无机闪烁晶体(Ce:YAG)的闪烁机理之电子空穴对的产生
2.该过程可由以下公式(1.1)表示：
A ＋ hν → A+ + e
在上式中，hν 是入射γ光子的能量；a表示是无机闪烁晶体中的原子；a+是离子；e是产生的一次电子。在这个过程中，原子的内层也会产生初级空穴。
闪烁机制的第二步是电子和空穴的豫过程。一方面，对于非辐射豫或辐射豫，A离子通过内部空穴从K层迁移到L、M和其他俄歇层而发射光子，从而发射俄电子。通常，非辐射豫的概率远远大于辐射豫的概率
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多数铈离子掺杂的氟化物无机闪烁晶体的γ射线探测效率（∝ρZeff4）比较低，光输出还是不够高，而且无论如何其热力学性能还是比较差（大多数氟化物闪烁晶体易潮解），这些缺点限制了它们的普遍应用
然铈离子掺杂硼酸盐和双磷酸盐闪烁晶体也具有较好的闪烁性能，但是很难获得大尺寸的单晶而不被人们看好。
硫化物闪烁晶体由于具有较小的禁带宽度，铈离子掺杂的硫化物闪烁晶体还具有较快的光衰减以及较重的密度等特征。如：Ce:Lu2S3晶体具有高光输出（约30 000Photon/MeV），较快的光衰减（约32ns），较重的密度（约6.25g/cm3）和较高的有效原子序数（Zeff＝66.8）等特征。但是硫化物晶体也十分难生长而不被人们看好。 高浓度CeYAG晶体价格实惠Ce:YAG生长周期是多久？
高温闪烁晶体今后的发展趋势主要包括以下几个方面：
第1，研究高温闪烁晶体中存在的各种点缺陷及其对闪烁性能的影响，真正实现无机闪烁晶体的分子优化与分子设计。
第2，寻求优化的高温闪烁晶体生长方法以及工艺技术。目前，多数高温闪烁晶体主要是通过提拉法生长的，探索改进的提拉法或其它的工程化生长工艺技术对研究开发高温闪烁晶体具有十分重要的意义。
第3，发展混合型高温闪烁晶体将是今后发展的趋势之一。例如，Ce:LuAP高温闪烁晶体具有十分诱人闪烁性能，但是在晶体生长过程中容易生成石榴石相，很难获得稳定的LuAP相，从而限制了晶体的使用.1近，研究表明，与Ce:LuAP晶体相比，混合型晶体Lux(RE3+)1-xAP:Ce (RE3+ = Y3+ or Gd3+)可以降低晶体生长难度以及生产成本，同时闪烁性能也比较理想。
第4，开展多掺杂以及探索新型发光离子的高温闪烁晶体也会逐步受到人们的重视。随着探测器件的小型化多功能化的迅猛发展，具有多种探测功能的复合闪烁探测单晶材料将会成为一个研究热点。另外，探索其它发光中心离子的闪烁性能也将会逐步引起人们的关注，特别对能与现有的探测设备耦合匹配，容易掺杂等激发离子的研究。
无机闪烁晶体(Ce:YAG)的闪烁机理之电子空穴对的产生
电子-空穴对的产生是入射高能光子和晶体中原子相互作用的结果。主要包括原子的电离和激发，电子-电子和电子-声子的弛豫，以及其他辐射和非辐射的能量耗散过程。众所周知，高能射线不能直接电离和激发无机闪烁晶体中的原子。相反，它们通过光电效应、康普顿效应和电子对效应产生的电子电离和激发晶体中的原子。当入射射线具有中等能量(几百KeV左右)时，主要发生光电效应，即高能射线与晶体中原子的内层电子(通常是K层)相互作用产生初级光电子。
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铈离子掺杂的硅酸盐和铝酸盐等氧化物闪烁晶体，由于具有较高的熔点（约为2000oC），因此称它们为高温无机闪烁晶体。这主要是相对于传统的卤素化合物（熔点小于1000oC）和BGO、PWO等闪烁晶体（小于1200oC）而言的。铈离子掺杂高温闪烁晶体不但具有高光输出快衰减等优良的闪烁性能，而且还具有优良的热力学性能，因此，近年来，高温闪烁晶体成为人们研究的热点
除了LuAG外，其它高温闪烁晶体具有较高的光输出和较快的光衰减，也就是具有高的M值（约为130~667）。高温闪烁晶体几乎可以应用于所有的闪烁探测应用领域中。例如，Ce:LSO和Ce:LuAP高温闪烁晶体被誉为新一代PET用的新型高温闪烁晶体[41]。另外，Ce:YAP和Ce:YAG高温闪烁晶体在中低能量射线或粒子探测领域有着普遍的应用 研究表明，Ce:YAG晶体的闪烁性能对Ce3+离子浓度有较强的依赖关系。甘肃CeYAG晶体厂家
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有效原子序数和密度(Zeff)
闪烁晶体的有效原子序数(Zeff)和密度直接或间接决定了辐射与物质的相互作用机制和辐射的阻挡能力。在X射线或低能射线探测领域，为了增加射线的光电效应截面，往往需要闪烁晶体具有较大的有效原子序数Zeff，而在高能射线应用领域，则需要有较高的密度来提高晶体的截止能量
物质的有效原子序数可由公式计算：
式中，Wi为构成晶体的原子I的重量百分比，Zi为构成晶体的原子I的有效原子数。从公式中可以看出，大的有效原子序数往往与重密度不一致。此外，在许多场合下，经常使用吸收系数()、辐射长度(X0)和摩尔半径(RM)来代替晶体的有效原子序数或密度来表征无机闪烁晶体的性能。这些性能参数与晶体的密度()和有效原子序数(z)之间的关系如下[14][24]。
，RMX0 (Z 1.2)/37.74(1.12)
(ne是晶体中的电子密度和吸收截面，a是原子量) 加工CeYAG晶体市场价格
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