Ce:YAP晶体中Ce3离子5d4f跃迁对应的荧光光谱为330 ~ 400nm之间的一个带，其峰值约为365 ~ 370nm。Ce3的光致发光强度以单指数形式衰减，其衰减常数在室温下约为16 ns[73]。高能射线和粒子激发产生的闪烁光衰减常数远大于16ns，一般在22-38 ns之间，也有慢成分和强背景[8][70]，如图1-5 [8]。这主要是由于Ce3离子中心电荷载流子的延迟复合。此外，Ce:YAP晶体的吸收光谱和荧光光谱受不同的生长方法和不同的后热处理工艺的影响很大。这主要是由于不同性质的色心的存在和ce离子的价态(Ce4对Ce3有猝灭作用[59])。因此，不同生长方法得到的Ce:YAP晶体的闪烁特性会有所不同。Baryshevsky等人【72】研究了直拉法和真空水平区熔法生长的YAP和Ce:YAP晶体的光谱特性，提出了这两种方法中的色心模型真空气氛中生长的晶体的色心是电子俘获色心，即F(VO 2e)和F (VO e)。直拉法的色心类型主要是空穴俘获色心，即Vc2-(Vc h)和Vc-(Vc 2h)，出现在(f -VC-)的构型中，如下图所示。下图所示光子频率为 1=277 nm， 2=410 nm， 3=602 nm， 4=666 nm， 5=520 nm， 6=615 nm， 7=333 nm。研究表明，Ce:YAG晶体的闪烁性能对Ce3+离子浓度有较强的依赖关系。广东***CeYAG晶体
Ce3+离子的光谱是由不同宇称的5d－4f跃迁所产生的，所以晶场对光谱具有重要的影响。YAP晶体具有畸变的钙钛矿型结构，属于正交晶系（晶胞参数分别为a=5.176Å, b=7.355Å，c=5.307Å），空间群为－Pnma[66]。在YAP晶格中，Al3+离子占据着钙钛矿型结构中C1格位对称性的B位置，其配位数为8；Y3+离子占据着该结构中C1h对称性的A位置，其配位数为12[73]。当Ce3+离子进入YAP晶格中，Ce3+离子取代具有C1h对称性的Y3+离子。4f1电子组态的Ce3+离子的基态由2F7/2和2F5/2两重态组成，在室温下，1个电子占据基态2F5/2；其5d态在低对称晶场（C1h）作用下分裂成5个子能级。Ce3+离子在YAP晶体中的能级图如1-4所示[67]，其能级重心约为38300cm-1，f-d吸收和发射的斯托克斯频移约为4500cm-1。当电子在5d－4f能级之间跃迁时形成宽带吸收激发以及发射光谱。在180－300nm范围内对应5个吸收带，峰值波长分别为220nm，238nm，275nm，290nm和303nm（一般在图谱上只能观察到后面4个峰值波长），但在其激发光谱上5个激发带都可以分辨（对应370nm发射）。YAP晶体的基本吸收边（禁带宽度）约为7.6eV[73]。湖北口碑好的CeYAG晶体Ce:YAG晶体作为闪烁材料引起人们的注意则是在1992年[81]。
闪烁过程的三个步骤(a . 电子空穴对产生；电子空穴被传送到发光中心；c .从发光中心辐射的荧光)到闪烁的总效率。在以上三个参数中，很难建立能量传递的理论模型，因此很难计算出S [51][56]。可以肯定的是，无机闪烁晶体中的各种缺陷会俘获电子空穴对，使S值 大降低。与参数s相比，参数和q可以从理论上计算出来。
根据罗宾斯[19]和阿雷米普奇[51]提出的模型。公式中，Ei为电离能；是产生实际产生一个电子空穴对所需的能量；k为能量损失分数，与高频介电常数()，静电常数()和光学纵模声子能量()有关。Lf是电子(或空穴)损失的能量分数。
在大多数无机闪烁晶体中，经常显示两个或更多的光衰减时间常数，它们分别对应于快成分和慢成分。BaF2晶体是目前所有无机闪烁晶体中光衰减常数0快(约0.8ns)的闪烁材料。此外，BaF2还具有约600毫微秒的慢分量[5][52][21]。
在许多闪烁计数应用中，不只无机闪烁晶体的光衰减性能特别重要，其光输出性能也同样重要。因此，品质因数(M)通常用于表征无机闪烁晶体的性能，M指光输出与光衰减的比率[13]
一般来说，m值越大意味着检波器的信噪比越好。 用温梯法成功生长了直径为 110mm 的大尺寸 Ce: YAG 闪烁晶体，晶体具有良好的外形和光学性质。
Ce:YAP晶体中Ce3+离子5d→4f跃迁对应的荧光谱是一个在330nm~400nm之间的谱带，其峰值约为365－370nm；Ce3+光致激发荧光强度以单指数形式衰减，在室温下其衰减常数约为16ns[73]。当高能射线和粒子激发所产生的闪烁光的衰减常数远大于16ns，一般在22－38ns之间，而且还有慢成分以及较强的背景存在[8][70]，如图1-5所示[8]所示。这主要是由于电荷载流子在Ce3+离子中心的延迟复合所致。
另外，不同生长方法以及不同的后热处理工艺对Ce:YAP晶体的吸收及荧光谱有较大影响。这主要是由于不同生长方法的晶体中存在不同性质的色心以及存在的Ce离子价态（Ce4+对Ce3+有猝灭作用[59]）所致。因此，不同生长方法所获得的Ce:YAP晶体的闪烁性能将不同。Baryshevsky等[72]研究了提拉法和真空水平区熔法生长的YAP和Ce:YAP晶体的光谱特征，提出了这两种方法晶体中存在的色心模型，如图1-6所示[72]。真空气氛获生长的晶体中的色心为电子捕获型色心，即F(VO+2e)和F+(VO+e)等；提拉法中色心类型主要为空穴捕获型色心,即Vc2-(Vc+h)和Vc-(Vc+2h)等，而且以（F＋－Vc-）组态出现 Ce:YAG闪烁晶体在使用过程中有什么缺陷？广东***CeYAG晶体
近年来, Ce:YAG单晶薄膜[84]，以及Ce:YAG陶瓷[85-87]等闪烁体由于有其独特的优势也备受人们的关注.广东***CeYAG晶体
除了熔点温度高（1970oC）外， Ce:YAG晶体中存在的主要缺点是Ce离子在晶体中的分布不均匀，主要是由于Ce3+(0.118nm)和Y3+(0.106nm)离子的半径相差较大，其分凝系数较小（~ 0.1）造成的。发光中心分布在晶体中分布不均匀将会导致探测元件闪烁性能的差异，在一定程度上降低了闪烁探测器的整机性能。
研究表明[101]，Ce:YAG晶体的闪烁性能对Ce3+离子浓度有较强的依赖关系。下列图表分别表示了Ce:YAG闪烁晶体的光输出和衰减常数(快成分与慢成分)随Ce离子的浓度的变化关系。从表1-12中可以看出随着浓度的增加（0.012%-0.21%），Ce:YAG晶体的光输出增大（1000－1420phe/Mev），当浓度继续增加到1.08%时，其光输出又减小为1270phe/Mev。（表中所列光输出是通过比较661.6Kev能量γ射线（137Cs）全能峰的位置与单光电子峰位置获得的，采用XP2020Q光电倍增管记录[101]）。 广东***CeYAG晶体
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