外，由于引线的阻抗小，对于高速LSI是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，90年代基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。24、LOC（lead on chip）芯片上引线封装。LSI封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。25、LQFP（low profile quad flat package）薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。因为有些软故障不会引起直流电压的变化。滨湖区本地集成电路图片
集成电路或称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、芯片（chip）在电子学中是一种把电路（主要包括半导体装置，也包括被动元件等）小型化的方式，并通常制造在半导体晶圆表面上。前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜（thin-film）集成电路。另有一种厚膜（thick-film）混成集成电路（hybrid integrated circuit）是由**半导体设备和被动元件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。本文是关于单片（monolithic）集成电路，即薄膜集成电路。常州本地集成电路厂家现货焊接时间一般不超过3秒钟，烙铁的功率应用内热式25W左右。
使用单晶硅晶圆（或III-V族，如砷化镓）用作基层。然后使用微影、扩散、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件，然后利用微影、薄膜、和CMP技术制成导线，如此便完成芯片制作。因产品性能需求及成本考量，导线可分为铝制程和铜制程。IC由很多重叠的层组成，每层由图像技术定义，通常用不同的颜色表示。一些层标明在哪里不同的掺杂剂扩散进基层（成为扩散层），一些定义哪里额外的离子灌输（灌输层），一些定义导体（多晶硅或金属层），一些定义传导层之间的连接（过孔或接触层）。所有的组件由这些层的特定组合构成。
集成度高低集成电路按集成度高低的不同可分为：SSIC 小规模集成电路（Small Scale Integrated circuits）MSIC 中规模集成电路（Medium Scale Integrated circuits）LSIC 大规模集成电路（Large Scale Integrated circuits）VLSIC 超大规模集成电路（Very Large Scale Integrated circuits）ULSIC特大规模集成电路（Ultra Large Scale Integrated circuits）GSIC 巨大规模集成电路也被称作极大规模集成电路或超特大规模集成电路（Giga Scale Integration）。导电类型不同双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。
39、P－LCC（plastic teadless chip carrier）（plastic leaded chip currier）有时候是塑料QFJ的别称，有时候是QFN（塑料LCC）的别称（见QFJ和QFN）。部分LSI厂家用PLCC表示带引线封装，用P－LCC表示无引线封装，以示区别。40、QFH（quad flat high package）四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFP的一种，为了防止封装本体断裂，QFP本体制作得较厚（见QFP）。部分半导体厂家采用的名称。41、QFI（quad flat I-leaded packgac）四侧I形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈I字。也称为MSP（见MSP）。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分，贴装占有面积小于QFP。日立制作所为视频模拟IC开发并使用了这种封装。此外，日本的Motorola公司的PLL IC也采用了此种封装。引脚中心距1.27mm，引脚数从18于68。2025年将持续推进集成电路领域标准研制。苏州名优集成电路产品介绍
按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大类。滨湖区本地集成电路图片
球形触点阵列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按阵列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点阵列载体（PAC）。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP（四侧引脚扁平封装）小。例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA*为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304 引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题（见有图所示）。滨湖区本地集成电路图片
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