三极管各区的工作条件:
1.放大区:发射结正偏,集电结反偏:
2.饱和区:发射结正偏,集电结正偏;
3.截止区:发射结反偏,集电结反偏。
11、半导体三极管的好坏检测
a;先选量程:R﹡100或R﹡1K档位
b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:
红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.
c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值:
TVS1.5KE100A反向电压电流曲线
1N5404是一款**率整流二极管,正向平均电流3A,反向耐压400V。下面是它的反向电压电流曲线:
1N5404整流二极管反向电压电流曲线
肖特基二极管前向导通电压比较低,用于整流可以提高整流效率。反向耐压比硅二极管低。
1N5817是一款整流肖特二极管,数据手册给定的反向耐压为20V。下面是它的反向耐压电流曲线。当电压接近60V时反相电流急剧上升,随着电流增加,反向电压反而下降,呈现明显的复阻抗特性。
快恢复二极管批发TVS(Transient Voltage Suppressor) 或称瞬态***二极管,是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品.
什么是三极管?
三极管,全称为半导体三极管、双极型晶体管或者晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。
三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的**元件。晶体三极管是一种三端器件,内部含有两个相距很近的PN结(发射结和集电结),两个PN结加上不同极性、不同大小的偏置电压时,晶体三极管呈现不同的特性和功能。
对二极管和三极管极限施压会如何? *
变化和不确定是世界的主旋律,因此在工程设计中需要在很多指标上留有余量。比如在电路设计中,器件的比较高承受的电压、电流、消耗功率、工作环境温度、湿度等指标需要根据实际电路留有一定的余量。
这个余量既不能够太多,否则就会带来器件在尺寸、价格上的猛增;也不能够太小,或者没有,这样就会使得设备寿命、可靠性大打折扣。
手边有一台简易高压发生器,可以产生0~4000V的直流电压,因此可以获得常见电子器件的承受高压下电流曲线。了解到电子器件数据手册耐压数值与其实际耐压,以及器件在高压击穿下的变化,可以帮助更加合理选择设备耐压数值。
由于稳压二极管并不是每个电压值都有,并且稳压值会存在一定的离散性,所以在选择稳压值时.
场效应管好坏与极性判别:将万用表的量程选择在RX1K档,用黑表笔接D极,红表笔接S极,用手同时触及一下G,D极,场效应管应呈瞬时导通状态,即表针摆向阻值较小的位置,再用手触及一下G,S极, 场效应管应无反应,即表针回零位置不动.此时应可判断出场效应管为好管.
将万用表的量程选择在RX1K档,分别测量场效应管三个管脚之间的电阻阻值,若某脚与其他两脚之间的电阻值均为无穷大时,并且再交换表笔后仍为无穷大时,则此脚为G极,其它两脚为S极和D极.然后再用万用表测量S极和D极之间的电阻值一次,交换表笔后再测量一次,其中阻值较小的一次,黑表笔接的是S极,红表笔接的是D极.
其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属绝缘体半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。佛山二极管
反向击穿电压的检测 二极管反向击穿电压(耐压值)可以用晶体管直流参数测试表测量。8550三极管供应
让我们带着这个问题开始学习三极管的结构。
与二极管类似,三极管也是由PN结构成的,它的内部包含两个PN结,这两个PN结由三片半导体构成。根据这三片半导体排列方式的不同,三极管可以分成NPN型和PNP型。
以NPN型为例,三极管的结构特点可以概括为三极、三区、两结。从三片半导体各引出一个引脚,就是三极,中间为基极B,两边分别为集电极C和发射极E。与三个引脚相连的三片半导体即为“三区”,基区、集电区和发射区。
三个区结构上各有特点,基区**薄,集电区面积比较大,发射区掺杂浓度比较高。三个区相互结合,在交界处形成两个PN结。基区与集电区交界处称为集电结,基区与发射区交界处称为发射结。
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