纳米氮化铝粉体主要用途:制造高性能陶瓷器件:制造集成电路基板,电子器件,光学器件,散热器,高温绀坞。制备金属基及高分子基复合材料:特别是在高温密封胶粘剂和电子封装材料中有极好的应用前景。纳米无机陶瓷车用润滑油及抗磨剂﹔纳米陶瓷机油中的纳米氮化铝陶瓷粒子随润滑油作用于发动机内部的摩擦副金属表面,在高温和极压的作用下被,并牢固渗嵌到金属表面凹痕和微孔中,修复受损表面,形成纳米陶瓷保护膜。因为这层膜的隔离作用,从而极大的降低摩擦力,将运动机件间的摩擦降至近乎零,通过改善润滑,可降低摩擦系数70%以上,提高抗磨能力300%以上,降低磨损80%以上,可延长机械零件寿命3倍以上,减少停工,降低维修成本,延长大修期一倍以上,节能5%~30%,提高设备输出功率15%-40%,其添加量为万分之二。
氮化铝还是电绝缘体,介电性能良好,用作电器元件也很有希望。苏州绝缘氮化硼品牌
氮化铝的应用:应用于衬底材料,AlN晶体是GaN、AlGaN以及AlN外延材料的理想衬底。与蓝宝石或SiC衬底相比,AlN与GaN热匹配和化学兼容性更高、衬底与外延层之间的应力更小。因此,AlN晶体作为GaN外延衬底时可大幅度降低器件中的缺陷密度,提高器件的性能,在制备高温、高频、高功率电子器件方面有很好的应用前景。另外,用AlN晶体做高铝(Al)组份的AlGaN外延材料衬底还可以有效降低氮化物外延层中的缺陷密度,极大地提高氮化物半导体器件的性能和使用寿命。基于AlGaN的高质量日盲探测器已经获得成功应用。丽水绝缘氮化铝厂家氮化铝陶瓷基片是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。
影响氮化铝陶瓷热导率的因素:影响氮化铝陶瓷热导率的主要因素有晶格的氧含量、致密度、显微结构、粉体纯度等。氧含量及杂质:对于氮化铝陶瓷来说,由于它对氧的亲和作用强烈,氧杂质易于在烧结过程中扩散进入AlN晶格,与多种缺陷直接相关,是影响氮化铝热导率的很主要根源。在声子-缺陷的散射中,起主要作用的是杂质氧和氧化铝的存在,由于氮化铝易于水解和氧化,表面形成一层氧化铝膜,氧化铝溶入氮化铝晶格中产生铝空位。使得氮化铝晶格出现非谐性,影响声子散射,从而使氮化铝陶瓷热导率急剧降低。
氮化铝的应用:应用于发光材料,氮化铝(AlN)的直接带隙禁带很大宽度为6.2eV,相对于间接带隙半导体有着更高的光电转换效率。AlN作为重要的蓝光和紫外发光材料,应用于紫外/深紫外发光二极管、紫外激光二极管以及紫外探测器等。此外,AlN可以和III族氮化物如GaN和InN形成连续的固溶体,其三元或四元合金可以实现其带隙从可见波段到深紫外波段的连续可调,使其成为重要的高性能发光材料。可以说,从性能的角度讲,氮化铝与氮化硅是目前很适合用作电子封装基片的材料,但他们也有个共同的问题就是价格过高。氮化铝陶瓷成为新一代大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件的理想散热和封装材料。
纳米氮化铝粉体主要用途:导热塑料中的应用:纳米氮化铝粉体可以大幅度提高塑料的导热率。通过实验产品以5-10%的比例添加到塑料中,可以使塑料的导热率从原来的0.3提高到5。导热率提高了1l6倍多。相比较目前市场上的导热填料(氧化铝或哦氧化镁等)具有添加量低,对制品的机械性能有提高作用,导热效果提高更明显等特点。目前相关应用厂家已经大规模采购纳米氮化铝粉体,新型的纳米导热塑料将投放市场。高导热硅橡胶的应用:与硅匹配性能好,在橡胶中容易分散,在不影响橡胶的机械性能的前提下(实验证明对橡胶的机械性能还有提高作用)可大幅度提升硅橡胶的导热率,在添加过程中不象氧化物等使黏度上升很快,添加量很小(根据导热要求一般在5%左右就可以使导热率提高50%-70%),现较广应用与,航空以及信息工程中。 与氧化铍不同的是氮化铝无毒,氮化铝用金属处理,能取代矾土及氧化铍用于大量电子仪器。天津多孔氮化硼销售公司
在现有可作为基板材料使用的陶瓷材料中,氮化硅陶瓷抗弯强度很高,耐磨性好。苏州绝缘氮化硼品牌
AlN陶瓷基片的烧结工艺:烧结助剂及其添加方式,烧结助剂主要有两方面的作用:一方面形成低熔点物相,实现液相烧结,降低烧结温度,促进坯体致密化;另一方面,高热导率是AlN基板的重要性能,而实际AlN基板中由于存在氧杂质等各种缺陷,热导率低于其理论值,加入烧结助剂可以与氧反应,使晶格完整化,进而提高热导率。常用的烧结助剂主要是以碱土金属和稀土元素的化合物为主,单元烧结助剂烧结能力往往很有限,通常要配合1800℃以上烧结温度、较长烧结时间及较多含量的烧结助剂等条件。烧结过程中如果只采用一种烧结助剂,所需要的烧结温度难以降低,生产成本较高。二元或多元烧结助剂各成分间相互促进,往往会得到更加明显的烧结效果。目前,助烧剂引入的方式一般有2种,一种是直接添加,另一种是以可溶性硝酸盐形式制成前驱体原位生成烧结助剂。后者所生成的烧结助剂组元分布更为均匀,颗粒更为细小,比表面能更大。苏州绝缘氮化硼品牌