13、DIP（dual tape carrier package）同上。日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名（见DTCP）。14、FP（flat package）扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP（见QFP和SOP）的别称。部分半导体厂家采用此名称。15、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积**小、**薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola公司对模压树脂密封BGA采用的名称（见BGA）。南京质量集成电路产品介绍
集成度高低集成电路按集成度高低的不同可分为：SSIC 小规模集成电路（Small Scale Integrated circuits）MSIC 中规模集成电路（Medium Scale Integrated circuits）LSIC 大规模集成电路（Large Scale Integrated circuits）VLSIC 超大规模集成电路（Very Large Scale Integrated circuits）ULSIC特大规模集成电路（Ultra Large Scale Integrated circuits）GSIC 巨大规模集成电路也被称作极大规模集成电路或超特大规模集成电路（Giga Scale Integration）。导电类型不同南京质量集成电路产品介绍表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。
9、DIL（dual in-line）DIP的别称（见DIP）。欧洲半导体厂家多用此名称。10、DIP（dual in-line package）双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是**普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP（窄体型DIP）。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip（见cerdip）。
65、SOP（small Out-Line package）小外形封装。表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状（L字形）。材料有塑料和陶瓷两种。另外也叫SOL和DFP。SOP除了用于存储器LSI外，也***用于规模不太大的ASSP等电路。在输入输出端子不超过10～40的领域，SOP是普及**广的表面贴装封装。引脚中心距1.27mm，引脚数从8～44。另外，引脚中心距小于1.27mm的SOP也称为SSOP；装配高度不到1.27mm的SOP也称为TSOP（见SSOP、TSOP）。还有一种带有散热片的SOP。66、SOW（Small Outline Package（Wide-Jype））宽体SOP。部分半导体厂家采用的名称。焊接时间一般不超过3秒钟，烙铁的功率应用内热式25W左右。
6、COB（chip on board）板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是**简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。7、DFP（dual flat package）双侧引脚扁平封装。是SOP的别称（见SOP）。以前曾有此称法，80年代后期已基本上不用。8、DIC（dual in-line ceramic package）陶瓷DIP（含玻璃密封）的别称（见DIP）QFI的别称（见QFI），在开发初期多称为MSP。QFI是日本电子机械工业会规定的名称。无锡好的集成电路销售方法
表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。南京质量集成电路产品介绍
26、L－QUAD陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚（0.5mm中心距）和160引脚（0.65mm中心距）的LSI逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。27、MCM（multi-chip module）多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C 和MCM－D三大类。MCM－L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。 MCM－C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或玻璃陶瓷）作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。南京质量集成电路产品介绍
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