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    并控制磁转子12和喷头11每间隔20s旋转10s，也就是说，控制磁转子旋转10s，控制磁转子停止旋转后，控制喷头喷涂抛光液10s，停止喷涂抛光液10s后，控制磁转子旋转10s，以此类推。本发明实施例中，控制部件在脉冲工作模式下，实现减薄和抛光两种工艺交替作用，使得减薄和抛光一体化完成，整个过程稳定，速度快，控制性好，重复度高，无粉尘污染，衬底减薄终厚度达到20μm，抛光面ra＜2nm。还需要说明的是，本发明实施例中，在减薄的过程中，可以不断更换磁转子12，如磁转子12工作1小时后，将磁转子12更换为新的磁转子，以使磁转子与待加工表面贴合紧密，避免了传统减薄工艺中由于转子形变误差造成的加工精度失真。此外，本发明实施例中，在完成抛光和减薄后，可以采用直链烷基苯磺酸盐溶剂对待加工部件20进行清洗，用di水冲洗干净，40℃的氮气吹干。之后，将清洗后的待加工部件20和托盘10侵入60℃的nmp(n甲基吡咯烷酮)30min，使得待加工部件20和托盘10自动分离，取出待加工部件20后清洗干净即可。本发明实施例还提供了一种抛光减薄方法，如图5所示，包括：s101：将待加工部件固定在托盘上，待加工部件包括inp基晶圆；可选地。减薄用清洗剂的使用时要注意什么？深圳半导体减薄用清洗剂哪里买

    产生不良次品；同时由于所述侧支撑件44的移动，可带动玻璃在所述玻璃加工治具4上的摆动，从而实现玻璃与喷淋液的充分均匀接触。较佳的，所述底座41和实施支撑架42上均设置有若干流通孔，所述流通孔便于所述玻璃加工治具4上的所述喷淋液流至所述收集槽内。实施例四所述支撑架42包括对应设置的架体和第二架体，所述架体和所述第二架体均固定设置在所述底座41上，所述架体包括平行对应设置的两竖直平板421，所述第二架体为与所述竖直平板421连接的对应两侧板422，所述架体和所述第二架体形成盛放部，玻璃设置在所述盛放部内；所述侧板422和所述竖直平板421可均固定设置于所述底座41上，也可相互固定连接形成稳定的矩形框架。所述架体和所述第二架体均设置有若干所述侧支撑件44，且所述侧支撑件44对应所述底支撑件43设置。较佳的，所述架体上固定设置有若干固定孔，所述侧支撑件44可根据玻璃的具体尺寸在相应所述固定孔上固定设置；所述第二架体上设置有调节槽，对应所述调节槽还设置有固定板423，所述固定板423的两端分别设置在对应两所述侧板422的所述调节槽上，并可在所述调节槽内调节移动，从而可使所述玻璃加工治具4适用于不同尺寸的玻璃放置。一般的。无锡中芯国际用减薄用清洗剂销售厂去除多余涂层，减薄用清洗剂是您不可或缺的好帮手。

    在本发明的一个实施例中，抛光液110的主要成分包括：碳化硅颗粒，颗粒直径为50nm～200nm，体积比为3％～5％；次氯酸盐，体积比为30％～40％；氢溴酸，体积比为5％～7％，di水，体积比50～60％。本发明的一个实施例中，如图3所示，磁转子12包括截面为半圆形的柱状磁性结构120和位于柱状磁性结构120的底部平面的研磨层121，以通过研磨层121对待加工部件20的待加工表面进行机械研磨。当然，本发明并不仅限于此，在其他实施例中，可以根据实际需求选择合适的磁转子形状。可选地，研磨层121为金属氧化物层，进一步可选地，金属氧化物层包括三氧化二铝层。可选地，研磨层121的厚度为10μm。本发明实施例中，如图4所示，磁转子12沿箭头所示方向旋转，如沿逆时针或顺时针方向旋转，并且，磁转子12的长度近似等于待加工部件20如inp基晶圆的直径，以对整个待加工表面进行研磨。本发明实施例中，抛光减薄装置还包括控制部件。控制部件与磁转子12和喷头11相连，用于控制喷头11和磁转子12交替工作，以对待加工表面交替进行抛光和减薄。其中，控制部件通过脉冲方式控制喷头11和磁转子12交替工作。可选地，控制部件控制磁转子12的转速为80rpm～200rpm。

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