家采用此名称。12、DICP（dual tape carrier package）集成电路双侧引脚带载封装。TCP（带载封装）之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是TAB（自动带载焊接）技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为定制品。另外，0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ（日本电子机械工业）会标准规定，将DICP命名为DTP。滨湖区质量集成电路生产厂家小形扁平封装。塑料SOP或SSOP的别称（见SOP和SSOP）。部分半导体厂家采用的名称。
使用单晶硅晶圆（或III-V族，如砷化镓）用作基层。然后使用微影、扩散、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件，然后利用微影、薄膜、和CMP技术制成导线，如此便完成芯片制作。因产品性能需求及成本考量，导线可分为铝制程和铜制程。IC由很多重叠的层组成，每层由图像技术定义，通常用不同的颜色表示。一些层标明在哪里不同的掺杂剂扩散进基层（成为扩散层），一些定义哪里额外的离子灌输（灌输层），一些定义导体（多晶硅或金属层），一些定义传导层之间的连接（过孔或接触层）。所有的组件由这些层的特定组合构成。
表面贴装器件。偶而，有的半导体厂家把SOP归为SMD（见SOP）。SOP的别称。世界上很多半导体厂家都采用此别称。（见SOP）。60、SOI（small out-line I-leaded package）I形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈I字形，中心距1.27mm。贴装占有面积小于SOP。日立公司在模拟IC（电机驱动用IC）中采用了此封装。引脚数26。61、SOIC（small out-line integrated circuit）SOP的别称（见SOP）。国外有许多半导体厂家采用此名称。62、SOJ（Small Out-Line J-Leaded Package）严禁在无隔离变压器的情况下，用已接地的测试设备去接触底板带电的电视、音响、录像等设备。
MCM－D是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或氮化铝）或Si、Al作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是比较高的，但成本也高。28、MFP（mini flat package）小形扁平封装。塑料SOP或SSOP的别称（见SOP和SSOP）。部分半导体厂家采用的名称。29、MQFP（metric quad flat package）按照JEDEC（美国联合电子设备委员会）标准对QFP进行的一种分类。指引脚中心距为0.65mm、本体厚度为3.8mm～2.0mm的标准QFP（见QFP）。30、MQUAD（metal quad）例如5G手机、数码相机、电脑CPU、数字电视的逻辑控制和重放的音频信号和视频信号）。常州好的集成电路厂家供应
集成电路按应用领域可分为标准通用集成电路和集成电路。常州标准集成电路销售厂家
26、L－QUAD陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚（0.5mm中心距）和160引脚（0.65mm中心距）的LSI逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。27、MCM（multi-chip module）多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C 和MCM－D三大类。MCM－L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。 MCM－C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或玻璃陶瓷）作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。常州标准集成电路销售厂家
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