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管基本参数
  • 产地
  • 深圳
  • 品牌
  • 凯轩业
  • 型号
  • 是否定制
管企业商机

TVS(Transient Voltage Suppressor) 或称瞬态***二极管,是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品,其电路符号和普通稳压二极管相同,外形也与普通二极管无异,当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时,它能以极高的速度(高达1/(10^12)秒)使其阻抗骤然降低,三明tvs二极管,同时吸收一个大电流,tvs二极管作用,将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上,从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。如果是使用的话,tvs二极管供应商,TVS有二极管类,和压敏电阻类。我个人认为压敏电阻类更有优势,***用于手机,LCD模组,及一些比较精密的手持设备。特别是出口欧洲的产品一般都要加,来作为静电防护的主要手段之一。可以根据负载的情况选择接近的稳压值,比如5V的负载可以选择的稳压二极管。贴片稳压二极管批发

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二极管、三极管、场效应管都是半导体器件,在电子电路中担任着十分重要的作用,现在我来和朋友们聊聊它们之间的联系和区别吧。

场效应管(MOS管)

我先说说MOS(场效应管)管,MOS管在半导体基片的两侧也是有两个PN结。从P型(或者N型)半导体上面引出一个电极并将这个电极连接起来作为MOS管的栅极(G)。然后在基片的两端再引出两个电极分别称为源极(S)和漏极(D)。如下图所表示的那样。从图中我们可以知道,栅极(G)和源极(S)和漏极(D)是不导电的,所以我们给它起个名字就叫绝缘栅型场效应管,这个器件的名字就是这样的来的。



恒流二极管供应稳压二极管在使用时是反向并联在负载两端的,如果输入的电压没有超过其稳压值。

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半导体二极管


1、英文缩写:D (Diode),电路符号是



2、半导体二极管的分类


分类:a 按材质分:硅二极管和锗二极管;


b按用途分:整流二极管,检波二极管,稳压二极管,发光二极管,光电二极管,变容二极管。


3、半导体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如:D5表示编号为5的半导体二极管。


4、半导体二极管的导通电压是:


a;硅二极管在两极加上电压,并且电压大于0.6V时才能导通,导通后电压保持在0.6-0.8V之间.


B;锗二极管在两极加上电压,并且电压大于0.2V时才能导通,导通后电压保持在0.2-0.3V之间.


5、半导体二极管主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。


6、半导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。


在三极管be之间增加偏置电阻,测量Vce击穿电压




下图中给出了Rbe分别去2k,51k,100k的情况下,C、E的电压电流曲线。可以看到C、E的击穿电压位于Vceo与Vcbo之间。




所以在正常设计三极管电路的时候,需要根据等效的Rbe数值来对三极管的耐压余量进行选择。




在不同的Rbe的阻值下,Vce的击穿电压曲线




由于三极管的发射区掺杂浓度很高,B、E之间的反向击穿电压往往小于10V。




因此,在使用三极管的时候,如果错把集电极和发射极弄混,除了会引起电流放大倍数的下降之外,因为Vebo,Vceo的差异,电路中的三极管的也会被击穿。




和二极管一样,半导体器件的参数往往离散型很大。下面是两个不同批次的S8050的Vceb的耐压曲线。反向击穿电压相差30%左右。


两个不同批次的S8050Vceo的电压



前者的优点还有低功耗,大电流,超高速~!电气特性当然都是二极管阿!

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特殊二极管


稳压二极管是利用二极管反向击穿后伏安关系特别垂直的特性工作,即击穿后电压有微小的增加时,击穿电流增加巨大这一特性,使得当电路中电流有波动时,稳压管两端的电压基本不变。


稳压管是否被反向击穿,可以借用二极管是否导通的方法来判断,即先断开稳压管,然后看两个断点之间的电压是否满足反向电压,且数值大于击穿电压。若反向且大于击穿电压,则接入稳压管后稳压管反向击穿,两点之间电压变为稳压值。但是这种方法有个问题就是击穿后的电流可能非常大,超过了稳压管的承受能力,时间一长将烧坏稳压管。


使用稳压管时不但要考虑其被反向击穿,还要考虑能否长期安全工作。所以还需要判断其工作电流是否在稳压管的安全电流范围。具体方法是先假设稳压管被反向击穿,然后计算其电流,判断是否处于这个安全范围。若是,则假设成立,不但被反向击穿而且可长期工作。否则为未被反向击穿或电流过大损坏。


硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右,反向电阻值为∞(无穷大)。MOS二极管报价

根据其不同用途,可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管.贴片稳压二极管批发

一、MOS管


MOS管是电压控制型器件,栅极(G)的电压控制源极(S)和漏极(D)之间的电流。下面以NMOS为例图示如下。


NMOS管的原理图示


它们好像是一个受外界磁力控制的开关,当外面有红色磁体时,好像栅极(G)加压,内部的黄色阀门就开启,绿色的电子好像水流一样就会从源极(S)流到漏极(D)。


刚开始水流随着阀门的开启增大而增大,这就是线性工作区。当阀门开到一定程度,水流不会再增大了,因为管子满了。这就是饱和区工作状态。


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