深剖Ce；YAG晶体，隶属于无机闪烁晶体。无机闪烁晶体发光中心的激发和发射过程包括从热化电子-空穴对到发光中心的能量转移和发光中心的激发和发射。电子空穴对的能量转移效率取决于电子空穴相对发光中心的空间分布。如果电子空穴靠近发光中心，其能量转移效率高；相反，能量传递效率低。这种情况下，电子和空穴往往被晶体中的杂质或晶格缺陷俘获，形成各种F-H色心对。同时，电子-空穴对在与晶格相互作用时也会产生自陷，比如离子闪烁晶体中经常出现的Vk中心，这个Vk中心在本征离子闪烁晶体的发光机制中起着重要作用。 有Ce:YAG晶体的光致荧光谱吗？湖南常规尺寸CeYAG晶体
三价铈离子(Ce3)是稀土离子中具有高荧光效率的活性离子，其发射峰可以很好地与光敏器件耦合。它可以掺杂到许多晶体基质中，实现闪烁发光。因此，人们对掺杂Ce3离子的各种闪烁材料做了大量的研究工作[9]-[12]。铈离子(Ce3+)具有4f1电子构型，基态由2F5/2和2F7/2组成。它的发光来源于5d-4f能级的允许电偶极子跃迁，其发射光谱一般是宽带的。由于其5d电子暴露，受晶场和电子云效应影响较大，图1-3显示了Ce3+在不同基体中的5d-4f失活能值[9]。可以看出，随着离子键的减弱，其失活能量降低，因此其发射波长也发生红移。铈离子在不同基质中的荧光性质有很大差异。铈离子掺杂的无机闪烁晶体不jin时间衰减快，而且光输出也很大，尤其是铈离子掺杂的高温氧化物闪烁晶体如Ce:LSO、Ce:YAG、Ce:LuAP等。近年来，掺铈高温闪烁晶体已成为国内外研究热点
无机闪烁晶体(Ce:YAG)的闪烁机理之电子空穴对的产生
电子-空穴对的产生是入射高能光子和晶体中原子相互作用的结果。主要包括原子的电离和激发，电子-电子和电子-声子的弛豫，以及其他辐射和非辐射的能量耗散过程。众所周知，高能射线不能直接电离和激发无机闪烁晶体中的原子。相反，它们通过光电效应、康普顿效应和电子对效应产生的电子电离和激发晶体中的原子。当入射射线具有中等能量(几百KeV左右)时，主要发生光电效应，即高能射线与晶体中原子的内层电子(通常是K层)相互作用产生初级光电子。
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2.该过程可由以下公式(1.1)表示：
A ＋ hν → A+ + e
在上式中，hν 是入射γ光子的能量；a表示是无机闪烁晶体中的原子；a+是离子；e是产生的一次电子。在这个过程中，原子的内层也会产生初级空穴。
闪烁机制的第二步是电子和空穴的豫过程。一方面，对于非辐射豫或辐射豫，A离子通过内部空穴从K层迁移到L、M和其他俄歇层而发射光子，从而发射俄电子。通常，非辐射豫的概率远远大于辐射豫的概率
由于Ce离子分凝系数小，通常在提拉法生长Ce:YAG的后期往往会产生组分过冷而严重影响了Ce:YAG晶体的质量。贵州品质优的CeYAG晶体
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