芯片基本参数
  • 品牌
  • 炬芯、至盛
  • 型号
  • ACM8625P
  • 封装形式
  • QFP
芯片企业商机

ATS2853P2是国内首批支持蓝牙Audio Broadcast协议的芯片,可实现1个音源向8个音箱同步广播音频流,组网延迟低于50ms。其CSB(Coordinated Stereo Broadcasting)协议通过时间戳同步机制,确保多音箱声场相位一致,在10米范围内声场重叠误差<2°。设计时需在PCB布局中将蓝牙天线与Wi-Fi天线间距保持≥20mm,并采用金属屏蔽罩隔离数字电路噪声,避免组播时出现音频断续。芯片集成嵌入式PMU(电源管理单元),支持Sniff模式、蓝牙空闲模式、播放模式及通话模式动态功耗调节。实测在Sniff模式下电流*600μA(3.8V电池),播放SBC音频时功耗15.5mA,通话模式16.5mA。设计时需采用分压供电策略:蓝牙射频模块使用1.8V电压,数字基带采用1.2V,音频DAC则提升至3.3V以提升信噪比,此方案可使整体续航提升25%。ACM8623内置了DSP(数字信号处理器)音效处理算法,包括小音量低频增强等功能,能够提升音质体验。福建至盛芯片ACM8625M

福建至盛芯片ACM8625M,芯片

ATS2853P2内置24bit立体声Sigma-Delta ADC/DAC,ADC信噪比达110dB,DAC信噪比113dB,总谐波失真+噪声(THD+N)≤-100dB@0dBFS。支持采样率8kHz-96kHz动态切换,可解码SBC、AAC、mSBC及LC3编码格式。设计时需在音频输出端加入10μF+0.1μF的π型滤波电路,以消除电源纹波对DAC的影响,实测可降低底噪3dB。芯片集成双MIC AEC(声学回声消除)算法,配合342MHz DSP可实现-40dB回声抑制及30dB环境噪声消除。在1米距离、80dB背景噪声环境下,通话清晰度评分(PESQ)可达3.8分(满分4.5分)。设计时需将主MIC与副MIC间距设置为50mm,并采用指向性麦克风阵列,以提升噪声抑制角度精度至±30°。河北至盛芯片ATS2835P蓝牙音响芯片集成度高,减少外围电路元件,降低产品成本与体积。

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在智能穿戴设备蓬勃发展的时代,炬力蓝牙芯片凭借深厚的技术积累与创新实力,在眼镜领域崭露头角。随着人工智能与物联网技术的深度融合,智能眼镜作为新兴的智能终端,对蓝牙芯片的性能提出了更高要求。炬力敏锐捕捉到这一市场趋势,专注于研发适用于眼镜的蓝牙芯片。其芯片不仅具备低功耗特性,还能提供稳定高效的无线连接,为智能眼镜的音频传输、数据交互等功能提供了坚实支撑。从早期的基础蓝牙功能到如今集成多种先进技术的复杂芯片,炬力蓝牙芯片在眼镜领域的发展历程,见证了智能穿戴行业的技术变革与市场需求的不断升级。

随着全球智能穿戴设备市场的不断扩大,智能眼镜的国际化发展趋势日益明显。炬力蓝牙芯片凭借其先进的技术和可靠的性能,助力众多智能眼镜品牌走向国际市场。在国际市场上,炬力蓝牙芯片能够满足不同国家和地区的技术标准和法规要求,为智能眼镜产品的顺利出口提供了保障。同时,炬力还积极与国际**企业开展合作与交流,学习借鉴先进的技术和管理经验,不断提升自身的国际竞争力,推动智能眼镜行业的国际化发展进程。深圳市芯悦澄服科技有限公司代理炬力全系列芯片。ACM8815采用差分信号传输架构,有效抑制共模噪声干扰,在长距离信号传输中仍能保持信噪比(SNR)≥100dB。

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智能眼镜的种类繁多,包括普通智能眼镜、AR眼镜、VR眼镜、智能太阳镜等,不同类型的眼镜对蓝牙芯片的需求也有所不同。炬力针对不同类型眼镜的特点和需求,提供了定制化的蓝牙芯片解决方案。例如,对于AR眼镜,炬力蓝牙芯片注重数据传输的带宽和延迟性能,以满足AR场景对实时渲染和交互的要求;对于智能太阳镜,则更注重芯片的功耗和集成度,以确保在不影响眼镜外观和佩戴舒适度的前提下,实现智能功能的集成。这种定制化的方案能够更好地满足不同客户的需求,提高产品的市场竞争力。ACM8815集成欠压锁定(UVLO)、过温保护(OTP)及短路保护(SCP)三重安全机制,确保系统运行可靠性。云南家庭音响芯片ACM3219A

12S数字功放芯片支持TDD-LTE音频同步,通过4G/5G网络实现远程低延迟音频传输,时延<100ms。福建至盛芯片ACM8625M

炬芯科技自主研发的模数混合SRAM存内计算(MMSCIM)架构,通过硬件级重构与全链路优化,彻底颠覆冯·诺依曼架构的“存储-计算分离”模式。其**原理是将计算单元直接嵌入存储单元,数据无需在存储器与计算单元间搬运,从而消除“存储墙”与“功耗墙”问题。具体技术优势包括:能效比*****代技术(2024年落地):单核算力100GOPS,能效比达6.4TOPS/W(INT8),较传统DSP架构提升60倍,功耗降低90%以上。第二代技术(2025年推出):单核算力提升至300GOPS,能效比优化至7.8TOPS/W,原生支持Transformer模型,推理延迟降低5-10倍。第三代技术(2026年规划):采用12nm制程,单核算力突破1TOPS,能效比达15.6TOPS/W,超越冯·诺依曼架构理论极限(10TOPS/W)。
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